A. | 使電子一個(gè)一個(gè)地穿過(guò)薄晶片再射到熒光屏上,電子可能繞射到晶片的幾何陰影區(qū)內(nèi) | |
B. | 使電子一個(gè)一個(gè)地穿過(guò)薄晶片再射到熒光屏上,在熒光屏上可能看到電子的衍射圖樣 | |
C. | 使電子一個(gè)一個(gè)地穿過(guò)薄晶片再射到熒光屏上,在熒光屏上只能是一個(gè)個(gè)隨機(jī)的亮斑 | |
D. | 使電子一個(gè)一個(gè)地穿過(guò)薄晶片再射到照相底片上,在照相底片上可能得到電子的衍射圖樣 |
分析 光的波粒二象性是指光既具有波動(dòng)性又有粒子性,少量粒子體現(xiàn)粒子性,大量粒子體現(xiàn)波動(dòng)性.
解答 解:AB.使電子一個(gè)一個(gè)地穿過(guò)薄晶片再射到射到熒光屏上,如果時(shí)間足夠長(zhǎng),熒光屏上中央到達(dá)的機(jī)會(huì)最多,其它地方機(jī)會(huì)較少.因此會(huì)出現(xiàn)衍射圖樣,電子可能繞射到晶片的幾何陰影區(qū)內(nèi),故AB正確;
C.單個(gè)電子通過(guò)單縫后打在熒光屏的情況呈現(xiàn)出隨機(jī)性,大量電子通過(guò)單縫后打在熒光屏上的情況呈現(xiàn)出規(guī)律性.所以少量電子體現(xiàn)粒子性,大量電子體現(xiàn)波動(dòng)性,故C錯(cuò)誤;
D.使電子一個(gè)一個(gè)地穿過(guò)薄晶片再射到照相底片上,如果時(shí)間足夠長(zhǎng),底片上中央到達(dá)的機(jī)會(huì)最多,其它地方機(jī)會(huì)較少.因此會(huì)出現(xiàn)衍射圖樣,故D正確.
故選:ABD.
點(diǎn)評(píng) 在宏觀世界里找不到既有粒子性又有波動(dòng)性的物質(zhì),同時(shí)波長(zhǎng)長(zhǎng)的可以體現(xiàn)波動(dòng)性,波長(zhǎng)短可以體現(xiàn)粒子性.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 月球的質(zhì)量 | |
B. | 月球的密度 | |
C. | 嫦娥四號(hào)在軌道1上做圓周運(yùn)動(dòng)的加速度 | |
D. | 嫦娥四號(hào)在軌道2上受到的月球?qū)λ囊Υ笮?/td> |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | A對(duì)B一定沒(méi)有彈力 | B. | A和B都只受到重力 | ||
C. | A和B都受到墻邊給的彈力 | D. | A和B都受到墻邊給的摩擦力 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | γ射線可以用于防偽鑒別工作 | |
B. | 紫外線可以改變基因培育優(yōu)良品種 | |
C. | X射線可以用于機(jī)場(chǎng)檢查箱內(nèi)的物品 | |
D. | 微波可以測(cè)量鋼板厚度 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 氣體的溫度一直降低 | B. | 氣體的密度一直變小 | ||
C. | 氣體的內(nèi)能一直變大 | D. | 氣體一直對(duì)外界做功 | ||
E. | 氣體一直向外界散熱 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 過(guò)河最短時(shí)間為33.3s | B. | 過(guò)河最短時(shí)間為25s | ||
C. | 過(guò)河位移最短所用的時(shí)間是12.5s | D. | 過(guò)河位移最短所用的時(shí)間是25s |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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