【題目】如圖(a)所示,在光滑水平面上放置一質量為1 kg的單匝均勻正方形銅線框,線框邊長為0.1m。在虛線區(qū)域內有豎直向下的勻強磁場,磁感應強度為T。現用恒力F拉線框,線框到達1位置時,以速度v0=3 m/s進入勻強磁場并開始計時。在t=3 s時刻線框到達2位置開始離開勻強磁場。此過程中v-t圖像如圖(b)所示,那么
A. t=0時刻線框右側邊兩端MN間的電壓為0.75 V
B. 恒力F的大小為0.5 N
C. 線框完全離開磁場的瞬間的速度大小為3 m/s
D. 線框完全離開磁場的瞬間的速度大小為1 m/s
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【題目】如圖甲所示,介質中振源位于O點位置,它的振動圖象如圖乙所示, P點距離O點8 m,Q點距離O點5 m,振源振動所形成的機械波在傳播過程中兩相鄰波谷之間的距離為0.8 m。
圖甲 圖乙
求:(i)振源的振動方程;
(ii)從振源振動開始計時,P點第一次到達波谷時所需要的時間t;
(iii)P點第一次經過平衡位置向下運動時Q點的位置以及Q點運動的路程。
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【題目】一種常用的圓珠筆由筆筒、筆芯、彈簧、頂芯桿組成(如圖示),將頂芯桿抵在水平桌面上,下壓筆筒從而壓縮彈簧,松手后,筆筒在彈簧作用下向上彈起,帶動頂芯桿跳離桌面。為考慮問題簡單,將筆芯、筆筒看做一體,不計摩擦。
A. 從松手到彈簧恢復原長,彈簧的彈性勢能全部轉化為筆筒的動能
B. 從松手到彈簧恢復原長,筆筒一直向上加速運動
C. 從松手到彈簧恢復原長,筆筒加速度先減小后增大
D. 不論下壓程度如何,松手后頂芯桿都能跳離桌面
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【題目】如圖所示,兩束單色光a、b從水下面射向A點,光線經折射后合成一束光c,則下列說法正確的是________.
A.用同一雙縫干涉實驗裝置分別以a、b光做實驗,a光的干涉條紋間距大于b光的干涉條紋間距
B.a光在水中的傳播速度比b光快
C.用a、b光分別做雙縫干涉時它們的干涉條紋寬度都是不均勻的
D.在水中a光的臨界角大于b光的臨界角
E.若a光與b光以相同入射角從水射向空氣,在不斷增大入射角時水面上首先消失的是a光
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【題目】如圖,導熱性能極好的氣缸,高為L=l.0m,開口向上固定在水平面上,氣缸中有橫截面積為S=100cm2、質量為m=20kg的光滑活塞,活塞將一定質量的理想氣體封閉在氣缸內.當外界溫度為t=27℃、大氣壓為P0=l.0×l05Pa時,氣柱高度為l=0.80m,氣缸和活塞的厚度均可忽略不計,取g=10m/s2,求:
①如果氣體溫度保持不變,將活塞緩慢拉至氣缸頂端.在頂端處,豎直拉力F有多大?
②如果僅因為環(huán)境溫度緩慢升高導致活塞上升,當活塞上升到氣缸頂端時,環(huán)境溫度為多少攝氏度?
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【題目】如圖所示,平行板電容器與直流電源、理想二極管(正向通電時可以理解為短路,反向通電時可理解為斷路)連接,電源正極接地.初始電容器不帶電,閉合開關,電路穩(wěn)定后,一帶電油滴位于電容器中的P點且處于靜止狀態(tài).下列說法正確的是
A. 上極板上移,帶電油滴向下運動
B. 上極板上移,P點電勢降低
C. 上極板下移,帶電油滴向下運動
D. 上極板下移,P點電勢升高
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【題目】如圖所示,豎直墻上固定有光滑的小滑輪D,質量相等的物體A和B用輕彈簧連接,物體B放在地面上,用一根不可伸長的輕繩一端與物體A連接,另一端跨過定滑輪與小環(huán)C連接,小環(huán)C穿過豎直固定的光滑均勻細桿,小環(huán)C位于位置R時,繩與細桿的夾角為θ,此時物體B與地面剛好無壓力,圖中,SD水平,位置R和Q關于S對稱,現讓小環(huán)從R處由靜止釋放,環(huán)下落過程中繩始終處于拉直狀態(tài),且環(huán)到達Q時速度最大。下列關于小環(huán)C下落過程中的描述正確的是( )
A. 小環(huán)C、物體A和輕彈簧組成的系統(tǒng)機械能守恒
B. 小環(huán)C下落到位置S時,小環(huán)C的機械能一定最大
C. 小環(huán)C從位置R運動到位置Q的過程中,彈簧的彈性勢能一定先減小后增大
D. 小環(huán)C到達Q點時,物體A與小環(huán)C的動能之比為
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【題目】電動勢為E、內阻為r的電源與定值電阻R1、R2及滑動變阻器R連接成如圖所示的電路,當滑動變阻器的觸頭由中點滑向a端時,下列說法錯誤的是
A. 定值電阻R1的電功率增大
B. 電壓表和電流表讀數都減小
C. 電壓表的示數變化絕對值與電流表的示數變化絕對值之比等于R2
D. R中電流變化的絕對值大于電流表讀數變化的絕對值
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【題目】如圖所示,在直角坐標系xoy的第一象限中有兩個全等的直角三角形區(qū)域Ⅰ和Ⅱ,充滿了方向均垂直紙面向里的勻強磁場,區(qū)域Ⅰ的磁感應強度大小為B0,區(qū)域Ⅱ的磁感應強度大小可調, C點坐標為(4L,3L),M點為OC的中點。質量為m帶電量為-q的粒子從C點以平行于y軸方向射入磁場Ⅱ中,速度大小為,不計粒子所受重力,粒子運動軌跡與磁場區(qū)域相切時認為粒子能再次進入磁場。
(1)若粒子無法進入區(qū)域Ⅰ中,求區(qū)域Ⅱ磁感應強度大小范圍;
(2)若粒子恰好不能從AC邊射出,求區(qū)域Ⅱ磁感應強度大。
(3)若粒子能到達M點,求區(qū)域Ⅱ磁場的磁感應強度大小的所有可能值。
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