如圖所示是測(cè)量帶電粒子質(zhì)量的儀器工作原理示意圖。設(shè)法是某有機(jī)化合物的氣態(tài)分子導(dǎo)入圖中所示的容器A中,使它受到電子束轟擊,失去一個(gè)電子變成正一價(jià)的分子離子。分子離子從狹縫s1以很小的速度進(jìn)入電壓為U的加速電場(chǎng)區(qū)(初速不計(jì)),加速后,再通過(guò)狹縫s2、s3射入磁感強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),方向垂直于磁場(chǎng)區(qū)的界面PQ。最后,分子離子打到感光片上,形成垂直于紙面而且平行于狹縫s3的細(xì)線。若測(cè)得細(xì)線到狹縫s3的距離為d
導(dǎo)出分子離子的質(zhì)量m的表達(dá)式。
          
解:以m、q表示離子的質(zhì)量電量,以v表示離子從狹縫s2射出時(shí)的速度,由功能關(guān)系可得 ①射入磁場(chǎng)后,在洛侖茲力作用下做圓周運(yùn)動(dòng),由牛頓定律可得 ②式中R為圓的半徑。感光片上的細(xì)黑線到s3縫的距離d=2R ③解得
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:038

圖所示是測(cè)量帶電粒子質(zhì)量的儀器工作原理示意圖,設(shè)法使某有機(jī)化合物的氣態(tài)分子導(dǎo)入圖中所示的容器A中,使它受到電子束轟擊,失去一個(gè)電子變成為正一價(jià)的分子離子,分子離子從狹縫S1以很小的速度進(jìn)入電壓為U的加速電場(chǎng)區(qū)(初速不計(jì)),加速后,再通過(guò)狹縫S2、S3射入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),方向垂直于磁場(chǎng)區(qū)的界面PQ.最后,分子離子打到感光片上,形成垂直于紙面且平行于狹縫S2的細(xì)線,若測(cè)得細(xì)線到狹縫S3的距離為d

 

  (1)導(dǎo)出分子、離子的質(zhì)量m的表達(dá)式.

 

 。2)根據(jù)分子離子的質(zhì)量數(shù)M可以推測(cè)有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式,若某種含CH和鹵素的化合物的M48,寫出其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式.

 

 。3)現(xiàn)有某種含C、H和鹵素的化合物,測(cè)得兩個(gè)M值,分別為6466,試說(shuō)明原因,并寫出它們的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式.在推測(cè)有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)時(shí),可能用到的含量較多的同位素的質(zhì)量數(shù)如下表:

元素

H

C

F

C1

Br

含量較多的同

位素的質(zhì)量數(shù)

1

12

19

35,37

79,81

 

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科目:高中物理 來(lái)源:活題巧解巧練·高考物理(第二輪) 題型:038

如圖所示是測(cè)量帶電粒子質(zhì)量的儀器工作原理示意圖,設(shè)法使某有機(jī)化合物的氣態(tài)分子導(dǎo)入圖中所示的容器A中,使它受到電子束轟擊,失去一個(gè)電子變成為正一價(jià)的分子離子,分子離子從狹縫S1以很小的速度進(jìn)入電壓為U的加速電壓區(qū)(初速不計(jì)),加速后,再通過(guò)狹縫S2,S3射入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),方向垂直于磁場(chǎng)區(qū)的界面PQ.最后,分子離子打到感光片上,形成垂直于紙面且平行于狹縫S3的細(xì)線,若測(cè)得細(xì)線到狹縫S3的距離為d.

(1)導(dǎo)出分子離子質(zhì)量的表達(dá)式;

(2)根據(jù)分子離子的質(zhì)量數(shù)M可以推測(cè)有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式,若某種含C,H和鹵素的化合物的M為48,寫出其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式;

(3)現(xiàn)有某種含C,H和鹵素的化合物,測(cè)得兩個(gè)M值,分別為64和66.試說(shuō)明原因,并寫出它們的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式.

在推測(cè)有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)時(shí),可能用到的含量較多的同位素的質(zhì)量數(shù)如下表:

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如圖所示是測(cè)量帶電粒子質(zhì)量的儀器工作原理示意圖.設(shè)法使某有機(jī)化合物的氣態(tài)分子導(dǎo)入圖中所示的容器A中,使它受到電子束轟擊,失去一個(gè)電子變成為正一價(jià)的分子離子,分子離子從狹縫S1以很小的速度進(jìn)入電壓為U的加速電場(chǎng)區(qū)(初速不計(jì)),加速后,再通過(guò)狹縫S2、S3射入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),方向垂直于磁場(chǎng)區(qū)的界面PQ,最后,分子離子打到感光片上,形成垂直于紙面且平行于狹縫S3的細(xì)線,若測(cè)得細(xì)線到狹縫S3的距離為d.導(dǎo)出分子離子的質(zhì)量m的表達(dá)式.

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如圖所示是測(cè)量帶電粒子質(zhì)量的儀器——質(zhì)譜儀的工作原理示意圖.設(shè)法使某有機(jī)化合物的氣態(tài)分子導(dǎo)入圖中所示的容器A中,使它受到電子束轟擊,失去一個(gè)電子成為正一價(jià)的離子.離子從狹縫S1以很小的速度(即初速度不計(jì))進(jìn)入電壓為U的加速電場(chǎng)區(qū)加速后,再通過(guò)狹縫S2、S3射入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)(方向垂直于磁場(chǎng)區(qū)的界面PQ)中.最后,離子打到感光片上,形成垂直于紙面且平行于狹縫S3的細(xì)線.若測(cè)得細(xì)線到狹縫S3的距離為d.請(qǐng)導(dǎo)出離子的質(zhì)量m的表達(dá)式.

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