（2013?南通一模）關(guān)于光的偏振現(xiàn)象，下列說法中正確的是（　�。�
分析：可以使天然光變成偏振光的光學元件叫偏振片，偏振片對入射光具有遮蔽和透過的功能，可使縱向光或橫向光一種透過，一種遮蔽．在光學元件中，由于元件表面的反射作用而使光能損失，為了減少元件表面的反射損失，常在光學元件表面鍍層透明介質(zhì)薄膜，這種薄膜就叫增透膜．自然光是在垂直于傳播方向的上沿一切方向振動且各個方向振動的光波強度都相同，而偏振光是垂直于傳播方向的平面上，只沿某個特定方向振動．
解答：解：A、自然光是在垂直于傳播方向的上沿一切方向振動且各個方向振動的光波強度都相同，而不是偏振光，故A錯誤；
B、自然光在水面反射時，反射光和折射光的振動方向不同，都是一定程度的偏振光，所以B正確；
C、光的偏振現(xiàn)象說明光是一種橫波，故C錯誤；
D、照相機的增透膜，使得反射光發(fā)生干涉從而使其減弱，所以反射光的光程差等于光在增透膜的波長的
1
2
，則厚度通常為綠光在增透膜中波
1
4
 是光的干涉現(xiàn)象，故D錯誤；
故選：B
點評：考查了光的偏振原理僅僅是與傳播方向垂直平面上有特定振動方向，與自然光不同．自然光向各個方向發(fā)射，而偏振光則是向特定方向發(fā)射；對于增透膜則是利用光的干涉原理．
練習冊系列答案
相關(guān)習題

科目：高中物理 來源： 題型：

（2013?南通一模）如圖所示，在長度足夠長、寬度d=5cm的區(qū)域MNPQ內(nèi)，有垂直紙面向里的水平勻強磁場，磁感應(yīng)強度B=0.33T．水平邊界MN上方存在范圍足夠大的豎直向上的勻強電場，電場強度E=200N/C．現(xiàn)有大量質(zhì)量m=6.6×10-27kg、電荷量q=3.2×10-19C的帶負電的粒子，同時從邊界PQ上的O點沿紙面向各個方向射入磁場，射入時的速度大小均為v=1.6×106m/s，不計粒子的重力和粒子間的相互作用．求：

（1）求帶電粒子在磁場中運動的半徑r；
（2）求與x軸負方向成60°角射入的粒子在電場中運動的時間t；
（3）當從MN邊界上最左邊射出的粒子離開磁場時，求仍在磁場中的粒子的初速度方向與x軸正方向的夾角范圍，并寫出此時這些粒子所在位置構(gòu)成的圖形的曲線方程．

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科目：高中物理 來源： 題型：

（2013?南通一模）如圖所示，A、B、C是三個完全相同的燈泡，L是一個自感系數(shù)較大的線圈（直流電阻可忽略不計）．則（　　）

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科目：高中物理 來源： 題型：

（2013?南通一模）某同學為了測量某電池的電動勢 E和內(nèi)阻 r，設(shè)計了如圖甲所示的電路．已知定值電阻R0=20Ω，電壓表V2的內(nèi)阻很大，可視為理想電壓表．
（1）根據(jù)圖甲所示電路，請在乙圖中用筆畫線代替導線，完成實物電路的連接．

（2）實驗中，該同學移動滑動變阻器滑片，讀出電壓表V1和V2的示數(shù)U1、U2，數(shù)據(jù)如下表所示．請根據(jù)表格中的數(shù)據(jù)在圖丙所示的坐標紙中畫出U2-U1的圖線．
次數(shù) 1 2 3 4 5 6
U1/V 1.0 2.0 3.0 4.0 4.5 5.0
U2/V 16.5 15.2 15.0 12.0 11.1 10.3

（3）由圖象可得該電源的電動勢E=
18.0
18.0
V，內(nèi)阻r=
30.0
30.0
Ω．
（4）實驗電路測得的電源內(nèi)阻的阻值
大于
大于
（選填“大于”、“小于”或“等于”）真實值．

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科目：高中物理 來源： 題型：

（2013?南通一模）回旋加速器在科學研究中得到了廣泛應(yīng)用，其原理如圖所示．D1和D2是兩個中空的半圓形金屬盒，置于與盒面垂直的勻強磁場中，它們接在電壓為U、周期為T的交流電源上．位于D1圓心處的質(zhì)子源A能不斷產(chǎn)生質(zhì)子（初速度可以忽略），它們在兩盒之間被電場加速．當質(zhì)子被加速到最大動能Ek后，再將它們引出．忽略質(zhì)子在電場中的運動時間，則下列說法中正確的是（　�。�

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科目：高中物理 來源： 題型：

（2013?南通一模）如圖所示，相距為L的兩條足夠長的光滑平行金屬導軌與水平面的夾角為θ，上端連接定值電阻R，導軌上水平虛線MNPQ區(qū)域內(nèi)，存在著垂直于軌道平面向下的勻強磁場，磁感應(yīng)強度為B．將質(zhì)量為m、電阻為r的導體棒在距磁場上邊界d處由靜止釋放，導體棒進入磁場運動距離s到達CD位置，速度增加到v1，此時對導體棒施加一平行于導軌的拉力，使導體棒以速度v1勻速運動時間t后離開磁場．導體棒始終與導軌垂直且電接觸良好，不計導軌的電阻，重力加速度為g．求：
（1）導體棒剛進入磁場時產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢E；
（2）導體棒到達CD位置時，電阻R上的電功率P；
（3）整個過程中回路產(chǎn)生的焦耳熱Q．

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