(2008?青島二模)如圖所示,A板發(fā)出的電子經(jīng)加速后,水平射入水平放置的兩平行金屬板M、N間,M、N金屬板間所加的電壓為U,電子最終打在光屏P上,關(guān)于電子的運(yùn)動(dòng),則下列說法中正確的是( 。
分析:粒子在電場中加速時(shí),滑動(dòng)觸頭向右移動(dòng)時(shí),加速電壓增大,加速后速度變大,粒子在偏轉(zhuǎn)電場中運(yùn)動(dòng)時(shí)間變短,粒子在平行偏轉(zhuǎn)電場方向的位移減。碛|頭向左移動(dòng)時(shí),加速電壓減小,加速后速度變小,粒子在電場中運(yùn)動(dòng)時(shí)間變長,粒子在平行偏轉(zhuǎn)電場方向的位移增大;當(dāng)加速電壓不變時(shí),偏轉(zhuǎn)電壓變化,影響平行電場方向的電場力的大小,也就是影響加速度的大小,粒子在電場中運(yùn)動(dòng)時(shí)間不變,改變偏轉(zhuǎn)的位移大。
解答:解:由題意知電子在加速電場中加速運(yùn)動(dòng),電子獲得的速度v=
2qU
m
,電子進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場后做類平拋運(yùn)動(dòng),也就是平行電場方向做初速度為0的勻加速直線運(yùn)動(dòng),加速度a=
qU
dm
電子在電場方向偏轉(zhuǎn)的位移y=
1
2
at2
,垂直電場方向做速度v=
2qU
m
的勻速直線運(yùn)動(dòng),粒子在電場中運(yùn)動(dòng)時(shí)間t=
l
v
,又∵偏轉(zhuǎn)電場方向向下,∴電子在偏轉(zhuǎn)電場里向上偏轉(zhuǎn).
A、滑動(dòng)觸頭向右移動(dòng)時(shí),加速電壓變大,所以電子獲得的速度v增加,電子在電場中運(yùn)動(dòng)時(shí)間t=
l
v
減少,故電子偏轉(zhuǎn)位移y=
1
2
at2
變小,因?yàn)殡娮酉蛏掀D(zhuǎn),故在屏上的位置下降,A錯(cuò)誤;
B、滑動(dòng)觸頭向左移動(dòng)時(shí),加速電壓變小,所以電子獲得的速度v減小,電子在電場中運(yùn)動(dòng)時(shí)間t=
l
v
變大,故電子偏轉(zhuǎn)位移y=
1
2
at2
變大,因?yàn)殡娮酉蛏掀D(zhuǎn),故在屏上的位置上升,故B正確;
C、偏轉(zhuǎn)電壓增大時(shí),電子在電場中受到的電場力增大,即電子偏轉(zhuǎn)的加速度a增大,又因?yàn)殡娮荧@得的速度v不變,電子在電場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間不變,a增大電子打在屏上的速度v=
v2+(at)2
,由于加速度a變大時(shí)間不變,故電子打在屏上的速度增大,所以C錯(cuò)誤;
D、偏轉(zhuǎn)電壓增大時(shí),電子在電場中受到電場力增大,即電子偏轉(zhuǎn)的加速度度a增大,又因?yàn)榧铀匐妷翰蛔,電子進(jìn)入電場的速度沒有變化,電子在電場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間t=
l
v
沒有發(fā)生變化,故D正確.
故選BD.
點(diǎn)評(píng):電子在加速電場作用下做加速運(yùn)動(dòng),運(yùn)用動(dòng)能定理可得電子獲得的速度與加速電場大小間的關(guān)系,電子進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場后,做類平拋運(yùn)動(dòng),運(yùn)動(dòng)時(shí)間受電場的寬度和進(jìn)入電場時(shí)的速度所決定,電子在電場方向偏轉(zhuǎn)的距離與時(shí)間和電場強(qiáng)度共同決定.熟練用矢量合成與分解的方法處理類平拋運(yùn)動(dòng)問題.
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(1)求該用電器的額定電流;
(2)若要使該用電器在額定電壓下工作,電路中還需要串聯(lián)一個(gè)阻值多大的電阻?
(提示:串聯(lián)電池組的電動(dòng)勢等于各個(gè)電池的電動(dòng)勢之和;串聯(lián)電池組的內(nèi)阻等于各個(gè)電池內(nèi)阻之和.)

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