電子激光器是利用高速電子束射入方向交替變化的磁場,使電子在磁場中擺動著前進(jìn)而產(chǎn)生激光的一種裝置。在磁場中建立與磁場方向垂直的平面坐標(biāo)系xoy,如圖甲所示。方向交替變化的磁場隨x坐標(biāo)變化的圖線如圖乙所示,每個磁場區(qū)域的寬度均為L= 0.30m,磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B 0 = 3.75×10-4 T,規(guī)定磁場方向垂直紙面向里為正方向。現(xiàn)將初速度為零的電子經(jīng)電壓U = 4.5×103 V的電場加速后,從坐標(biāo)原點(diǎn)沿y軸正方向射入磁場。電子電荷量e為1.6×10-19C,電子質(zhì)量m取9.0×10-31Kg,不計電子的重力,不考慮電子因高速運(yùn)動而產(chǎn)生的影響。求:
(l)電子從坐標(biāo)原點(diǎn)進(jìn)入磁場時速度的大小v
(2)請在答題卡中圖甲的位置畫出x=0至x=4L區(qū)域內(nèi)電子在磁場中運(yùn)動的軌跡,并計算電子通過圖中各磁場區(qū)域邊界時位置的縱坐標(biāo),請在圖中標(biāo)出來
(3)從x=0至x=NL(N為整數(shù))區(qū)域內(nèi)電子運(yùn)動的平均速度的大小
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科目:高中物理 來源: 題型:
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科目:高中物理 來源: 題型:
電子激光器是利用高速電子束射入方向交替變化的磁場,使電子在磁場中擺動著前進(jìn)而產(chǎn)生激光的一種裝置。在磁場中建立與磁場方向垂直的平面坐標(biāo)系xoy,如圖甲所示。方向交替變化的磁場隨x坐標(biāo)變化的圖線如圖乙所示,每個磁場區(qū)域的寬度均為L= 0.30m,磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B 0 = 3.75×10-4 T,規(guī)定磁場方向垂直紙面向里為正方向。現(xiàn)將初速度為零的電子經(jīng)電壓U = 4.5×103 V的電場加速后,從坐標(biāo)原點(diǎn)沿y軸正方向射入磁場。電子電荷量e為1.6×10-19C,電子質(zhì)量m取9.0×10-31Kg,不計電子的重力,不考慮電子因高速運(yùn)動而產(chǎn)生的影響。求:
(l)電子從坐標(biāo)原點(diǎn)進(jìn)入磁場時速度的大小v
(2)請在答題卡中圖甲的位置畫出x=0至x=4L區(qū)域內(nèi)電子在磁場中運(yùn)動的軌跡,并計算電子通過圖中各磁場區(qū)域邊界時位置的縱坐標(biāo),請在圖中標(biāo)出來
(3)從x=0至x=NL(N為整數(shù))區(qū)域內(nèi)電子運(yùn)動的平均速度的大小
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科目:高中物理 來源: 題型:
電子激光器是利用高速電子束射入方向交替變化的磁場,使電子在磁場中擺動著前進(jìn)而產(chǎn)生激光的一種裝置。在磁場中建立與磁場方向垂直的平面坐標(biāo)系xoy,如圖甲所示。方向交替變化的磁場隨x坐標(biāo)變化的圖線如圖乙所示,每個磁場區(qū)域的寬度均為L= 0.30m,磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B 0 = 3.75×10-4 T,規(guī)定磁場方向垂直紙面向里為正方向,F(xiàn)將初速度為零的電子經(jīng)電壓U = 4.5×103 V的電場加速后,從坐標(biāo)原點(diǎn)沿y軸正方向射入磁場。電子電荷量e為1.6×10-19C,電子質(zhì)量m取9.0×10-31Kg,不計電子的重力,不考慮電子因高速運(yùn)動而產(chǎn)生的影響。求:
(l)電子從坐標(biāo)原點(diǎn)進(jìn)入磁場時速度的大小v
(2)請在答題卡中圖甲的位置畫出x=0至x=4L區(qū)域內(nèi)電子在磁場中運(yùn)動的軌跡,并計算電子通過圖中各磁場區(qū)域邊界時位置的縱坐標(biāo),請在圖中標(biāo)出來
(3)從x=0至x=NL(N為整數(shù))區(qū)域內(nèi)電子運(yùn)動的平均速度的大小
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科目:高中物理 來源:2010-2011學(xué)年吉林省高三下學(xué)期期中教學(xué)質(zhì)量檢測理綜物理部分 題型:計算題
電子激光器是利用高速電子束射入方向交替變化的磁場,使電子在磁場中擺動著前進(jìn)而產(chǎn)生激光的一種裝置。在磁場中建立與磁場方向垂直的平面坐標(biāo)系xoy,如圖甲所示。方向交替變化的磁場隨x坐標(biāo)變化的圖線如圖乙所示,每個磁場區(qū)域的寬度均為L= 0.30m,磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B 0 = 3.75×10-4 T,規(guī)定磁場方向垂直紙面向里為正方向,F(xiàn)將初速度為零的電子經(jīng)電壓U = 4.5×103 V的電場加速后,從坐標(biāo)原點(diǎn)沿y軸正方向射入磁場。電子電荷量e為1.6×10-19C,電子質(zhì)量m取9.0×10-31Kg,不計電子的重力,不考慮電子因高速運(yùn)動而產(chǎn)生的影響。求:
(l)電子從坐標(biāo)原點(diǎn)進(jìn)入磁場時速度的大小v
(2)請在答題卡中圖甲的位置畫出x=0至x=4L區(qū)域內(nèi)電子在磁場中運(yùn)動的軌跡,并計算電子通過圖中各磁場區(qū)域邊界時位置的縱坐標(biāo),請在圖中標(biāo)出來
(3)從x=0至x=NL(N為整數(shù))區(qū)域內(nèi)電子運(yùn)動的平均速度的大小
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