如圖所示電路,電源內(nèi)阻不能忽略,R1阻值小于變阻器的總電阻,當(dāng)滑動(dòng)變阻器的滑片P停在變阻器的中點(diǎn)時(shí),電壓表的示數(shù)為U,電流表的示數(shù)為I。那么,滑片P由中點(diǎn)向上移動(dòng)的全過程中
A.電壓表的示數(shù)始終小于U B. 電流表的示數(shù)始終大于I
C.電壓表的示數(shù)先增大后減小 D. 電流表的示數(shù)先減小后增大
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科目:高中物理 來源:2015-2016學(xué)年內(nèi)蒙古赤峰市寧城縣高二上學(xué)期期末考試物理卷(解析版) 題型:選擇題
關(guān)于磁場(chǎng)中的通電導(dǎo)線和運(yùn)動(dòng)電荷的有關(guān)說法中正確的是( )
A.通電導(dǎo)線在磁場(chǎng)中一定會(huì)受到安培力的作用
B.磁場(chǎng)對(duì)通電導(dǎo)線的作用力方向一定與磁場(chǎng)方向垂直
C.只受洛倫茲力作用而運(yùn)動(dòng)的帶電粒子,其動(dòng)能一定不變,而速度一定變化
D.帶電粒子在磁場(chǎng)中也可能做勻速直線運(yùn)動(dòng)
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科目:高中物理 來源:2015-2016學(xué)年河南許昌三校高一上期第四次(期末)聯(lián)考物理卷(解析版) 題型:選擇題
某物體沿水平方向做直線運(yùn)動(dòng),其v-t圖如圖所示,規(guī)定向右為正方向,下列判斷正確的是( )
A.在0s~1s內(nèi),物體做曲線運(yùn)動(dòng)
B.在ls~2s內(nèi),物體向左運(yùn)動(dòng),且速度大小在減小
C.在3s末,物體處于出發(fā)點(diǎn)右方
D.在1s~3s內(nèi),物體的加速度方向向右,大小為4 m/s2
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科目:高中物理 來源:2016屆湖南長(zhǎng)沙長(zhǎng)郡中學(xué)高三上期第四次月考物理卷(解析版) 題型:計(jì)算題
如圖所示,第四象限內(nèi)有互相正交的電場(chǎng)強(qiáng)度為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)與磁感應(yīng)強(qiáng)度為B1=0.25T的勻強(qiáng)磁場(chǎng),第一象限的某個(gè)矩形區(qū)域內(nèi),有方向垂直紙面向里、磁感應(yīng)強(qiáng)度為B2的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁場(chǎng)的下邊界與x軸重合,質(zhì)量為m=、帶電荷量的微粒以速度從y軸上的M點(diǎn)開始沿與y軸正方向成60o角的直線勻速運(yùn)動(dòng),從P點(diǎn)進(jìn)入處于第一象限內(nèi)的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,一段時(shí)間后,微粒經(jīng)過y軸上的N點(diǎn)并與y軸正方向成60o角的方向進(jìn)入第二象限,M點(diǎn)的坐標(biāo)為(0,-10cm),N點(diǎn)的坐標(biāo)為(0,30cm),不計(jì)粒子的重力,g取10m/s2,求:
(1)第四象限內(nèi)勻強(qiáng)電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度E;
(2)第一象限內(nèi)勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小;
(3)第一象限內(nèi)矩形勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的最小面積Smin。
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科目:高中物理 來源:2016屆遼寧沈陽東北育才學(xué)校高三上期第三次模擬考試物理卷(解析版) 題型:選擇題
若已知月球質(zhì)量為m月,半徑為R,引力常量為G,如果在月球上( )
A.以初速度v0豎直上拋一個(gè)物體,則物體上升的最大高度為
B.以初速度v0豎直上拋一個(gè)物體,則物體落回到拋出點(diǎn)所用時(shí)間為
C.發(fā)射一顆繞月球做圓周運(yùn)動(dòng)的衛(wèi)星,則最大運(yùn)行速度為
D.發(fā)射一顆繞月球做圓周運(yùn)動(dòng)的衛(wèi)星,則最小周期為2π
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科目:高中物理 來源:2016屆河北衡水冀州中學(xué)高三上期一輪復(fù)習(xí)檢測(cè)二物理卷(解析版) 題型:選擇題
如圖在(0,y0)和(0,—y0)兩位置分別固定一個(gè)電荷量為+Q的點(diǎn)電荷.另一個(gè)帶電量為+q的點(diǎn)電荷從(—x0,0)位置以初速度v0沿x軸正方向運(yùn)動(dòng)。點(diǎn)電荷+q從(—x0,0)到(x0,0)的過程中只受電場(chǎng)力作用,下列描述其加速度a或速度v與位置x的關(guān)系可能正確的是( )
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科目:高中物理 來源:2015-2016學(xué)年山西大同一中高二上學(xué)期期末考試物理卷(解析版) 題型:選擇題
集成電路應(yīng)用廣泛,集成度越來越高,現(xiàn)在集成電路的集成度已達(dá)幾億個(gè)元件,目前科學(xué)家們正朝著集成度突破10億個(gè)元件的目標(biāo)邁進(jìn),集成度越高,各種電子元件越微型化,如圖甲是我國(guó)自行研制成功的中央處理器(CPU)芯片“龍芯”1號(hào),下圖乙中,R1和R2是材料相同、厚度相同、表面為正方形的導(dǎo)體,但R2的尺寸遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于R1的尺寸,通過兩導(dǎo)體的電流方向如圖乙所示,則這兩個(gè)導(dǎo)體的電阻R1、R2的關(guān)系正確的是
A. B. C. D.無法確定
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科目:高中物理 來源:2015-2016學(xué)年黑龍江大慶實(shí)驗(yàn)中學(xué)高二上期期末物理卷(解析版) 題型:選擇題
如圖所示,在圓形區(qū)域內(nèi)存在垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng),ab是圓的直徑。一帶電粒子從a點(diǎn)射入磁場(chǎng),速度大小為v、方向與ab成30°角時(shí),恰好從b點(diǎn)飛出磁場(chǎng),且粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為t;若同一帶電粒子從a點(diǎn)沿ab方向射入磁場(chǎng),也經(jīng)時(shí)間t飛出磁場(chǎng),則其速度大小為
A. B. C. D.
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