圖是某裝置的垂直截面圖,虛線A1A2是垂直截面與磁場(chǎng)區(qū)邊界面的交線,勻強(qiáng)磁場(chǎng)分布在A1A2的右側(cè)區(qū)域,磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.4T,方向垂直紙面向外,A1A2與垂直截面上的水平線夾角為45°。在A1A2左側(cè),固定的薄板和等大的擋板均水平放置,它們與垂直截面交線分別為S1S2,相距L=0.2 m。在薄板上P處開一小孔,PA1A2線上點(diǎn)D的水平距離為L。在小孔處裝一個(gè)電子快門。起初快門開啟,一旦有帶正電微粒通過小孔,快門立即關(guān)閉,此后每隔T=3.0×10-3 s開啟一次并瞬間關(guān)閉。從S1S2之間的某一位置水平發(fā)射一速度為v0的帶正電微粒,它經(jīng)過磁場(chǎng)區(qū)域后入射到P處小孔。通過小孔的微粒與檔板發(fā)生碰撞而反彈,反彈速度大小是碰前的0.5倍。
⑴經(jīng)過一次反彈直接從小孔射出的微粒,其初速度v0應(yīng)為多少?
⑵求上述微粒從最初水平射入磁場(chǎng)到第二次離開磁場(chǎng)的時(shí)間。(忽略微粒所受重力影響,碰撞過程無(wú)電荷轉(zhuǎn)移。已知微粒的荷質(zhì)比。只考慮紙面上帶電微粒的運(yùn)動(dòng))
解:⑴如圖2所示,設(shè)帶正電微粒在S1S2之間任意點(diǎn)Q以水平速度v0進(jìn)入磁場(chǎng),微粒受到的洛侖茲力為f,在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑為r,有:解得:欲使微粒能進(jìn)入小孔,半徑r的取值范圍為: 代入數(shù)據(jù)得:80 m/s<v0<160 m/s欲使進(jìn)入小孔的微粒與擋板一次相碰返回后能通過小孔,還必須滿足條件:其中n=1,2,3,……可知,只有n=2滿足條件,即有:v0=100 m/s⑵設(shè)微粒在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的周期為T0,從水平進(jìn)入磁場(chǎng)到第二次離開磁場(chǎng)的總時(shí)間為t,設(shè)t1、t4分別為帶電微粒第一次、第二次在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間,第一次離開磁場(chǎng)運(yùn)動(dòng)到擋板的時(shí)間為t2,碰撞后再返回磁場(chǎng)的時(shí)間為t3,運(yùn)動(dòng)軌跡如答圖2所示,則有:; ; ; ; s
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

(07年廣東卷)如圖所示是某裝置的垂直截面圖,虛線A1A2是垂直截面與磁場(chǎng)區(qū)邊界面的交線,勻強(qiáng)磁場(chǎng)分布在A1A2的右側(cè)區(qū)域,磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.4T,方向垂直紙面向外,A1A2與垂直截面上的水平線夾角為450。在A1A2左側(cè),固定的薄板和等大的擋板均水平放置,它們與垂直截面交線分別為S1、S2,相距L=0.2m.。在薄板上P處開一個(gè)小孔,P與A1A2線上點(diǎn)D的水平距離為L(zhǎng)。在小孔處裝一個(gè)電子快門。起初快門開啟,一旦有帶正電微粒剛通過小孔,快門立即關(guān)閉。此后每隔T=開啟一次并瞬間關(guān)閉。從S1S2之間的某一位置水平發(fā)射一速度為的帶電微粒,它經(jīng)過磁場(chǎng)區(qū)域后入射到P處小孔。通過小孔的微粒與擋板發(fā)生碰撞而反彈,反彈速度大小是碰前的0.5倍。

    (1)經(jīng)過一次反彈直接從小孔射出的微粒,其初速度應(yīng)為多少?

    (2)求上述微粒從最初水平射入磁場(chǎng)到第二次離開磁場(chǎng)的時(shí)間。(忽略微粒所受重力影響,碰撞過程無(wú)電荷轉(zhuǎn)移。已知微粒的荷質(zhì)比。只考慮紙面上帶電微粒的運(yùn)動(dòng)。)

 

