圖9是質(zhì)譜儀的工作原理示意圖。帶電粒子被加速電場(chǎng)加速后,進(jìn)入速度選擇器。速度選擇器內(nèi)相互正交的勻強(qiáng)磁場(chǎng)和勻強(qiáng)電場(chǎng)的強(qiáng)度分別為BE。平板S上有可讓粒子通過(guò)的狹縫P和記錄粒子位置的膠片A1A2。平板S下方有強(qiáng)度為B0的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。下列表述正確的是

A.質(zhì)譜儀是分析同位素的重要工具

B.速度選擇器中的磁場(chǎng)方向垂直紙面向外

C.能通過(guò)的狹縫P的帶電粒子的速率等于E/B

D.粒子打在膠片上的位置越靠近狹縫P,粒子的荷質(zhì)比越小

【答案】ABC。

【解析】由加速電場(chǎng)可見(jiàn)粒子所受電場(chǎng)力向下,即粒子帶正電,在速度選擇器中,電場(chǎng)力水平向右,洛倫茲力水平向左,如圖所示,因此速度選擇器中磁場(chǎng)方向垂直紙面向外B正確;經(jīng)過(guò)速度選擇器時(shí)滿足,可知能通過(guò)的狹縫P的帶電粒子的速率等于E/B帶電粒子進(jìn)入磁場(chǎng)做勻速圓周運(yùn)動(dòng)則有,可見(jiàn)當(dāng)v相同時(shí),,所以可以用來(lái)區(qū)分同位素,www..com且R越大,比荷就越大,D錯(cuò)誤。

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

12.圖9是質(zhì)譜儀的工作原理示意圖,帶電粒子被加速電場(chǎng)加速后,進(jìn)入速度選擇器。速度選擇器內(nèi)相互正交的勻強(qiáng)磁場(chǎng)和勻強(qiáng)電場(chǎng)的強(qiáng)度分別為B和E。平板S上有可讓粒子通過(guò)的狹縫P和記錄粒子位置的膠片A1A2。平板S下方有強(qiáng)度為B0的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。下列表述正確的是

A.質(zhì)譜儀是分析同位素的重要工具                 

B.速度選擇中的磁場(chǎng)方向垂直紙面向外

C.能通過(guò)狹縫P的帶電粒子的速率等于E/B

D.粒子打在膠片上的位置越靠近狹縫P,粒子的荷質(zhì)比越小

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

圖9是質(zhì)譜儀的工作原理示意圖。帶電粒子被加速電場(chǎng)加速后,進(jìn)入速度選擇器。速度選擇器內(nèi)相互正交的勻強(qiáng)磁場(chǎng)和勻強(qiáng)電場(chǎng)的強(qiáng)度分別為BE。平板S上有可讓粒子通過(guò)的狹縫P和記錄粒子位置的膠片A1A2。平板S下方有強(qiáng)度為B0的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。下列表述正確的是

A.質(zhì)譜儀是分析同位素的重要工具

B.速度選擇器中的磁場(chǎng)方向垂直紙面向外

C.能通過(guò)的狹縫P的帶電粒子的速率等于E/B

D.粒子打在膠片上的位置越靠近狹縫P,粒子的荷質(zhì)比越小

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科目:高中物理 來(lái)源:2012屆廣東省高二上學(xué)期期末考試物理試卷 題型:選擇題

圖9是質(zhì)譜儀的工作原理示意圖。帶電粒子被加速電場(chǎng)加速后,進(jìn)入速度選擇器。速度選擇器內(nèi)相互正交的勻強(qiáng)磁場(chǎng)和勻強(qiáng)電場(chǎng)的強(qiáng)度分別為B和E。平板S上有可讓粒子通過(guò)的狹縫P和記錄粒子位置的膠片A1A2。平板S下方有強(qiáng)度為B0的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。下列表述正確的是

A.質(zhì)譜儀是分析同位素的重要工具

B.速度選擇器中的磁場(chǎng)方向垂直紙面向內(nèi)

C.能通過(guò)的狹縫P的帶電粒子的速率等于E/B

D.粒子打在膠片上的位置越靠近狹縫P,粒子的荷質(zhì)比越小

 

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

圖9是質(zhì)譜儀的工作原理示意圖。帶電粒子被加速電場(chǎng)加速后,進(jìn)入速度選擇器。速度選擇器內(nèi)相互正交的勻強(qiáng)磁場(chǎng)和勻強(qiáng)電場(chǎng)的強(qiáng)度分別為B和E。平板S上有可讓粒子通過(guò)的狹縫P和記錄粒子位置的膠片A1A2。平板S下方有強(qiáng)度為B0的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。下列表述正確的是

A.質(zhì)譜儀是分析同位素的重要工具

B.速度選擇器中的磁場(chǎng)方向垂直紙面向內(nèi)

C.能通過(guò)的狹縫P的帶電粒子的速率等于E/B

D.粒子打在膠片上的位置越靠近狹縫P,粒子的荷質(zhì)比越小

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