如圖甲所示,MNCD為一足夠長的光滑絕緣斜面,EFGH范圍內(nèi)存在方向垂直斜面的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁場(chǎng)邊界EF、HG與斜面底邊MN(在水平面內(nèi))平行。一正方形金屬框abcd放在斜面上,ab邊平行于磁場(chǎng)邊界,F(xiàn)使金屬框從斜面上某處由靜止釋放,金屬框從開始運(yùn)動(dòng)到cd邊離開磁場(chǎng)的過程中,其運(yùn)動(dòng)的v-t圖象如圖乙所示。已知金屬框電阻為R,質(zhì)量為m,重力加速度為g,圖乙中金屬框運(yùn)動(dòng)的各個(gè)時(shí)刻及對(duì)應(yīng)的速度均為已知量,求:
(1)斜面傾角的正弦值和磁場(chǎng)區(qū)域的寬度;
(2)金屬框cd邊到達(dá)磁場(chǎng)邊界EF前瞬間的加速度;
(3)金屬框穿過磁場(chǎng)過程中產(chǎn)生的焦耳熱。
解:(1)由圖乙可知,在0~t1時(shí)間內(nèi)金屬框運(yùn)動(dòng)的加速度
設(shè)斜面的傾角為θ,由牛頓第二定律有
解得
在t1~2t1時(shí)間內(nèi)金屬框勻速進(jìn)入磁場(chǎng),則
在2t1~3t1時(shí)間內(nèi)金屬框運(yùn)動(dòng)位移
則磁場(chǎng)的寬度
(2)在t2時(shí)刻金屬框cd邊到達(dá)EF邊界時(shí)的速度為v2,設(shè)此時(shí)加速度大小為a2,cd邊切割磁場(chǎng)產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)
受到的安培力
由牛頓第二定律
金屬框進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)
解得,加速度方向沿斜面向上
(3)金屬框從t1時(shí)刻進(jìn)入磁場(chǎng)到t2時(shí)刻離開磁場(chǎng)的過程中,由功能關(guān)系得

解得
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相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

(2011?南通模擬)如圖甲所示,MNCD為一足夠長的光滑絕緣斜面,EFGH范圍內(nèi)存在方向垂直斜面的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁場(chǎng)邊界EF、HG與斜面底邊MN(在水平面內(nèi))平行.一正方形金屬框abcd放在斜面上,ab邊平行于磁場(chǎng)邊界.現(xiàn)使金屬框從斜面上某處由靜止釋放,金屬框從開始運(yùn)動(dòng)到cd邊離開磁場(chǎng)的過程中,其運(yùn)動(dòng)的v-t圖象如圖乙所示.已知金屬框電阻為R,質(zhì)量為m,重力加速度為g,圖乙中金屬框運(yùn)動(dòng)的各個(gè)時(shí)刻及對(duì)應(yīng)的速度均為已知量,求:

(1)斜面傾角的正弦值和磁場(chǎng)區(qū)域的寬度;
(2)金屬框cd邊到達(dá)磁場(chǎng)邊界EF前瞬間的加速度;
(3)金屬框穿過磁場(chǎng)過程中產(chǎn)生的焦耳熱.

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖甲所示,MNCD為一足夠長的光滑絕緣斜面,EFGH范圍內(nèi)存在方向垂直斜面的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁場(chǎng)邊界EF、HG與斜面底邊MN(在水平面內(nèi))平行。一正方形金屬框abcd放在斜面上,ab邊平行于磁場(chǎng)邊界,F(xiàn)使金屬框從斜面上某處由靜止釋放,金屬框從開始運(yùn)動(dòng)到cd邊離開磁場(chǎng)的過程中,其運(yùn)動(dòng)的v-t圖象如圖乙所示。已知金屬框電阻為R,質(zhì)量為m,重力加速度為g,圖乙中金屬框運(yùn)動(dòng)的各個(gè)時(shí)刻及對(duì)應(yīng)的速度均為已知量,求:

