如題25圖,離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速電場加速后勻速通過準(zhǔn)直管,垂直射入勻強偏轉(zhuǎn)電場,偏轉(zhuǎn)后通過極板HM上的小孔S離開電場,經(jīng)過一段勻速直線運動,垂直于邊界MN進入磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場。已知HO=d,HS=2d,=90°。(忽略粒子所受重力)
(1)求偏轉(zhuǎn)電場場強E0的大小以及HM與MN的夾角φ;
(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑;
(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點S1處,質(zhì)量為16m的離子打在S2處。求S1和S2之間的距離以及能打在NQ上的正離子的質(zhì)量范圍。
見解析
(1)
正離子被電壓為U0的加速電場加速后速度設(shè)為V1,設(shè)
對正離子,應(yīng)用動能定理有eU0=mV12,
正離子垂直射入勻強偏轉(zhuǎn)電場,作類平拋運動
受到電場力F=qE0、產(chǎn)生的加速度為a=,即a=,
垂直電場方向勻速運動,有2d=V1t,
沿場強方向:Y=at2,
聯(lián)立解得E0=
又tanφ=,解得φ=45°;
(2)
正離子進入磁場時的速度大小為V2=,
解得V2=
正離子在勻強磁場中作勻速圓周運動,由洛侖茲力提供向心力,qV2B=,
解得離子在磁場中做圓周運動的半徑R=2;
(3)根據(jù)R=2可知,
質(zhì)量為4m的離子在磁場中的運動打在S1,運動半徑為R1=2,
質(zhì)量為16m的離子在磁場中的運動打在S2,運動半徑為R2=2,
又ON=R2-R1,
由幾何關(guān)系可知S1和S2之間的距離ΔS=-R1,
聯(lián)立解得ΔS=4(-);
由R′2=(2 R1)2+( R′-R1)2解得R′=R1,
再根據(jù)R1<R<R1,
解得m<mx<25m。
科目:高中物理 來源: 題型:
(15分)在題圖1所示的裝置中,粒子源A產(chǎn)生的初速為零、比荷為的正離子沿軸線進入一系列共軸且長度依次增加的金屬圓筒,奇數(shù)和偶數(shù)筒分別連接在周期為T、最大值為U0的矩形波電源兩端,電源波形如題25圖2所示,離子在每個圓筒內(nèi)做勻速直線運動的時間等于交變電源的半個周期,在相鄰兩筒之間受電場力作用被加速(加速時間不計).離子離開最后一個圓筒后垂直于邊OE進入磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場,最后從 OF邊出射.(不計離子所受重力)
(1)求離子在第一個金屬筒內(nèi)的速率.
(2)求離子在第n個筒內(nèi)的速率及第n個筒的長度.
(3)若有N個金屬筒,求離子在磁場中做圓周運動的半徑.
(4)若比荷為的離子垂直于OF邊出射,要使比荷為的離子也能垂直于OF邊出射,求電源電壓最
大值的改變量以及磁感應(yīng)強度的改變量.
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科目:高中物理 來源: 題型:
某人設(shè)計了一種質(zhì)量選擇器,其原理如題25圖.正離子源A產(chǎn)生的離子被電壓為U的電場加速后進入準(zhǔn)直管,然后沿中線垂直射入勻強電場,偏轉(zhuǎn)后通過極板HM上的小孔S離開電場,經(jīng)過一段勻速直線運動,垂直于邊界MN的中點K進入恒定勻強磁場,然后在邊界NQ出射并可在整個 NQ邊界收集離子,磁場方向垂直紙面向外,=d1,=d2,。若要使從A出來的初速為零的一價正離子從S處射出,并能按上述方式進入磁場(忽略離子所
受重力),
(1)求偏轉(zhuǎn)電場電壓U;
(2)求HM與MN的夾角Φ;
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科目:高中物理 來源: 題型:
某人設(shè)計了一種質(zhì)量選擇器,其原理如題25圖.正離子源A產(chǎn)生的離子被電壓為U的電場加速后進入準(zhǔn)直管,然后沿中線垂直射入勻強電場,偏轉(zhuǎn)后通過極板HM上的小孔S離開電場,經(jīng)過一段勻速直線運動,垂直于邊界MN的中點K進入恒定勻強磁場,然后在邊界NQ出射并可在整個 NQ邊界收集離子,磁場方向垂直紙面向外,=d1,=d2,。若要使從A出來的初速為零的一價正離子從S處射出,并能按上述方式進入磁場(忽略離子所受重力),
(1)求偏轉(zhuǎn)電場電壓U;
(2)求HM與MN的夾角Φ;
(3)若離子源出射的有(質(zhì)量為4u)和(質(zhì)量為16u)兩種離子,且剛好在磁場邊界NQ的中心處S1出射,離子在S2處出射,問S1和S2之間的距離為多大,并討論該儀器能檢驗的離子的質(zhì)量范圍。
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