(2004·天津)釷核Th發(fā)生衰變生成鐳核Ra并放出一個(gè)粒子.設(shè)該粒子的質(zhì)量為m、電荷量為q,它進(jìn)入電勢(shì)差為U的帶窄縫的平行平板電極S1和S2間電場(chǎng)時(shí),其速度為v0,經(jīng)電場(chǎng)加速后,沿Ox方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、方向垂直紙面向外的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng),Ox垂直平板電極S2,當(dāng)粒子從P點(diǎn)離開磁場(chǎng)時(shí),其速度方向與Ox方位的夾角=
60°,如圖所示,整個(gè)裝置處于真空中.
(1)寫出釷核衰變方程;
(2)求粒子在磁場(chǎng)中沿圓弧運(yùn)動(dòng)的軌道半徑R;
(3)求粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)所用時(shí)間t.
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科目:高中物理 來源: 題型:
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科目:高中物理 來源:物理教研室 題型:038
60°,如圖所示,整個(gè)裝置處于真空中.
(1)寫出釷核衰變方程;
(2)求粒子在磁場(chǎng)中沿圓弧運(yùn)動(dòng)的軌道半徑R;
(3)求粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)所用時(shí)間t.
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科目:高中物理 來源: 題型:038
(2004·天津)釷核Th發(fā)生衰變生成鐳核Ra并放出一個(gè)粒子.設(shè)該粒子的質(zhì)量為m、電荷量為q,它進(jìn)入電勢(shì)差為U的帶窄縫的平行平板電極S1和S2間電場(chǎng)時(shí),其速度為v0,經(jīng)電場(chǎng)加速后,沿Ox方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、方向垂直紙面向外的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng),Ox垂直平板電極S2,當(dāng)粒子從P點(diǎn)離開磁場(chǎng)時(shí),其速度方向與Ox方位的夾角=
60°,如圖所示,整個(gè)裝置處于真空中.
圖
(1)寫出釷核衰變方程;
(2)求粒子在磁場(chǎng)中沿圓弧運(yùn)動(dòng)的軌道半徑R;
(3)求粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)所用時(shí)間t.
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圖
(1)寫出釷核衰變方程;
(2)求粒子在磁場(chǎng)中沿圓弧運(yùn)動(dòng)的軌道半徑R;
(3)求粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)所用時(shí)間t.
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