5．下列說法中正確的是（　�。�
A．電流有方向，因此是矢量
B．5號干電池比1號干電池的體積小，電動勢也小
C．電池的容量與放電狀態(tài)有關(guān)系，同樣的電池，小電流、間斷性放電比大電流、持續(xù)放電的容量小
D．同一型號干電池，舊電池與新電池相比電動勢幾乎不變，但內(nèi)阻變大

分析 電流有方向，而電流是標量．在外電路中，電流的方向總是從電源的正極流向電源的負極．電源的作用提供持續(xù)的電壓．電動勢是反映電源把其他形式的能轉(zhuǎn)化為電能本領(lǐng)強弱的物理量．由電源本身決定．

解答 解：A、電流有方向，表示正電荷定向移動的方向，由于電流運算時不遵守平行四邊形定則，所以電流不是矢量，而是標量，故A錯誤．
B、5號干電池比1號干電池的體積小，但它們的電動勢相同；均為1.5V；故B錯誤；
C、電池的容量與放電狀態(tài)沒有關(guān)系，其容量大小和電池的放電電流等無關(guān)；C錯誤；
D、同一型號干電池，舊電池與新電池相比電動勢幾乎不變，但內(nèi)阻變大；故D正確；
故選：D

點評 本題考查對電流方向和電動勢的理解，要注意電流是標量，運算時遵守代數(shù)加減法則．

練習冊系列答案
相關(guān)習題

科目：高中物理 來源： 題型：多選題

20．跳傘運動員做低空跳傘表演，當飛機離地面某一高度靜止于空中時，運動員離開飛機下落，運動一段時間后打開降落傘，展傘后運動員以5m/s2的加速度勻減速下落，則運動員在勻減速下降的任意一秒內(nèi)（　�。�
A．這一秒末的速度比前一秒初的速度小5m/s
B．這一秒末的速度是前一秒末的速度的0.2倍
C．這一秒內(nèi)的位移比前一秒內(nèi)的位移小5m
D．這一秒末的速度比前一秒初的速度小10m/s

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科目：高中物理 來源： 題型：多選題

1．做自由落體運動的物體（　�。�
A．在任意時刻加速度相等
B．在任意時刻速度變化的快慢相等
C．在任意相等的時間內(nèi)速度的變化相等
D．在任意相等的時間內(nèi)位移的變化相等

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科目：高中物理 來源： 題型：解答題

13．一花盆從距地面6.2m高的窗臺由靜止開始墜落，不計空氣阻力的影響，求：
（1）花盆從開始下落到著地要用多長時間？
（2）花盆著地時的速度是多大？
（3）從開始下落到0.50s末下落的距離是多大？
（4）0.50s時的速度是多大？
（5）0.50s時的加速度是多大？

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科目：高中物理 來源： 題型：填空題

20．正弦式電流電動勢瞬時值e=Emsinωt，其中Em=NBSω，電流瞬時值i=Imsinωt，Im=$\frac{NBSω}{R+r}$，電壓瞬時值u=Umsinωt，Um=$\frac{NBSω}{R+r}R$．

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科目：高中物理 來源： 題型：解答題

10．如圖所示，在真空中以恒定速度從O點水平射出的帶電粒子垂直打到位置處于A1B1的豎直光屏上的O1點．當在粒子運動的空間加一豎直方向的勻強電場后，帶電粒子打到光屏上的M點．已知O1到M的距離y1=20cm．保持勻強電場的強弱和方向不變，現(xiàn)將豎直光屏向著O點移動b=18cm的距離而處于A2B2位置，則粒子打到光屏上的N點，且O2到N的距離y2=5cm，O2為直線OO1和直線A2B2的交點，不計粒子所受重力，求此時光屏到O點的距離d為多少？

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科目：高中物理 來源： 題型：多選題

17．如圖所示，小球自由下落，落在一豎直放置的彈簧上，小球在a點與彈簧接觸，到b點時將彈簧壓縮到最短，在球從a點到b點的過程中，不計空氣阻力作用，則（　�。�
A．小球的動能一直減少B．小球的重力勢能一直減小
C．小球的重力勢能一直增大D．小球的機械能一直減少

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科目：高中物理 來源： 題型：多選題

14．如圖所示，a、b、c、d是地球周圍的四個圓周，其中a與赤道共面，b所在平面與赤道平面平行，a、d、c的圓心與地心O重合，下列說法正確的是（　�。�
A．a、b可能為衛(wèi)星的軌道B．c、d可能為衛(wèi)星的軌道
C．地球同步衛(wèi)星軌道只能與a共面D．地球同步衛(wèi)星軌道只能與d共面

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科目：高中物理 來源： 題型：解答題

15．霍爾效應(yīng)是電磁現(xiàn)象之一，近期我國科學家在該領(lǐng)域的實驗研究上取得了突破性進展．如圖甲所示，在一矩形半導體薄片的P、Q間通入電流強度為I的電流，同時外加與薄片垂直的磁感應(yīng)強度為B的磁場，則在M、N間出現(xiàn)大小為UH的電壓，這個現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng)，UH稱為霍爾電壓，且滿足${U_H}=k\frac{IB}xuyypzv$，式中d為薄片的厚度，k為霍爾系數(shù)．某同學通過實驗來測定該半導體薄片的霍爾系數(shù)．
（1）若該半導體材料是空穴（可視為帶正電粒子）導電，電流與磁場方向如圖甲所示，該同學用電壓表測量UH時，應(yīng)將電壓表的“+”接線柱與M（選填“M”或“N”）端通過導線相連．

（2）該同學查閱資料發(fā)現(xiàn)，使半導體薄片中的電流反向再次測量，取兩個方向測量的平均值，可以減小霍爾系數(shù)的測量誤差，為此該同學設(shè)計了如圖乙所示的測量電路，S1、S2均為單刀雙擲開關(guān)，虛線框內(nèi)為半導體薄片（未畫出）．為使電流從Q端流入，P端流出，應(yīng)將S1擲向b（選填“a”或“b”），S2擲向c（選填“c”或“d”）．
（3）已知薄片厚度d=0.40mm，該同學保持磁感應(yīng)強度B=0.10T不變，改變電流I的大小，測量相應(yīng)的UH值，記錄數(shù)據(jù)如表所示．
I（×10-3A）3.06.09.012.015.018.0
UH（×10-3V）1.11.93.44.56.26.8
根據(jù)表中數(shù)據(jù)在給定區(qū)域內(nèi)（見答題卡）畫出UH-I圖線，請利用圖線求出該材料的霍爾系數(shù)為1.5×10-3V•m•A-1•T-1（保留2位有效數(shù)字）．

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