A. | 每種金屬都有確定的電阻率,電阻率不隨溫度變化 | |
B. | 導(dǎo)線(xiàn)越細(xì)越長(zhǎng),其電阻率也越大 | |
C. | 一般金屬的電阻率,都隨溫度升高而增大 | |
D. | 測(cè)電阻率時(shí),為了提高精度,通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)的電流要足夠大,而且要等到穩(wěn)定一段時(shí)間后才可讀數(shù) |
分析 純金屬的電阻率小,合金的電阻率大;金屬的電阻率隨溫度的升高而增大.
電阻率為導(dǎo)體的固有屬性,與長(zhǎng)度和橫截面積等無(wú)關(guān),由材料性質(zhì)決定.
提高精度的方法是多次測(cè)量取平均值,但不能長(zhǎng)時(shí)間通電,電流也不可過(guò)大.
解答 解:AC、金屬的電阻率,隨著溫度的變化而改變,溫度升高,電阻率增大,A錯(cuò)誤,C正確.
B、電阻率的大小與導(dǎo)線(xiàn)的粗細(xì)和長(zhǎng)短無(wú)關(guān),B錯(cuò)誤.
D、由于電阻率的大小與溫度有關(guān).測(cè)電阻率時(shí),不應(yīng)使通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)的電流過(guò)大或通電時(shí)間過(guò)長(zhǎng),因?yàn)檫@會(huì)使導(dǎo)線(xiàn)溫度明顯升高,從而導(dǎo)致測(cè)量不準(zhǔn)確,故D錯(cuò)誤.
本題選錯(cuò)誤的,故選:ABD.
點(diǎn)評(píng) 關(guān)鍵是掌握影響導(dǎo)體電阻率的因素,知道金屬和合金的電阻率與溫度的關(guān)系.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 帶電粒子所受電場(chǎng)力變大 | B. | 帶電粒子所受電場(chǎng)力變小 | ||
C. | 帶電粒子的電勢(shì)能變小 | D. | 帶電粒子的電勢(shì)能變大 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 當(dāng)兩分子間距離r=r1時(shí),分子勢(shì)能為零,分子間相互作用的引力和斥力也均為零 | |
B. | 當(dāng)兩分子間距離r=r2時(shí),分子勢(shì)能最小,分子間相互作用的引力和斥力也最小 | |
C. | 當(dāng)兩分子間距離r<r1時(shí),隨著r的減小,分子勢(shì)能增大,分子間相互作用的引力和斥力也增大 | |
D. | 當(dāng)兩分子間距離r>r2時(shí),隨著r的增大,分子勢(shì)能增大,分子間相互作用的引力和斥力也增大 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 衛(wèi)星“G1”和“G3”的加速度大小相等均為$\frac{{R}^{2}}{r}$g | |
B. | 衛(wèi)星“G1”由位置A運(yùn)動(dòng)到位置B所需的時(shí)間為$\frac{2πr}{3R}$$\sqrt{\frac{r}{g}}$ | |
C. | 如果調(diào)動(dòng)“高分一號(hào)”衛(wèi)星到達(dá)衛(wèi)星“G3”所在的軌道,必須對(duì)其減速 | |
D. | “高分一號(hào)”是低軌道衛(wèi)星,其所在高度有稀薄氣體,運(yùn)行一段時(shí)間后,高度會(huì)降低,速度增大,機(jī)械能會(huì)減小 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 在CD段時(shí),A受三個(gè)力作用 | |
B. | 在DE段時(shí),A受摩擦力方向一定沿斜面向上 | |
C. | 在DE段時(shí),A可能受二個(gè)力作用 | |
D. | 整個(gè)下滑過(guò)程中,A、B均處于失重狀態(tài) |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:計(jì)算題
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