一金屬方框abcd從離磁場區(qū)域上方高h(yuǎn)處自由落下,然后進(jìn)入與線框平面垂直的勻強(qiáng)磁場中,在進(jìn)入磁場的過程中,可能發(fā)生的情況是(如圖4-4-12所示)(    )

圖4-4-12

A.線框做加速運動,加速度a<g             B.線框做勻速運動

C.線框做減速運動                                D.線框會反跳回原處

解答提示:由楞次定律的另一種表述知:感應(yīng)電流的效果總是阻礙導(dǎo)體間的相對運動.

當(dāng)線框下落進(jìn)入磁場過程中,感應(yīng)電流的磁場將阻礙線框進(jìn)入磁場,這就說明進(jìn)入磁場時產(chǎn)生的感應(yīng)電流使線框受到向上的安培力.

設(shè)線框bc邊長為L,整個線框電阻為R,進(jìn)入磁場時速度為v,bc邊進(jìn)入磁場時感應(yīng)電動勢E=BLv,線框中的電流I=,受到向上的安培力F=ILB==

(1)如果F=mg,線框?qū)蛩龠M(jìn)入磁場.

(2)如果F<mg,線框?qū)⒓铀龠M(jìn)入磁場,但隨著速度的增大,F(xiàn)增大,加速度減小,因此進(jìn)入磁場的過程是加速度逐漸減小的加速過程.

(3)如果F>mg,線框?qū)p速進(jìn)入磁場,但隨著速度的減小,F(xiàn)減小,加速度的值將減小,線框做加速度減小的減速運動.

由此可見,其進(jìn)入磁場的運動特點是由其自由下落的高度h決定的(對于確定的線圈),A、B、C三種情況均有可能.但第四種情況D絕不可能,因為線框進(jìn)入磁場,才會受到向上的安培力,受到安培力是因為有電流,可見在磁場中已經(jīng)有一部分機(jī)械能轉(zhuǎn)化為電能,機(jī)械能不守恒.

答案:ABC

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精英家教網(wǎng)如右圖所示,一金屬方框abcd從離磁場區(qū)域上方高h(yuǎn)處自由下落,進(jìn)入與線框平面垂直的勻強(qiáng)磁場中,在進(jìn)入磁場的過程中,不可能發(fā)生的情況是(  )

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如圖7所示,一金屬方框abcd從離磁場區(qū)域上方高h(yuǎn)處自由下落,然后進(jìn)入與線框平面垂直的勻強(qiáng)磁場中.在進(jìn)入磁場的過程中,可能發(fā)生的情況是(    )

圖7

A.線框做加速運動,加速度a<g              B.線框做勻速運動

C.線框做減速運動                                 D.線框會跳回原處

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如圖所示,一金屬方框abcd從離磁場區(qū)域上方高h(yuǎn)處自由下落,然后進(jìn)入與線框平面垂直的勻強(qiáng)磁場中。在進(jìn)入磁場的過程中,可能發(fā)生的情況是

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如圖所示,一金屬方框abcd從離磁場區(qū)域上方高h(yuǎn)處自由下落,然后進(jìn)入與線框平面垂直的勻強(qiáng)磁場中。在進(jìn)入磁場的過程中,可能發(fā)生的情況是

A.線框做變加速運動

B.線框做勻加速運動

C.線框做勻減速運動

D.線框做勻速運動

 

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如右圖所示,一金屬方框abcd從離磁場區(qū)域上方高h(yuǎn)處自由下落,進(jìn)入與線框平面垂直的勻強(qiáng)磁場中,在進(jìn)入磁場的過程中,不可能發(fā)生的情況是( 。
A.線框做加速運動,加速度a<g
B.線框做勻速運動
C.線框做減速運動
D.線框會反跳回原處
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