分析 (1)電子在磁場中做勻速圓周運(yùn)動,根據(jù)時間與周期的關(guān)系求得軌跡對應(yīng)的圓心角,由洛侖茲力提供向心力得到軌跡半徑,再由幾何關(guān)系求解磁場的寬度d.
(2)電子恰好不從EF邊穿出磁場,其軌跡應(yīng)和CD相切,得到半徑,求出速度大小,再由動能定理求加速電壓U.
(3)若要電子穿過ABCD區(qū)域的時間最短,則需要電子對稱地穿過ABCD區(qū)域,作圖軌跡,得到電子在兩區(qū)域的半徑關(guān)系,由軌跡的圓心角求解時間值.
解答 解:(1)電子在每一磁場中運(yùn)動的時間為t1=$\frac{t}{2}$=$\frac{πm}{4eB}$=$\frac{T}{8}$
故電子的在磁場中轉(zhuǎn)過$\frac{π}{4}$
電子在磁場中運(yùn)動時,洛侖茲力提供向心力,即evB=m$\frac{{v}_{0}^{2}}{r}$
由圖可知 d=rsin45°
解得 d=$\frac{\sqrt{2}m{v}_{0}}{2eB}$
(2)若電子恰好不從EF邊穿出磁場,電子應(yīng)和CD相切,在ABCD區(qū)域中轉(zhuǎn)半圈后從AB邊離開磁場,設(shè)此時對應(yīng)的電壓為U,電子進(jìn)入磁場時的速度為v,則
evB=m$\frac{{v}^{2}}{R}$
由幾何關(guān)系有 R=d
電子在加速電場中運(yùn)動時,由動能定理有
eU=$\frac{1}{2}m{v}^{2}$
解得 U=$\frac{m{v}_{0}^{2}}{4e}$
(3)若要電子穿過ABCD區(qū)域的時間最短,則需要電子對稱地穿過ABCD區(qū)域,作圖
電子在兩區(qū)域的半徑關(guān)系 r2=2r1=2$\frac{mv}{e•2B}$=$\frac{mv}{eB}$
由sinθ=$\fracxxrbt0v{2{r}_{1}}$
解得 θ=45°
第一段時間 t1=$\frac{2θ}{2π}$T=$\frac{πm}{4eB}$
在區(qū)域CDEF中的圓心必在EF邊上(如圖內(nèi)錯角)Φ=θ
第二段時間 t2=$\frac{Φ}{2π}$T′=$\frac{πm}{4eB}$
通過兩場的總時間t=t1+t2=$\frac{πm}{2eB}$
答:
(1)每一磁場的寬度d為$\frac{\sqrt{2}m{v}_{0}}{2eB}$;
(2)若要保證電子能夠從磁場右邊界EF穿出,加速度電壓U至少應(yīng)大于$\frac{m{v}_{0}^{2}}{4e}$.
(3)電子穿過兩區(qū)域的時間為$\frac{πm}{2eB}$.
點(diǎn)評 帶電粒子在磁場中運(yùn)動問題,關(guān)鍵要定圓心、定半徑,畫軌跡,運(yùn)用幾何知識求軌跡半徑.對于時間常常根據(jù)軌跡的圓心角求解.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 從A到O的過程中a一定先增大后減小,從O到A′的過程中a一定先減小后增大 | |
B. | 從A到O的過程中EpG小于零,從O到A′的過程中EpG大于零 | |
C. | 從A到O的過程中E隨位移增大均勻減小,從O到A′的過程中E隨位移增大均勻增大 | |
D. | 從A到O的過程中EpE隨位移增大非均勻增大,從O到A′的過程中EpE隨位移增大非均勻減小 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 增大入射光的強(qiáng)度,光電流增大 | |
B. | 減小入射光的強(qiáng)度,光電效應(yīng)現(xiàn)象消失 | |
C. | 改用頻率小于ν的光照射,一定不發(fā)生光電效應(yīng) | |
D. | 改用頻率大于ν的光照射,光電子的最大初動能變大 | |
E. | 此時如果加的是反向電壓增大,則電流可能為零 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | a光的頻率更大 | |
B. | 在增大電壓U時,光電流一定都會增大 | |
C. | 照射該光電管時a光單位時間發(fā)生的光電子數(shù)多 | |
D. | 照射該光電管時b光使其逸出的光電子最大初動能大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 它們做圓周運(yùn)動的萬有引力保持不變 | |
B. | 它們做圓周運(yùn)動的角速度不變 | |
C. | 體積較大星體圓周運(yùn)動軌跡半徑不變,線速度也不變 | |
D. | 體積較大星體圓周運(yùn)動軌跡半徑變大,線速度變小 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 引力常量G、靜電力常量K、真空中光速с,元電荷e等物理常數(shù)是一個固定的數(shù)值與任何的因素都無關(guān) | |
B. | 電阻率是反映材料導(dǎo)電性能的物理量,僅與材料種類有關(guān),與溫度、壓力和磁場等外界因素?zé)o關(guān) | |
C. | 自感系數(shù)是表示線圈產(chǎn)生自感能力的物理量,跟線圈的形狀、長短、匝數(shù)、電流變化快慢以及是否有鐵芯等因素有關(guān) | |
D. | 電容是表征電容器容納電荷本領(lǐng)的物理量.由C=$\frac{Q}{U}$可知電容的大小是由Q(帶電量)或U(電壓)決定的 |
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