(2012年3月蘭州診斷)如圖所示,一電子槍發(fā)射出的電子(初速度很小,可視為零)進入加速電場加速后,垂直射入偏轉(zhuǎn)電場,射出后偏轉(zhuǎn)位移為Y,要使偏轉(zhuǎn)位移增大,下列哪些措施是可行的(不考慮電子射出時碰到偏轉(zhuǎn)電極板的情況)
A.增大偏轉(zhuǎn)電壓U B.增大加速電壓U0
C.增大偏轉(zhuǎn)極板間距離 D.將發(fā)射電子改成發(fā)射負離子
科目:高中物理 來源: 題型:
(2012年3月蘭州診斷)如圖所示,第四象限內(nèi)有互相正交的勻強電場E與勻強磁場B1,E的大小為1.5×l03v/m,B1大小為0.5T;第一象限的某個矩形區(qū)域內(nèi),有方向垂直紙面的勻強磁場,磁場的下邊界與x軸重合。一質(zhì)量m=l×10-14kg.電荷量q=2×10-10C的帶正電微粒以某一速度v沿與y軸正方向60°角從M點射入,沿直線運動,經(jīng)P點后即進入處于第一象限內(nèi)的磁場B2區(qū)域。一段時間后,小球經(jīng)過y軸上的N點并與y軸正方向成60°角的方向飛出。M點的坐標為(0,-10),N點的坐標為(0,30),不計微粒重力,g取10m/s2。則求:
(1)微粒運動速度v的大;
(2)勻強磁場B2的大;
(3)B2磁場區(qū)域的最小面積。
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科目:高中物理 來源: 題型:
(2012年3月蘭州診斷)如圖所示,在磁感應強度為B的勻強磁場中有固定的金屬框架ABC,已知∠B=θ,導體棒DE在框架上從B點開始在外力作用下,沿垂直DE方向以速度v勻速向右平移,使導體棒和框架構成等腰三角形回路。設框架和導體棒材料相同,其單位長度的電阻均為R,框架和導體棒均足夠長.不計摩擦及接觸電阻。關于回路中的電流I和電功率P隨時間t變化的下列四個圖象中正確的是
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