分析 根據(jù)電容的決定式C=$\frac{εS}{4πkd}$,分析電容的變化,再根據(jù)電容的定義式C=$\frac{Q}{U}$,分析板間電壓的變化,即可判斷靜電計(jì)指針張角的變化.
解答 解:甲:若保持M、N兩板距離不變,將N板向上移一些,即減小正對(duì)面積,據(jù)電容的決定式C=$\frac{εS}{4πkd}$,知電容減小,即選B,
乙:若保持N板與M板完全正對(duì)但將N板向左移一些,即增大相對(duì)距離,據(jù)電容的決定式C=$\frac{εS}{4πkd}$,知電容減小,而電容器的電量不變,由電容的定義式C=$\frac{Q}{U}$,分析可知板間電壓增大,即電勢(shì)差會(huì)增大,即選A;
而依據(jù)電場(chǎng)強(qiáng)度E=$\frac{U}www30cv$,結(jié)合電容器的定義式與決定式,則有電場(chǎng)強(qiáng)度綜合表達(dá)式E=$\frac{4πkQ}{?S}$,與極板間距無關(guān),因此場(chǎng)強(qiáng)不變,即選C.
丙:在M、N之間插入有機(jī)玻璃板,增大相對(duì)介電常數(shù),據(jù)電容的決定式C=$\frac{εS}{4πkd}$,知電容增大,而電容器的電量不變,由電容的定義式C=$\frac{Q}{U}$,分析可知板間電壓減小,所以靜電計(jì)指針偏角減小,即選B.
故答案為:B;A,C;B.
點(diǎn)評(píng) 此題關(guān)鍵掌握電容的決定式C=$\frac{εS}{4πkd}$ 和電容的定義式C=$\frac{Q}{U}$,結(jié)合電容器的電量不變進(jìn)行分析,同時(shí)理解電場(chǎng)強(qiáng)度的綜合表達(dá)式的推導(dǎo)過程.
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 因?yàn)棣律渚的電離本領(lǐng)較強(qiáng),所以可以用β射線的電離本領(lǐng)消除有害的靜電 | |
B. | 因?yàn)棣律渚的穿透能力比較強(qiáng),所以可以用β射線來檢測(cè)幾厘米厚的鉛板的厚度 | |
C. | α、β射線在磁場(chǎng)中均能發(fā)生偏轉(zhuǎn),而γ射線在磁場(chǎng)中不發(fā)生偏轉(zhuǎn) | |
D. | 利用γ射線照射土豆,可以抑制土豆發(fā)芽,延長(zhǎng)保存期 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | F 的方向沿桿向左 | B. | F 的方向跟桿成30°斜向左下方 | ||
C. | F 與 G 的大小相等 | D. | F 一定比 G 大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 內(nèi)芯的折射率比外套的大,光傳播時(shí)的內(nèi)芯與外套的界面上發(fā)生全反射 | |
B. | 內(nèi)芯的折射率比外套的小,光傳播時(shí)在內(nèi)芯與外套的界面上發(fā)生全反射 | |
C. | 光在內(nèi)芯中傳播的速度大 | |
D. | 光在外套中傳播的速度小 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 先變大后變小 | B. | 先變小后變大 | C. | 一直在增大 | D. | 一直在減小 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | L1、L2、L3都變亮 | B. | L1、L2、L3都變暗 | ||
C. | L1變暗、L3變亮、L2亮度不變 | D. | L1變亮、L3變暗、L2亮度不變 |
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