(2011年紹興一中高三質(zhì)量檢測)如圖所示,用質(zhì)量為m、電阻為R的均勻?qū)Ь做成邊長為l的單匝正方形線框MNPQ,線框每一邊的電阻都相等.將線框置于光滑絕緣的水平面上.在線框的右側(cè)存在豎直方向的有界勻強磁場,磁場邊界間的距離為2l,磁感應(yīng)強度為B.在垂直MN邊的水平拉力作用下,線框以垂直磁場邊界的速度v勻速穿過磁場.在運動過程中線框平面水平,且MN邊與磁場的邊界平行.求:
(1)線框MN邊剛進入磁場時,線框中感應(yīng)電流的大;
(2)線框MN邊剛進入磁場時,M、N兩點間的電壓UMN;
(3)在線框從MN邊剛進入磁場到PQ邊剛穿出磁場的過程中,水平拉力對線框所做的功W.
科目:高中物理 來源:2012屆浙江省高考物理總復(fù)習(xí)章節(jié)精練精析第9章(帶解析) 題型:計算題
(2011年紹興一中高三質(zhì)量檢測)如圖所示,用質(zhì)量為m、電阻為R的均勻?qū)Ь做成邊長為l的單匝正方形線框MNPQ,線框每一邊的電阻都相等.將線框置于光滑絕緣的水平面上.在線框的右側(cè)存在豎直方向的有界勻強磁場,磁場邊界間的距離為2l,磁感應(yīng)強度為B.在垂直MN邊的水平拉力作用下,線框以垂直磁場邊界的速度v勻速穿過磁場.在運動過程中線框平面水平,且MN邊與磁場的邊界平行.求:
(1)線框MN邊剛進入磁場時,線框中感應(yīng)電流的大。
(2)線框MN邊剛進入磁場時,M、N兩點間的電壓UMN;
(3)在線框從MN邊剛進入磁場到PQ邊剛穿出磁場的過程中,水平拉力對線框所做的功W.
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源:2011-2012學(xué)年浙江省高考物理總復(fù)習(xí)章節(jié)精練精析(第4章)(解析版) 題型:選擇題
(2011年紹興一中質(zhì)檢)如圖所示,質(zhì)量相同的A、B兩質(zhì)點以相同的水平速度v拋出,A在豎直平面內(nèi)運動,落地點在P1;B在光滑的斜面上運動,落地點在P2,不計空氣阻力,則下列說法中正確的是( )
A.A、B的運動時間相同
B.A、B沿x軸方向的位移相同
C.A、B落地時的速度相同
D.A、B落地時的動能相同
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源:2011-2012學(xué)年浙江省高考物理總復(fù)習(xí)章節(jié)精練精析第13章(解析版) 題型:選擇題
(2011年紹興一中檢測)我國最新一代核聚變裝置“EAST”在安徽合肥首次放電、顯示了EAST裝置具有良好的整體性能,使等離子體約束時間達1000 s,溫度超過1億度,標志著我國磁約束核聚變研究進入國際先進水平.合肥也成為世界上第一個建成此類全超導(dǎo)非圓截面核聚變實驗裝置并能實際運行的地方.核聚變的主要原料是氘,在海水中含量極其豐富.已知氘核的質(zhì)量為m1,中子的質(zhì)量為m2,He的質(zhì)量為m3,質(zhì)子的質(zhì)量為m4,則下列說法中正確的是( )
A.兩個氘核聚變成一個He所產(chǎn)生的另一個粒子是質(zhì)子
B.兩個氘核聚變成一個He所產(chǎn)生的另一個粒子是中子
C.兩個氘核聚變成一個He所釋放的核能為(2m1-m3-m4)c2
D.與受控核聚變比較,現(xiàn)行的核反應(yīng)堆產(chǎn)生的廢物具有放射性
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源:2011-2012學(xué)年浙江省高考物理總復(fù)習(xí)章節(jié)精練精析第10章(解析版) 題型:選擇題
(2011年紹興一中檢測)電阻為1 Ω的某矩形線圈在勻強磁場中繞垂直于磁場的軸勻速轉(zhuǎn)動時,所產(chǎn)生的正弦交流電的圖象如圖線a所示;當(dāng)調(diào)整線圈轉(zhuǎn)速后,該線圈中所產(chǎn)生的正弦交流電的圖象如圖線b所示,以下關(guān)于這兩個正弦交流電的說法正確的是( )
A.在圖中t=0時刻穿過線圈的磁通量均為零
B.線圈先后兩次轉(zhuǎn)速之比為3∶2
C.交流電a的電動勢的有效值為5 V
D.交流電b的電動勢的最大值為5 V
查看答案和解析>>
湖北省互聯(lián)網(wǎng)違法和不良信息舉報平臺 | 網(wǎng)上有害信息舉報專區(qū) | 電信詐騙舉報專區(qū) | 涉歷史虛無主義有害信息舉報專區(qū) | 涉企侵權(quán)舉報專區(qū)
違法和不良信息舉報電話:027-86699610 舉報郵箱:58377363@163.com