利用電場和磁場,可以將比荷不同的離子分開,這種方法在化學分析和原子核技術(shù)等領(lǐng)域有重要的應用.如圖所示的矩形區(qū)域ACDG(AC邊足夠長)中存在垂直于紙面的勻強磁場,A處有一狹縫.離子源產(chǎn)生的離子經(jīng)靜電場加速后穿過狹縫沿垂直于GA邊且垂直于磁場的方向射入磁場,運動到GA邊,被相應的收集器收集.整個裝置內(nèi)部為真空.
已知被加速的兩種正離子的質(zhì)量分別是m1和m2(m1>m2),電荷量均為q.加速電場的電勢差為U,離子進入電場時的初速度可以忽略.不計重力,也不考慮離子間的相互作用.
(1)求質(zhì)量為m1的離子進入磁場時的速率v1;
(2)當磁感應強度的大小為B時,求兩種離子在GA邊落點的間距.
科目:高中物理 來源: 題型:
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科目:高中物理 來源:2013-2014學年重慶市高三上期期末訓練物理試卷(解析版) 題型:計算題
(16分)利用電場和磁場,可以將比荷不同的離子分開,這種方法在化學分析和原子核技術(shù)等領(lǐng)域有重要的應用。如圖所示的矩形區(qū)域ACDG(AC邊足夠長)中存在垂直于紙面的勻強磁場,A處有一狹縫。離子源產(chǎn)生的離子,經(jīng)靜電場加速后穿過狹縫沿垂直于GA邊且垂直于磁場的方向射入磁場,運動到GA邊,被相應的收集器收集。整個裝置內(nèi)部為真空。已知被加速的兩種正離子的質(zhì)量分別是和,電荷量均為.加速電場的電勢差為,離子進入電場時的初速度可以忽略.不計重力,也不考慮離子間的相互作用。
(1)求質(zhì)量為的離子進入磁場時的速率;
(2)當磁感應強度的大小為B時,求兩種離子在GA邊落點的間距.
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科目:高中物理 來源:2012-2013學年黑龍江省高三上學期期末考試物理試卷(解析版) 題型:計算題
利用電場和磁場,可以將比荷不同的離子分開,這種方法在化學分析和原子核技術(shù)等領(lǐng)域有重要的應用.如圖所示的矩形區(qū)域ACDG(AC邊足夠長)中存在垂直于紙面的勻強磁場,A處有一狹縫.離子源產(chǎn)生的離子經(jīng)靜電場加速后穿過狹縫沿垂直于GA邊且垂直于磁場的方向射入磁場,運動到GA邊,被相應的收集器收集.整個裝置內(nèi)部為真空.
已知被加速的兩種正離子的質(zhì)量分別是m1和m2(m1>m2),電荷量均為q.加速電場的電勢差為U,離子進入電場時的初速度可以忽略.不計重力,也不考慮離子間的相互作用.
(1)求質(zhì)量為m1的離子進入磁場時的速率v1;
(2)當磁感應強度的大小為B時,求兩種離子在GA邊落點的間距.
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