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(18分)如圖,傾角為θ寬度為d長為L的光滑傾斜導軌C1D1、C2D2頂端接有可變電阻R0,L足夠長,傾斜導軌置于垂直導軌平面斜向左上方的勻強磁場中,磁感應強度為B,C1A1B1、C2A2B2為絕緣軌道,由半徑為R處于豎直平面內的光滑半圓環(huán)A1B1、A2B2和粗糙的水平軌道C1A1、C2A2組成,粗糙的水平軌道長為S,整個軌道對稱。在導軌頂端垂直于導軌放一根質量為m、電阻不計的金屬棒MN,使其從靜止開始自由下滑,不考慮金屬棒MN經過接點A、C處時機械能的損失,整個運動過程中金屬棒始終保持水平,水平導軌與金屬棒MN之間的動摩擦因數為µ。求:

(1)金屬棒MN在傾斜導軌CD上運動的過程中,電阻R0上產生的熱量Q為多少?

(2)為了金屬棒MN能到達光滑半圓環(huán)B1B2點,可變電阻R0應滿足什么條件?

(18分)解:由于L足夠長,棒MN在斜導軌上到達C端前已經做勻速直線運動,設勻速運動的速度大小為v,則:

回路電動勢E=Bdv,感應電流為,…2分

對棒由平衡條件有:,所以!2分

根據能量轉化和守恒定律,有:,…3分

所以!3分

(2)若棒能到達B1B2點,設到達B1B2點時的速度為v,對棒由牛頓第二定律有:,解得:!2分

對棒從C1C2到B1B2的過程,由功能關系有:,…3分

解得可變電阻R0應滿足的條件為:!3分

練習冊系列答案
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科目:高中物理 來源: 題型:

(2009?江蘇)如圖所示,兩平行的光滑金屬導軌安裝在一光滑絕緣斜面上,導軌間距為l、足夠長且電阻忽略不計,導軌平面的傾角為α,條形勻強磁場的寬度為d,磁感應強度大小為B、方向與導軌平面垂直.長度為2d的絕緣桿將導體棒和正方形的單匝線框連接在一起組成“”型裝置,總質量為m,置于導軌上.導體棒中通以大小恒為I的電流(由外接恒流源產生,圖中未畫出).線框的邊長為d(d<l),電阻為R,下邊與磁場區(qū)域上邊界重合.將裝置由靜止釋放,導體棒恰好運動到磁場區(qū)域下邊界處返回,導體棒在整個運動過程中始終與導軌垂直.重力加速度為g.
求:(1)裝置從釋放到開始返回的過程中,線框中產生的焦耳熱Q;
(2)線框第一次穿越磁場區(qū)域所需的時間t1;
(3)經過足夠長時間后,線框上邊與磁場區(qū)域下邊界的最大距離Χm

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科目:高中物理 來源: 題型:

(16分)如圖所示,兩平行的光滑金屬導軌安裝在一光滑絕緣斜面上,導軌間距為l、足夠長且電阻忽略不計,導軌平面的傾角為,條形勻強磁場的寬度為d,磁感應強度大小為B、方向與導軌平面垂直。長度為2d的絕緣桿將導體棒和正方形的單匝線框連接在一起組成“”型裝置,總質量為m,置于導軌上。導體棒中通以大小恒為I的電流(由外接恒流源產生,圖中未圖出)。線框的邊長為d(d < l),電阻為R,下邊與磁場區(qū)域上邊界重合。將裝置由靜止釋放,導體棒恰好運動到磁場區(qū)域下邊界處返回,導體棒在整個運動過程中始終與導軌垂直。重力加速度為g。求:

(1)裝置從釋放到開始返回的過程中,線框中產生的焦耳熱Q;

(2)線框第一次穿越磁場區(qū)域所需的時間t1;

(3)經過足夠長時間后,線框上邊與磁場區(qū)域下邊界的最大距離m。

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科目:高中物理 來源: 題型:

(18分)如圖,傾角為θ寬度為d長為L的光滑傾斜導軌C1D1、C2D2頂端接有可變電阻R0,L足夠長,傾斜導軌置于垂直導軌平面斜向左上方的勻強磁場中,磁感應強度為B,C1A1B1、C2A2B2為絕緣軌道,由半徑為R處于豎直平面內的光滑半圓環(huán)A1B1、A2B2和粗糙的水平軌道C1A1、C2A2組成,粗糙的水平軌道長為S,整個軌道對稱。在導軌頂端垂直于導軌放一根質量為m、電阻不計的金屬棒MN,使其從靜止開始自由下滑,不考慮金屬棒MN經過接點A、C處時機械能的損失,整個運動過程中金屬棒始終保持水平,水平導軌與金屬棒MN之間的動摩擦因數為µ。求:

(1)金屬棒MN在傾斜導軌CD上運動的過程中,電阻R0上產生的熱量Q為多少?

(2)為了金屬棒MN能到達光滑半圓環(huán)B1B2點,可變電阻R0應滿足什么條件?

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科目:高中物理 來源:2011年四川省成都七中高考物理二診模擬試卷(四)(解析版) 題型:解答題

如圖所示,兩平行的光滑金屬導軌安裝在一光滑絕緣斜面上,導軌間距為l、足夠長且電阻忽略不計,導軌平面的傾角為α,條形勻強磁場的寬度為d,磁感應強度大小為B、方向與導軌平面垂直.長度為2d的絕緣桿將導體棒和正方形的單匝線框連接在一起組成“”型裝置,總質量為m,置于導軌上.導體棒中通以大小恒為I的電流(由外接恒流源產生,圖中未畫出).線框的邊長為d(d<l),電阻為R,下邊與磁場區(qū)域上邊界重合.將裝置由靜止釋放,導體棒恰好運動到磁場區(qū)域下邊界處返回,導體棒在整個運動過程中始終與導軌垂直.重力加速度為g.
求:(1)裝置從釋放到開始返回的過程中,線框中產生的焦耳熱Q;
(2)線框第一次穿越磁場區(qū)域所需的時間t1
(3)經過足夠長時間后,線框上邊與磁場區(qū)域下邊界的最大距離Χm

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