【題目】如圖所示,上下開口、內(nèi)壁光滑的銅管P和塑料管Q豎直放置,小磁塊先后在兩管中從相同高度處由靜止釋放,并落至底部,則小磁塊( )
A.在P和Q中都做自由落體運(yùn)動
B.在兩個下落過程中的機(jī)械能都守恒
C.在P中的下落時間比在Q中的長
D.落至底部時在P中的速度比在Q中的大
【答案】C
【解析】解:A、當(dāng)小磁塊在光滑的銅管P下落時,由于穿過銅管的磁通量變化,導(dǎo)致銅管產(chǎn)生感應(yīng)電流,因磁場,從而產(chǎn)生安培阻力,而對于塑料管內(nèi)小磁塊沒有任何阻力,在做自由落體運(yùn)動,故A錯誤;
B、由A選項(xiàng)分析可知,在銅管的小磁塊機(jī)械能不守恒,而在塑料管的小磁塊機(jī)械能守恒,故B錯誤;
C、在銅管中小磁塊受到安培阻力,則在P中的下落時間比在Q中的長,故C正確;
D、根據(jù)動能定理可知,因安培阻力,導(dǎo)致產(chǎn)生熱能,則至底部時在P中的速度比在Q中的小,故D錯誤.
故選:C.
當(dāng)小磁塊在光滑的銅管P下落時,由于穿過銅管的磁通量變化,導(dǎo)致銅管產(chǎn)生感應(yīng)電流,因磁場,從而產(chǎn)生安培阻力,對于塑料管沒有任何阻礙,從而即可求解.
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示的真空空間中,僅在正方體中的黑點(diǎn)處存在著電荷量大小相等的點(diǎn)電荷,則圖中a,b兩點(diǎn)電場強(qiáng)度和電勢均相同的是( )
A.
B.
C.
D.
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示,虛線a、b、c代表電場中的三個等勢面,相鄰等勢面之間的電勢差相等,即Uab=Ubc , 實(shí)線為一帶負(fù)電的質(zhì)點(diǎn)僅在電場力作用下通過該區(qū)域時的運(yùn)動軌跡,P、R、Q是這條軌跡上的三點(diǎn),R點(diǎn)在等勢面b上,據(jù)此可知( )
A.帶電質(zhì)點(diǎn)在P點(diǎn)的加速度比在Q點(diǎn)的加速度小
B.帶電質(zhì)點(diǎn)在P點(diǎn)的電勢能比在Q點(diǎn)的小
C.帶電質(zhì)點(diǎn)在P點(diǎn)的動能大于在Q點(diǎn)的動能
D.三個等勢面中,c的電勢最高
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【題目】如圖所示,在粗糙水平地面上放著一個截面為四分之一圓弧的柱狀物體A,A的左端緊靠豎直墻,A與豎直墻壁之間放一光滑球B,整個裝置處于靜止?fàn)顟B(tài).若把A向右移動少許后,它們?nèi)蕴幱陟o止?fàn)顟B(tài),則( )
A. B對墻的壓力減小 B. A與B之間的作用力增大
C. 地面對A的摩擦力減小 D. A對地面的壓力不變
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【題目】一質(zhì)點(diǎn)做直線運(yùn)動在0~4s內(nèi)的v-t圖像如圖所示,下列說法正確的是
A. 前3s內(nèi)的平均速度大于第4s內(nèi)的平均速度
B. 前3s內(nèi)的平均速度等于第2s末的瞬時速度
C. 前3s內(nèi)的位移和前4s內(nèi)的位移大小之比為3∶4
D. 前3s內(nèi)的加速度和第4s內(nèi)的加速度大小之比為1∶3
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【題目】如圖所示,質(zhì)量為m、帶電量為+q的滑塊,絕緣斜面勻速下滑,當(dāng)滑塊滑至豎直向下勻強(qiáng)電場區(qū)時,滑塊運(yùn)動的狀態(tài)為( )
A.繼續(xù)勻速下滑
B.將加速下滑
C.將減速下滑
D.上述三種情況都可能發(fā)生
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示,一定質(zhì)量的理想氣體從狀態(tài)A依次經(jīng)過狀態(tài)B、C和D后再回到狀態(tài)A.其中,A→B和C→D為等溫過程,B→C和D→A為絕熱過程(氣體與外界無熱量交換).這就是著名的“卡諾循環(huán)”.該循環(huán)過程中,下列說法正確的是( )
A.A→B過程中,外界對氣體做功
B.B→C過程中,氣體分子的平均動能減小
C.C→D過程中,單位時間內(nèi)碰撞單位面積器壁的分子數(shù)增多
D.D→A過程中,氣體分子的速率分布曲線不發(fā)生變化
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