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示是某裝置的垂直截面圖,虛線A1A2是垂直截面與磁場(chǎng)區(qū)邊界面的交線,勻強(qiáng)磁場(chǎng)分布在A1A2的右側(cè)區(qū)域,磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.4T,方向垂直紙面向外,A1A2與垂直截面上的水平線夾角為450。在A1A2左側(cè),固定的薄板和等大的擋板均水平放置,它們與垂直截面交線分別為S1、S2,相距L=0.2m.。在薄板上P處開一個(gè)小孔,P與A1A2線上點(diǎn)D的水平距離為L(zhǎng)。在小孔處裝一個(gè)電子快門。起初快門開啟,一旦有帶正電微粒剛通過小孔,快門立即關(guān)閉。此后每隔T=開啟一次并瞬間關(guān)閉。從S1S2之間的某一位置水平發(fā)射一速度為的帶電微粒,它經(jīng)過磁場(chǎng)區(qū)域后入射到P處小孔。通過小孔的微粒與擋板發(fā)生碰撞而反彈,反彈速度大小是碰前的0.5倍。

    (1)經(jīng)過一次反彈直接從小孔射出的微粒,其初速度應(yīng)為多少?

    (2)求上述微粒從最初水平射入磁場(chǎng)到第二次離開磁場(chǎng)的時(shí)間。(忽略微粒所受重力影響,碰撞過程無(wú)電荷轉(zhuǎn)移。已知微粒的荷質(zhì)比。只考慮紙面上帶電微粒的運(yùn)動(dòng)。)

   

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科目:高中物理 來(lái)源:2012-2013學(xué)年陜西省五校高三第三次模擬考試物理試卷(解析版) 題型:計(jì)算題

下圖是某裝置的垂直截面圖,虛線A1A2是垂直截面與磁場(chǎng)區(qū)邊界面的交線,勻強(qiáng)磁場(chǎng)分布在A1A2的右側(cè)區(qū)域,磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.4 T,方向垂直紙面向外,A1A2與垂直截面上的水平線夾角為45°。A1A2在左側(cè),固定的薄板和等大的擋板均水平放置,它們與垂直截面交線分別為S1、S2,相距L=0.2 m。在薄板上P處開一小孔,P與A1A2線上點(diǎn)D的水平距離為L(zhǎng)。在小孔處裝一個(gè)電子快門。起初快門開啟,一旦有帶正電微粒通過小孔,快門立即關(guān)閉,此后每隔T=3.0×10-3s開啟一此并瞬間關(guān)閉。從S1S2之間的某一位置水平發(fā)射一速度為v0的帶正電微粒,它經(jīng)過磁場(chǎng)區(qū)域后入射到P處小孔。通過小孔的微粒與檔板發(fā)生碰撞而反彈,反彈速度大小是碰前的0.5倍。

(1)經(jīng)過一次反彈直接從小孔射出的微粒,其初速度v0應(yīng)為多少?

(2)求上述微粒從最初水平射入磁場(chǎng)到第二次離開磁場(chǎng)的時(shí)間。(忽略微粒所受重力影響,碰撞過程無(wú)電荷轉(zhuǎn)移。已知微粒的荷質(zhì)比C/kg。只考慮紙面上帶電微粒的運(yùn)動(dòng))

 

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

20.圖17是某裝置的垂直截面圖,虛線A1A2是垂直截面與磁場(chǎng)區(qū)邊界面的交線,勻強(qiáng)磁場(chǎng)分布在A1A2的右側(cè)區(qū)域,磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.4T,方向垂直紙面向外,A1A2的垂直截面上的水平線夾角為45°,在A1A2左側(cè),固定的薄板和等大的擋板均水平放置,它們與垂直截面交線分別為S1、S2,相距L=0.2m.在薄板上P處開一小孔,P與A1A2線上點(diǎn)D的水平距離為L(zhǎng).在小孔處裝一個(gè)電子快門,起初快門開啟,一旦有帶正電微粒剛通過小孔,快門立即關(guān)閉,此后每隔T=3.0×10-3開啟一次并瞬間關(guān)閉.從S1S2之間的某一位置水平發(fā)射一速度為v0的帶正電微粒,它經(jīng)過磁場(chǎng)區(qū)域后入射到P處小孔.通過小孔的微粒與擋板發(fā)生碰撞而反彈,反彈速度大小是碰前的0.5倍.

(1)經(jīng)過一次反彈直接從小孔射出的微粒,其初速度v0應(yīng)為多少?

(2)求上述微粒從最初水平射入磁場(chǎng)到第二次離開磁場(chǎng)的時(shí)間.

(忽略微粒所受重力影響,碰撞過程無(wú)電荷轉(zhuǎn)移,已知微粒的荷質(zhì)比1.0×103C/kg.只考慮紙面上帶電微粒的運(yùn)動(dòng))

圖17

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