(2013湖北省襄陽市3月質(zhì)檢) 如圖所示,在直角坐標xOy平面y軸左側(cè)(含y軸)有一沿y軸負向的勻強電場,一質(zhì)量為m,電量為q的帶正電粒子從x軸上P處以速度v0沿x軸正向進入電場,從y軸上Q點離開電場時速度方向與y軸負向夾角=30°,Q點坐標為(0,-d),在y軸右側(cè)有一與坐標平面垂直的有界勻強磁場區(qū)域(圖中未畫出),磁場磁感應(yīng)強度大小,粒子能從坐標原點O沿x軸負向再進入電場.不計粒子重力,求:

(1)電場強度大小E;

(2)如果有界勻強磁場區(qū)域為半圓形,求磁場區(qū)域的最小面積;

(3)粒子從P點運動到O點的總時間.

若半圓形磁場區(qū)域的面積最小,則半圓形磁場區(qū)域的圓心為

可得半徑(2分)半圓形磁場區(qū)域的最小面積(1分)

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(2013湖北省襄陽市3月質(zhì)檢)如圖,截面為等腰三角形的棱鏡,頂角A=120°.一束平行底邊的光從側(cè)面中點射入,經(jīng)底邊反射后,從另一側(cè)面射出。

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②如果光從另一側(cè)面中點射出,則棱鏡材料的折射率n=?

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A.初始速度為                   

B.初始速度為

C.O點的曲率半徑為k               

D.O點的曲率半徑為2k

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A. 電流表A示數(shù)變化相等

B. 電壓表V2的示數(shù)變化不相等

C. 電阻R1的功率變化相等

D. 電源的輸出功率均不斷增大

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