A. | 粒子射入磁場的速率v=$\frac{2qBa}{m}$ | B. | 粒子圓周運(yùn)動(dòng)的半徑r=2a | ||
C. | 長方形區(qū)域的邊長滿足關(guān)系$\frac{a}$=$\sqrt{3}$+1 | D. | 長方形區(qū)域的邊長滿足關(guān)系$\frac{a}$=2 |
分析 由最先從磁場上邊界飛出的粒子經(jīng)歷的時(shí)間為$\frac{T}{12}$求得粒子半徑,再根據(jù)半徑求得速率;并由最后從磁場中飛出的粒子經(jīng)歷的時(shí)間為$\frac{T}{4}$求得磁場區(qū)域邊長關(guān)系.
解答 解:粒子在磁場中做圓周運(yùn)動(dòng),洛倫茲力作向心力,則有:$Bvq=\frac{m{v}^{2}}{R}$,所以,$R=\frac{mv}{Bq}$;
B、粒子在磁場中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑相等,所以,粒子做圓周運(yùn)動(dòng)的弦長越長,則其對應(yīng)的中心角越大,運(yùn)動(dòng)時(shí)間越長;
最先從磁場上邊界飛出的粒子經(jīng)歷的時(shí)間為$\frac{T}{12}$,則其對應(yīng)的弦長最短,即出射點(diǎn)的x坐標(biāo)最小,則粒子入射速度為y軸正方向;
運(yùn)動(dòng)時(shí)間為$\frac{T}{12}$,則其對應(yīng)的中心角為30°,則如圖所示,,所以,$R=\frac{a}{sin30°}=2a$,故B正確;
A、由$R=\frac{mv}{Bq}=2a$可得:$v=\frac{2qBa}{m}$,故A正確;
CD、最后從磁場中飛出的粒子經(jīng)歷的時(shí)間為$\frac{T}{4}$,對應(yīng)于最大中心角為90°,弦長為$2\sqrt{2}a$;
若b較小,粒子可以從右上頂點(diǎn)射出,則此時(shí)有${a}^{2}+^{2}=(2\sqrt{2}a)^{2}$,所以,$b=\sqrt{7}a$;
若b較大,最后飛出的粒子運(yùn)動(dòng)軌跡與上邊界相切,如圖所示,,從O點(diǎn)到與上邊界相切時(shí)轉(zhuǎn)過了60°,所以,粒子出射點(diǎn)在右邊界,不在x軸上,再由幾何關(guān)系可知:$b=(\sqrt{3}+1)a$,故C正確,D錯(cuò)誤.
故選:ABC.
點(diǎn)評 在半徑相同的圓弧上,弦長越長,其對應(yīng)的中心角越大.在帶電粒子在磁場中的運(yùn)動(dòng)問題中,常根據(jù)此求得臨界條件進(jìn)而得到半徑.
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | α射線的貫穿本領(lǐng)比γ射線強(qiáng) | |
B. | β射線為原子的核外電子電離后形成的電子流 | |
C. | 用加溫、加壓或改變其化學(xué)狀態(tài)的方法都不能改變原子核衰變的半衰期 | |
D. | 原子核經(jīng)過衰變生成新核,則新核的質(zhì)量總等于原核的質(zhì)量 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | B中將產(chǎn)生逆時(shí)針方向的電流 | B. | B中將產(chǎn)生順時(shí)針方向的電流 | ||
C. | B線圈有收縮的趨勢 | D. | B線圈有擴(kuò)張的趨勢 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | v=ωR、ω=2πT | B. | v=ωR、a=2Rω | C. | ω=Rv、ωT=2π | D. | v=$\frac{2πR}{T}$、a=vω |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 小船渡河的最短時(shí)間為20s | |
B. | 要使小船渡河的位移最短,則船身與河岸上游應(yīng)垂直 | |
C. | 船渡河的最小位移為100m | |
D. | 船渡河的最小位移為125m |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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