A. | ab邊剛進(jìn)入磁場時,ab兩端的電勢差為$\frac{3}{4}$BL$\sqrt{2gh}$ | |
B. | ab邊剛進(jìn)入磁場時,線框做加速度向上的勻減速運(yùn)動 | |
C. | ab邊剛進(jìn)入磁場時,線框加速度的大小為$\frac{{B}^{2}{L}^{2}\sqrt{2gh}}{mR}$-g | |
D. | 線框從開始下落到剛穿出磁場的過程中,重力勢能的減小量等于克服安培力所做的功 |
分析 根據(jù)機(jī)械能守恒定律求出線框ab邊進(jìn)入磁場時的速度,線框ab邊進(jìn)入磁場時,切割磁感線產(chǎn)生感應(yīng)電動勢,由E=BLv求出感應(yīng)電動勢,ab相當(dāng)于電源,ab兩端的電勢差即為路端電壓,由歐姆定律求解ab兩端電勢差;ab邊進(jìn)入磁場時做減速運(yùn)動,安培力與速度有關(guān),線框做加速度減小的減速運(yùn)動;根據(jù)牛頓第二定律即可求出ab邊剛進(jìn)入磁場時,線框的加速度;根據(jù)能量守恒定律知,線框從開始下落到剛穿出磁場的過程中,重力勢能的減小量等于克服安培力做的功和增加的動能
解答 解:A、根據(jù)機(jī)械能守恒定律,有ab邊剛進(jìn)入磁場時的速度為${v}_{0}^{\;}$
$mgh=\frac{1}{2}m{v}_{0}^{2}$,得${v}_{0}^{\;}=\sqrt{2gh}$
ab邊剛進(jìn)入磁場時,ab邊切割磁感線產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢為$E=BLv=BL\sqrt{2gh}$
ab兩端的電勢差為$U=I•\frac{3}{4}R=\frac{E}{R}•\frac{3}{4}R=\frac{3}{4}E=\frac{3}{4}BL\sqrt{2gh}$,故A正確;
B、根據(jù)題意,線框的ab邊剛進(jìn)入磁場時和剛穿出磁場時的速度相同,可知ab邊進(jìn)入磁場先做減速運(yùn)動,加速度向上,因?yàn)榘才嗔﹄S速度變化而變化,所以加速度隨速度而變化,根據(jù)牛頓第二定律知,${F}_{A}^{\;}-mg=ma$,即$B\frac{BLv}{R}L-mg=ma$,速度減小,加速度減小,所以ab邊剛進(jìn)入磁場時,線框做加速度向上且加速度減小的減速運(yùn)動,故B錯誤;
C、線框剛進(jìn)入磁場時,感應(yīng)電流$I=\frac{E}{R}=\frac{BL\sqrt{2gh}}{R}$
安培力${F}_{A}^{\;}=BIL=\frac{{B}_{\;}^{2}{L}_{\;}^{2}\sqrt{2gh}}{R}$
根據(jù)牛頓第二定律,有${F}_{A}^{\;}-mg=ma$
解得:$a=\frac{{B}_{\;}^{2}{L}_{\;}^{2}\sqrt{2gh}}{mR}-g$,故C正確;
D、根據(jù)動能定理知,線框從開始下落到穿出磁場的過程中,重力勢能的減少量等于克服安培力做的功和增加的動能之和,故D錯誤;
故選:AC
點(diǎn)評 考查能量轉(zhuǎn)化與守恒定律、牛頓第二定律及切割感應(yīng)電動勢與安培力的表達(dá)式,注意學(xué)會運(yùn)動與受力的分析,知道切割磁感線的導(dǎo)體相當(dāng)于電源,注意分清內(nèi)外電路.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 電流表A1與A2示數(shù)的比值將變小 | |
B. | 電壓表V1與電流表A1示數(shù)的比值變小 | |
C. | 電壓表V2與電流表A2示數(shù)的比值變大 | |
D. | 電流表A1的示數(shù)變化量一定小于電流表A2的示數(shù)變化量 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | $\sqrt{\frac{2L}{μg}}$ | B. | $\frac{2L}{v}$ | C. | $\frac{L}{v}$+$\frac{v}{2μg}$ | D. | $\frac{L}{v}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | $\frac{mgtanθ}{IL}$ | B. | $\frac{mgsinθ}{IL}$ | C. | $\frac{mgsinθ}{2IL}$ | D. | $\frac{2mgsinθ}{3IL}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 盤中的感應(yīng)電流從b→O | |
B. | b點(diǎn)的電勢高于O點(diǎn)的電勢 | |
C. | 整個盤面都有磁場通過,磁通量不變,電阻R中無感應(yīng)電流 | |
D. | 所加磁場越強(qiáng),圓盤越易停止轉(zhuǎn)動 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 小球以后將向右做平拋運(yùn)動 | |
B. | 小球以后將做自由落體運(yùn)動 | |
C. | 此過程小球?qū)π≤囎龅墓?\frac{{{mv}_{0}}^{2}}{2}$ | |
D. | 小球在弧形槽內(nèi)上升的最大高度為$\frac{{{v}_{0}}^{2}}{4g}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 如果AB車內(nèi)表面光滑,整個系統(tǒng)任何時刻機(jī)械能都守恒 | |
B. | 整個系統(tǒng)任何時刻動量都守恒 | |
C. | 當(dāng)木塊對地運(yùn)動速度為v時,小車對地運(yùn)動速度為$\frac{m}{M}$v | |
D. | 整個系統(tǒng)最后靜止 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 力的單位牛頓是國際單位制的基本單位之一 | |
B. | 天然放射現(xiàn)象中β射線的實(shí)質(zhì)是電子,來源于核外電子 | |
C. | 奧斯特發(fā)現(xiàn)了通電導(dǎo)線周圍存在磁場 | |
D. | 英國物理學(xué)家湯姆孫通過研究陰極射線發(fā)現(xiàn)了電子,并提出了原子的核式結(jié)構(gòu) |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 一點(diǎn)電荷分別處于電場中的A、B兩點(diǎn),電荷受到的電場力更大的地方,場強(qiáng)也更大 | |
B. | 在負(fù)點(diǎn)電荷激發(fā)的電場中,越靠近點(diǎn)電荷的地方,場強(qiáng)越小 | |
C. | 在電場強(qiáng)度的定義式E=$\frac{F}{q}$中,q是指產(chǎn)生電場的電荷 | |
D. | 一檢驗(yàn)電荷在以一個點(diǎn)電荷為球心,半徑為r的球面上各點(diǎn)所受電場力相同 |
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