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如圖所示，半圓形光滑槽固定在地面上，勻強磁場與槽所形成的軌道平面垂直．將質量為m的帶電小球自槽頂A處由靜止釋放，小球到達槽最低點C時，恰對槽無壓力，則小球在以后的運動過程中對C點的最大壓力為（　　　　）
A．零　　B．2mgC．4mgD．6mg
練習冊系列答案
相關習題

科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖所示是質譜儀工作原理的示意圖.帶電粒子a、b經電壓U加速(在A點處速度為零)后,進入磁感應強度為B的勻強磁場做勻速圓周運動,最后分別打在感光板S上的x1、x2處.圖中半圓形的虛線分別表示帶電粒子a、b所通過的路徑,則（  ）
A．a的質量一定大于b的質量
B．a的電荷量一定大于b的電荷量
C．在磁場中a運動的時間大于b運動的時間
D．a的比荷()大于b的比荷()

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖所示，將質子和α粒子(He原子核)混合，以幾乎為零的速度注入一平板電容器使之加速，射出的粒子束讓其垂直射入具有一定寬度的磁場，結果兩種粒子都從磁場另一平行邊界射出，且其中一束剛好能穿越磁場。不考慮重力和粒子間相互的影響，以下說法正確的有(     )
A．剛好穿越磁場的為α粒子
B．兩種粒子在磁場中運動的時間相等
C．若將磁場寬度加倍仍然有粒子可以穿越磁場
D．若將加速電壓減半則粒子將都不可能穿越磁場

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：計算題

如圖所示，大量質量為、電量為的帶電粒子（不計重力），由靜止開始經電場加速后沿水平方向從P點進入的勻強磁場，不計各粒子之間的作用力。已知磁感應強度為B，磁場的兩邊界線豎直且上下足夠長，寬度為�；卮鹣铝袉栴}：
（1）加速電場的電壓為時，粒子剛好能從磁場的右邊界穿過，求
（2）若在P點加一個速度散射器（可使粒子速度方向變化，而不改變速度大�。�，使粒子從P點沿各個方向射入磁場，為使磁場右邊界有粒子射出，加速電壓至少應為多大？
（3）在有速度散射器的情況下，將加速電壓調為，則穿過磁場的粒子中，穿越磁場的最短時間為多少？

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：計算題

如下圖所示，甲圖是用來使帶正電的離子加速和偏轉的裝置．乙圖為該裝置中加速與偏轉電場的等效模擬．以y軸為界，左側為沿x軸正向的勻強電場，場強為E。右側為沿y軸負方向的勻強電場．已知OA⊥AB，OA＝AB，且OB間的電勢差為U0.若在x軸的C點無初速地釋放一個電荷量為q、質量為m的正離子(不計重力)，結果正離子剛好通過B點，求：
(1)CO間的距離d；
(2)粒子通過B點的速度大�。�

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：計算題

（20分）如圖所示，半徑R = 0.8m的四分之一光滑圓弧軌道位于豎直平面內，與長CD = 2.0m的絕緣水平面平滑連接。水平面右側空間存在互相垂直的勻強電場和勻強磁場，電場強度E = 40N/C，方向豎直向上，磁場的磁感應強度B = 1.0T，方向垂直紙面向外。兩個質量均為m = 2.0×10-6kg的小球a和b，a球不帶電，b球帶q = 1.0×10-6C的正電，并靜止于水平面右邊緣處。將a球從圓弧軌道頂端由靜止釋放，運動到D點與b球發(fā)生正碰，碰撞時間極短，碰后兩球粘合在一起飛入復合場中，最后落在地面上的P點。已知小球a在水平面上運動時所受的摩擦阻力f = 0.1mg， PN =，取g =10m/s2。a、b均可作為質點。（結果保留三位有效數(shù)字）求：
（1）小球a與b相碰后瞬間速度的大小v
（2）水平面離地面的高度h
（3）從小球a開始釋放到落地前瞬間的整個運動過程中，ab系統(tǒng)損失的機械能ΔE。

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

.一個帶電粒子處于垂直于勻強磁場方向的平面內，只在磁場力的作用下做勻速圓周運動.要想確定帶電粒子的電荷量與質量之比，則只需要知道
A．運動速度v和磁感應強度BB．軌道半徑R和磁感應強度B
C．軌道半徑R和運動速度vD．磁感應強度B和運動周期T

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：計算題

如圖所示，水平方向的勻強電場的場強為E，場區(qū)寬度為L，緊挨著電場的是垂直紙面向外的兩個勻強磁場區(qū)域，其磁感應強度分別為B和2B，三個場的豎直方向均足夠長。一個質量為m，電量為q的帶正電粒子，其重力不計，從電場的邊界MN上的a點由靜止釋放，經電場加速后進人磁場，穿過中間磁場所用的時間t0=，進入右邊磁場后能按某一路徑再返回到電場的邊界MN上的某一點b，途中虛線為場區(qū)的分界面。求：
（1）中間場區(qū)的寬度d；
（2）粒子從a點到b點所經歷的時間t；
（3）當粒子第n次返回電場的MN邊界時與出發(fā)點之間的距離Sn。

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖所示的虛線區(qū)域內，充滿垂直于紙面向里的勻強磁場和豎直向下的勻強電場。一帶電粒子a（不計重力）以一定的初速度由左邊界的O1點射入磁場、電場區(qū)域，恰好沿直線運動到區(qū)域右邊界的O2點（圖中未標出）穿出。若保持磁場強弱、方向和電場方向不變，只增大電場強度大小，另一個同樣的粒子b（不計重力）仍以相同初速度由O1點射入，仍然能夠從區(qū)域右邊界穿出，則粒子
A．穿出位置一定在O2點下方
B．在虛線區(qū)域內的運動軌跡是圓弧
C．在虛線區(qū)域內的運動軌跡是拋物線
D．在虛線區(qū)域內運動時，動能一定增大

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