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3v0 |
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2Bv0 |
科目:高中物理 來源: 題型:
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科目:高中物理 來源:2011年普通高等學校招生全國統(tǒng)一考試物理卷(北京) 題型:計算題
利用電場和磁場,可以將比荷不同的離子分開,這種方法在化學分析和原子核技術等領域有重要的應用。
如圖所示的矩形區(qū)域ABCD(AC邊足夠長)中存在垂直于紙面的勻強磁場,A處有一狹縫。離子源產(chǎn)生的離子,經(jīng)靜電場加速后穿過狹縫沿垂直于GA邊且垂于磁場的方向射入磁場,運動到GA邊,被相應的收集器收集,整個裝置內(nèi)部為真空。
已知被加速度的兩種正離子的質(zhì)量分別是和,電荷量均為。加速電場的電勢差為U,離子進入電場時的初速度可以忽略,不計重力,也不考慮離子間的相互作用。
(1)求質(zhì)量為的離子進入磁場時的速率;
(2)當感應強度的大小為B時,求兩種離子在GA邊落點的間距s;
(3)在前面的討論中忽略了狹縫寬度的影響,實際裝置中狹縫具有一定寬度。若狹縫過寬,可能使兩束離子在GA邊上的落點區(qū)域受疊,導致兩種離子無法完全分離。
設磁感應強度大小可調(diào),GA邊長為定值L,狹縫寬度為d,狹縫右邊緣在A處;離子可以從狹縫各處射入磁場,入射方向仍垂直于GA邊且垂直于磁場。為保證上述兩種離子能落在GA邊上并被完全分離,求狹縫的最大寬度。
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科目:高中物理 來源: 題型:
利用電場和磁場,可以將比荷不同的離子分開,這種方法在化學分析和原子核技術等領域有重要的應用。
如圖所示的矩形區(qū)域ACDG(AC邊足夠長)中存在垂直于紙面的勻強磁場,A處有一狹縫。離子源產(chǎn)生的離子,經(jīng)靜電場加速后穿過狹縫沿垂直于GA邊且垂直于磁場的方向射入磁場,運動到GA邊,被相應的收集器收集。整個裝置內(nèi)部為真空。
已知被加速的兩種正離子的質(zhì)量分別是m1和m2(m1>m2),電荷量均為q。加速電場的電勢差為U,離子進入電場時的初速度可以忽略。不計重力,也不考慮離子間的相互作用。
(1)求質(zhì)量為m1的離子進入磁場時的速率v1;
(2)當磁感應強度的大小為B時,求兩種離子在GA邊落點的間距s;
(3)在前面的討論中忽略了狹縫寬度的影響,實際裝置中狹縫具有一定寬度。若狹縫過寬,
可能使兩束離子在GA邊上的落點區(qū)域交疊,導致兩種離子無法完全分離。
設磁感應強度大小可調(diào),GA邊長為定值L,狹縫寬度為d,狹縫右邊緣在A處。離子可以從狹縫各處射入磁場,入射方向仍垂直于GA邊且垂直于磁場。為保證上述兩種離子能落在GA邊上并被完全分離,求狹縫的最大寬度。
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科目:高中物理 來源:2011-2012學年河北省唐山市豐南一中高三(上)周考物理試卷(四)(解析版) 題型:解答題
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科目:高中物理 來源:2011年北京市高考物理試卷(解析版) 題型:解答題
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