(1)斜面傾角的正弦值和磁場(chǎng)區(qū)域的寬度;

(2)金屬框cd邊到達(dá)磁場(chǎng)邊界EF前瞬間的加速度;

(3)金屬框穿過磁場(chǎng)過程中產(chǎn)生的焦耳熱。

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科目:高中物理 來源: 題型:

(16分)如圖甲所示,MNCD為一足夠長的光滑絕緣斜面,EFGH范圍內(nèi)存在方向垂直斜面的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁場(chǎng)邊界EF、HG與斜面底邊MN(在水平面內(nèi))平行.一正方形金屬框abcd放在斜面上,ab邊平行于磁場(chǎng)邊界.現(xiàn)使金屬框從斜面上某處由靜止釋放,金屬框從開始運(yùn)動(dòng)到cd邊離開磁場(chǎng)的過程中,其運(yùn)動(dòng)的v-t圖象如圖乙所示.已知金屬框電阻為R,質(zhì)量為m,重力加速度為g,圖乙中金屬框運(yùn)動(dòng)的各個(gè)時(shí)刻及對(duì)應(yīng)的速度均為已知量,求

 (1)斜面傾角的正弦值和磁場(chǎng)區(qū)域的寬度;

 (2)金屬框cd邊到達(dá)磁場(chǎng)邊界EF前瞬間的加速度;

 (3)金屬框穿過磁場(chǎng)過程中產(chǎn)生的焦耳熱.

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科目:高中物理 來源: 題型:

(16分)如圖甲所示,MNCD為一足夠長的光滑絕緣斜面,EFGH范圍內(nèi)存在方向垂直斜面的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁場(chǎng)邊界EF、HG與斜面底邊MN(在水平面內(nèi))平行.一正方形金屬框abcd放在斜面上,ab邊平行于磁場(chǎng)邊界.現(xiàn)使金屬框從斜面上某處由靜止釋放,金屬框從開始運(yùn)動(dòng)到cd邊離開磁場(chǎng)的過程中,其運(yùn)動(dòng)的v-t圖象如圖乙所示.已知金屬框電阻為R,質(zhì)量為m,重力加速度為g,圖乙中金屬框運(yùn)動(dòng)的各個(gè)時(shí)刻及對(duì)應(yīng)的速度均為已知量,求

 (1)斜面傾角的正弦值和磁場(chǎng)區(qū)域的寬度;

 (2)金屬框cd邊到達(dá)磁場(chǎng)邊界EF前瞬間的加速度;

 (3)金屬框穿過磁場(chǎng)過程中產(chǎn)生的焦耳熱.

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科目:高中物理 來源:2009年江蘇省南通市高考物理二模試卷(解析版) 題型:解答題

如圖甲所示,MNCD為一足夠長的光滑絕緣斜面,EFGH范圍內(nèi)存在方向垂直斜面的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁場(chǎng)邊界EF、HG與斜面底邊MN(在水平面內(nèi))平行.一正方形金屬框abcd放在斜面上,ab邊平行于磁場(chǎng)邊界.現(xiàn)使金屬框從斜面上某處由靜止釋放,金屬框從開始運(yùn)動(dòng)到cd邊離開磁場(chǎng)的過程中,其運(yùn)動(dòng)的v-t圖象如圖乙所示.已知金屬框電阻為R,質(zhì)量為m,重力加速度為g,圖乙中金屬框運(yùn)動(dòng)的各個(gè)時(shí)刻及對(duì)應(yīng)的速度均為已知量,求:

(1)斜面傾角的正弦值和磁場(chǎng)區(qū)域的寬度;
(2)金屬框cd邊到達(dá)磁場(chǎng)邊界EF前瞬間的加速度;
(3)金屬框穿過磁場(chǎng)過程中產(chǎn)生的焦耳熱.

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