分析 (1)半偏法可以近似測量電壓表的內(nèi)阻,用半偏法測電壓表的內(nèi)阻時(shí)把電阻箱與電壓表串聯(lián)后對電路的影響能忽略不計(jì),電壓表的內(nèi)阻應(yīng)遠(yuǎn)大于滑動(dòng)變阻器的總阻值.
(2)當(dāng)調(diào)節(jié)R′,使電壓表指針半偏,讀出此時(shí)電阻箱的讀數(shù)即為電壓表的內(nèi)阻測量值,由于變阻器輸出的實(shí)際電壓增大,變阻器的電壓大于電壓表的讀數(shù),可知電壓表的測量值偏大.
(3)根據(jù)串聯(lián)電路中電壓與電阻成正比的規(guī)律,對兩種情況分別列式,運(yùn)用比例法求解即可.
解答 解:(1)用半偏法測電壓表的內(nèi)阻時(shí),要使把電阻箱與電壓表串聯(lián)后對電路的影響可能忽略,故要求電壓表的內(nèi)阻遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于滑動(dòng)變阻器的最大阻值,即RV>>R,正因?yàn)槿绱,測出的電壓表的內(nèi)阻有可以一定的系統(tǒng)誤差,所以是一種近似測量的方法;
(2)電壓表V的內(nèi)阻測量值RV=3005.4Ω.
電阻箱與電壓表串聯(lián)后,電壓表所在這條支路的電阻變大,則電路的總電阻變大,電流變小,電壓表與電阻箱和滑動(dòng)變阻器并聯(lián)部分的電壓變大,所以電阻箱實(shí)際分出的電壓偏大,大于電壓表的讀數(shù),故電壓表內(nèi)阻的測量值就稍大于真實(shí)值;
(3)閉合S1時(shí),電阻箱1與電壓表串聯(lián),此時(shí)電壓表指針滿偏,有:$\frac{{R}_{V}}{{R}_{1}}$=$\frac{{U}_{V1}}{{U}_{R1}}$,即$\frac{{R}_{V}}{1500}$=$\frac{3}{E-3}$ ①
當(dāng)開關(guān)S1和S2都閉合后,電阻箱2與電壓表并聯(lián)后再與電阻箱1串聯(lián),此時(shí)電壓表指針半偏,
則有:$\frac{\frac{{R}_{V}{R}_{2}}{{R}_{V}+{R}_{2}}}{{R}_{1}}$=$\frac{\frac{1}{2}{U}_{V1}}{{U}_{R1}′}$,即:$\frac{\frac{1000Ω×{R}_{V}}{1000Ω+{R}_{V}}}{1500}$=$\frac{1.5V}{E-1.5V}$ ②聯(lián)立①②解得:RV=3000Ω;
故答案為:(1)近似測量;RV>>R;(2)3005.4;大于;(3)3000.
點(diǎn)評 本題考查半偏法測電阻的基本原理、操作方法、數(shù)據(jù)處理和誤差分析,解答此題需要有一定的綜合分析能力.
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | t2是線框全部進(jìn)入磁場瞬間,t4是線框全部離開磁場瞬間 | |
B. | 從bc邊進(jìn)入磁場起一直到ad邊離開磁場為止,感應(yīng)電流所做的功為mgS | |
C. | v1的大小可能為$\frac{mgR}{{B}^{2}{L}^{2}}$ | |
D. | 線框穿出磁場過程中流經(jīng)線框橫截面的電荷量比線框進(jìn)入磁場過程中流經(jīng)框橫截面的電荷量多 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 圓環(huán)帶負(fù)電 | |
B. | 電場中P點(diǎn)的電勢為3V | |
C. | 試探電荷在該電場的P點(diǎn)所具有的電勢能為3×10-3J | |
D. | OP間的電勢差為-1V |
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 正常運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的輸出功率為32 W | B. | 正常運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的輸出功率為44 W | ||
C. | 正常運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的發(fā)熱功率為47 W | D. | 正常運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的發(fā)熱功率為48W |
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
掛在橡皮繩下端的鉤碼個(gè)數(shù) | 橡皮繩下端的坐標(biāo)(X/mm) | |
甲 | 乙 | |
1 | 216.5 | 216.5 |
2 | 246.7 | 232.0 |
3 | 284.0 | 246.5 |
4 | 335.0 | 264.2 |
5 | 394.5 | 281.3 |
6 | 462.0 | 301.0 |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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