兩個(gè)正點(diǎn)電荷Ｑ和８Ｑ分別置于固定在光滑絕緣水平面上的Ａ、Ｂ兩點(diǎn)，Ａ、Ｂ相距２Ｒ，且Ａ、Ｂ兩點(diǎn)正好位于水平光滑絕緣半圓細(xì)管的兩個(gè)端點(diǎn)出口處，如圖所示，若把一點(diǎn)電荷放于絕緣管內(nèi)靠近Ａ點(diǎn)處由靜止釋放，則它在管內(nèi)運(yùn)動(dòng)過(guò)程中電勢(shì)能最小的位置為Ｍ，則圖中θ的正切值為　　　　。

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科目：高中物理 來(lái)源：2011-2012學(xué)年浙江省名校新高考研究聯(lián)盟第一次聯(lián)考物理試卷 題型：填空題

兩個(gè)正點(diǎn)電荷Ｑ和８Ｑ分別置于固定在光滑絕緣水平面上的Ａ、Ｂ兩點(diǎn)，Ａ、Ｂ相距２Ｒ，且Ａ、Ｂ兩點(diǎn)正好位于水平光滑絕緣半圓細(xì)管的兩個(gè)端點(diǎn)出口處，如圖所示，若把一點(diǎn)電荷放于絕緣管內(nèi)靠近Ａ點(diǎn)處由靜止釋放，則它在管內(nèi)運(yùn)動(dòng)過(guò)程中電勢(shì)能最小的位置為Ｍ，則圖中θ的正切值為　　　　。

 

 

 

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

兩個(gè)正點(diǎn)電荷Ｑ和８Ｑ分別置于固定在光滑絕緣水平面上的Ａ、Ｂ兩點(diǎn)，Ａ、Ｂ相距２Ｒ，且Ａ、Ｂ兩點(diǎn)正好位于水平光滑絕緣半圓細(xì)管的兩個(gè)端點(diǎn)出口處，如圖所示，若把一點(diǎn)電荷放于絕緣管內(nèi)靠近Ａ點(diǎn)處由靜止釋放，則它在管內(nèi)運(yùn)動(dòng)過(guò)程中電勢(shì)能最小的位置為Ｍ，則圖中θ的正切值為　　　　。

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

兩個(gè)正點(diǎn)電荷Ｑ和８Ｑ分別置于固定在光滑絕緣水平面上的Ａ、Ｂ兩點(diǎn)，Ａ、Ｂ相距２Ｒ，且Ａ、Ｂ兩點(diǎn)正好位于水平光滑絕緣半圓細(xì)管的兩個(gè)端點(diǎn)出口處，如圖所示，若把一點(diǎn)電荷放于絕緣管內(nèi)靠近Ａ點(diǎn)處由靜止釋放，則它在管內(nèi)運(yùn)動(dòng)過(guò)程中電勢(shì)能最小的位置為Ｍ，則圖中θ的正切值為　　　　。

 

 

 

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