科目:高中物理 來源: 題型:
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科目:高中物理 來源: 題型:
核聚變反應(yīng)需要幾百萬度以上的高溫,為把高溫條件下高速運動的離子約束在小范圍內(nèi)(否則不可能發(fā)生核反應(yīng)),通常采用磁約束的方法(托卡馬克裝置)。如圖所示,環(huán)狀勻強磁場圍成中空區(qū)域,中空區(qū)域中的帶電粒子只要速度不是很大,都不會穿出磁場的外邊緣而被約束在該區(qū)域內(nèi)。設(shè)環(huán)狀磁場的內(nèi)半徑為R1=0.5m,外半徑R2=1.0m,磁場的磁感強度B=1.0T,若被束縛帶電粒子的荷質(zhì)比為q/m=4×107C/㎏,中空區(qū)域內(nèi)帶電粒子具有各個方向的速度。
求:(1)粒子沿環(huán)狀的半徑方向射入磁場,不能穿越磁場的最大速度。
(2)所有粒子不能穿越磁場的最大速度。
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科目:高中物理 來源:2012年滬科版高中物理選修3-1 5.6洛倫茲力與現(xiàn)代科技練習(xí)卷(解析版) 題型:計算題
核聚變反應(yīng)需要幾百萬度以上的高溫,為把高溫條件下高速運動的離子約束在小范圍內(nèi)(否則不可能發(fā)生核反應(yīng)),通常采用磁約束的方法(托卡馬克裝置)。如圖所示,環(huán)狀勻強磁場圍成中空區(qū)域,中空區(qū)域中的帶電粒子只要速度不是很大,都不會穿出磁場的外邊緣而被約束在該區(qū)域內(nèi)。設(shè)環(huán)狀磁場的內(nèi)半徑為R1=0.5m,外半徑R2=1.0m,磁場的磁感強度B=1.0T,若被束縛帶電粒子的荷質(zhì)比為q/m=4×107C/㎏,中空區(qū)域內(nèi)帶電粒子具有各個方向的速度。
求:(1)粒子沿環(huán)狀的半徑方向射入磁場,不能穿越磁場的最大速度。
(2)所有粒子不能穿越磁場的最大速度。
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科目:高中物理 來源:2011-2012蚌埠二中高三12月月考物理試卷 題型:計算題
核聚變反應(yīng)需要幾百萬度以上的高溫,為把高溫條件下高速運動的離子約束在小范圍內(nèi)(否則不可能發(fā)生核反應(yīng)),通常采用磁約束的方法(托卡馬克裝置)。如圖所示,環(huán)狀勻強磁場圍成中空區(qū)域,中空區(qū)域中的帶電粒子只要速度不是很大,都不會穿出磁場的外邊緣而被約束在該區(qū)域內(nèi)。設(shè)環(huán)狀磁場的內(nèi)半徑為R1=0.5m,外半徑R2=1.0m,磁場的磁感強度B=1.0T,若被束縛帶電粒子的荷質(zhì)比為q/m=4×107C/㎏,中空區(qū)域內(nèi)帶電粒子具有各個方向的速度。
求:(1)粒子沿環(huán)狀的半徑方向射入磁場,不能穿越磁場的最大速度。
(2)所有粒子不能穿越磁場的最大速度。
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