如圖是電阻R1和R2的伏安特性曲線，并且把第一象限分為Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三個區(qū)域，現(xiàn)在把R1和R2并聯(lián)在電路中，消耗的電功率分別為P1和P2，并聯(lián)的總電阻設為R.下列關于P1和P2的大小關系及R的伏安特性曲線應該在的區(qū)域的說法正確的是(    )

A.特性曲線在Ⅰ區(qū)，P1＜P2                   B.特性曲線在Ⅲ區(qū)，P1＞P2

C.特性曲線在Ⅰ區(qū)，P1＞P2                   D.特性曲線在Ⅲ區(qū)，P1＜P2

練習冊系列答案
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科目：高中物理 來源： 題型：

集成電路應用廣泛、集成度越來越高，現(xiàn)在集成電路的集成度已達幾億個元件，目前科學家們正朝著集成度突破10億個元件的目標邁進，集成度越高，各種電子元件越微型化，如圖一是我國自行研制成功的中央處理器（CPU）芯片“龍芯”1號，如圖二中，R1和R2是材料相同、厚度相同、表面為正方形的導體，但R2的尺寸遠遠小于R1的尺寸，通過兩導體的電流方向如圖2，則這兩個導體的電阻R1、R2的關系說法正確的是（　�。�
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A、R1＞R2B、R1＜R2C、R1=R2D、無法確定

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科目：高中物理 來源：2012-2013學年河南省河南大學附屬中學高二上學期期中考試物理試卷（帶解析） 題型：單選題

如圖所示是電阻R1和R2的伏安特性曲線，并且把第一象限分為Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三個區(qū)域．現(xiàn)在把電阻R1和R2并聯(lián)在電路中，消耗的電功率分別為P1和P2，并聯(lián)的總電阻設為R，下列關于P1與P2的大小關系及R的伏安特性曲線所在的區(qū)域正確的是

A．特性曲線在Ⅰ區(qū)，P1＜P2
B．特性曲線在Ⅲ區(qū)，P1＞P2
C．特性曲線在Ⅰ區(qū)，P1＞P2
D．特性曲線在Ⅲ區(qū)，P1＜P2

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科目：高中物理 來源：2011年四川省三臺縣高二教學質量調研測試物理卷 題型：選擇題

如圖所示是電阻R1和R2的伏安特性曲線，且把第一象限分成了Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三個區(qū)域．現(xiàn)將R1和R2并聯(lián)在電路中，其電功率分別用P1和P2表示，并聯(lián)的總電阻為R，下列關于R的伏安特性曲線應該在的區(qū)域以及P1、P2大小關系正確的是

A．特性曲線在Ⅰ區(qū)，P1＜P2     B．特性曲線在Ⅲ區(qū)，P1＜P2

C．特性曲線在Ⅰ區(qū)，P1＞P2     D．特性曲線在Ⅲ區(qū)，P1＞P2

 

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科目：高中物理 來源：同步題 題型：不定項選擇

如圖是電阻R1和R2的伏安特性曲線，并且把第一象限分為Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三個區(qū)域，現(xiàn)在把R1和R2并聯(lián)在電路中，消耗的電功率分別為P1和P2，并聯(lián)的總電阻設為R。下列關于P1和P2的大小關系及R的伏安特性曲線所在區(qū)域描述正確的是
[     ]
A．特性曲線在Ⅰ區(qū)，P1<P2
B．特性曲線在Ⅰ區(qū)，P1>P2
C．特性曲線在Ⅲ區(qū)，P1>P2
D．特性曲線在Ⅲ區(qū)，P1<P2

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