【題目】關(guān)于兩個(gè)共點(diǎn)力的合成,說法正確的是(

A.合力必大于分力

B.合力必大于兩個(gè)分力的大小之和

C.合力大小隨兩個(gè)分力的夾角增大而減小

D.合力可以和其中一個(gè)分力相等,但小于另一個(gè)分力。

【答案】C

【解析】

AD.根據(jù)力的合成法則可知,合力可以大于分力,也可以小于或等于分力,故AD錯(cuò)誤。

B.當(dāng)兩個(gè)力同向時(shí),合力最大,等于兩個(gè)力的大小之和。故B錯(cuò)誤。

C.根據(jù)平行四邊形定則可知,合力的大小隨兩個(gè)力的夾角的增大而減小,故C正確;

故選C。

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】地球繞太陽運(yùn)行到圖中A、B、C、D四個(gè)位置時(shí),分別為春分、夏至、秋分和冬至,以下說法錯(cuò)誤的是( )

A.地球由夏至運(yùn)行到秋分的過程中速率逐漸增大
B.地球由春分運(yùn)行到夏至的過程中加速度逐漸減小
C.地球由春分運(yùn)行到秋分的時(shí)間比由秋分運(yùn)行到春分的時(shí)間長
D.地球由春分運(yùn)行到秋分的時(shí)間比由秋分運(yùn)行到春分的時(shí)間短

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖中甲、乙分別表示兩種電壓的波形,其中甲電壓按正弦規(guī)律變化.下列說法正確的是( )

A.甲表示交流電,乙表示直流電
B.兩種電壓的有效值相等
C.甲電壓的瞬時(shí)值表達(dá)式為u=311sin100πtV
D.甲交變電流的有效值比乙交變電流的有效值小

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】下列關(guān)于磁場的說法正確的是(

A.磁場和電場一樣,是客觀存在的特殊物質(zhì)

B.磁場是為了解釋磁極間的相互作用而人為引入的

C.磁體和電流都能產(chǎn)生磁場

D.導(dǎo)體中的負(fù)電荷在做定向移動(dòng)時(shí)一定產(chǎn)生磁場

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如果你看過中央電視臺(tái)體育頻道的圍棋講座就會(huì)發(fā)現(xiàn),棋子在豎直放置的棋盤上可以移動(dòng),但不會(huì)掉下來.原來,棋盤和棋子都是由磁性材料制成的.棋子不會(huì)掉落是因?yàn)?/span> (  )

A.質(zhì)量小,重力可以忽略不計(jì)

B.受到棋盤對(duì)它向上的摩擦力

C.棋盤對(duì)它的吸引力與重力平衡

D.它一方面受到棋盤的吸引,另一方面受到空氣的浮力

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖所示,邊長為l的正方形線圈abcd的匝數(shù)為n , 線圈電阻為r , 外電路的電阻為R , ab的中點(diǎn)和cd的中點(diǎn)的連線OO′恰好位于勻強(qiáng)磁場的邊界上,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B , 現(xiàn)在線圈以OO′為軸,以角速度ω勻速轉(zhuǎn)動(dòng),求:

(1)閉合電路中電流瞬時(shí)值的表達(dá)式;
(2)線圈從圖示位置轉(zhuǎn)過90°的過程中電阻R上產(chǎn)生的熱量;
(3)電阻R上的最大電壓.

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖所示為演示交變電流的裝置圖,關(guān)于這個(gè)實(shí)驗(yàn),正確的說法是( )

A.線圈每轉(zhuǎn)動(dòng)一周,指針左右擺動(dòng)兩次
B.圖示位置為中性面,線圈中無感應(yīng)電流
C.圖示位置,ab邊的感應(yīng)電流方向?yàn)橛?/span>ab
D.線圈平面與磁場方向平行時(shí),磁通量變化率為零

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖所示.腳盤在水平面內(nèi)勻速轉(zhuǎn)動(dòng),放在盤面上的一小物塊隨圓盤一起運(yùn)動(dòng),關(guān)于小物塊的受力情況,下列說法中正確的是( )

A.只受重力和支持力
B.受重力、支持力和壓力
C.受重力、支持力和摩擦力
D.受重力、支持力,摩擦力和向心力

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】下面說法種正確的是( )
A.所有晶體沿著各個(gè)方向的物理性質(zhì)和化學(xué)光學(xué)性質(zhì)都相同
B.足球充足氣后很難壓縮,是因?yàn)樽闱騼?nèi)氣體分子間斥力作用的結(jié)果
C.自然界中只要涉及熱現(xiàn)象的宏觀過程都具有方向性
D.一定質(zhì)量的理想氣體,如果壓強(qiáng)不變,體積增大,那么它一定從外界吸熱
E.一定質(zhì)量的理想氣體保持體積不變,溫度升高,單位時(shí)間內(nèi)撞擊器壁單位面積上的分子數(shù)增多

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