【題目】如圖所示,真空中有一個(gè)固定的點(diǎn)電荷,電荷量為+Q圖中的虛線表示該點(diǎn)電荷形成的電場中的四個(gè)等勢面.有兩個(gè)一價(jià)離子M、N(不計(jì)重力,也不計(jì)它們之間的電場力)先后從a點(diǎn)以相同的速率v0射入該電場,運(yùn)動(dòng)軌跡分別為曲線apbaqc,其中p、q分別是它們離固定點(diǎn)電荷最近的位置.以上說法中正確的是

A. M一定是正離子,N一定是負(fù)離子

B. Mp點(diǎn)的速率一定大于Nq點(diǎn)的速率

C. Mb點(diǎn)的速率一定大于Nc點(diǎn)的速率

D. Mpb過程電勢能的增量一定小于Naq過程電勢能的增量

【答案】BD

【解析】

A.由圖可知電荷N受到中心電荷的斥力,而電荷M受到中心電荷的引力,故兩粒子的電性一定不同.由于中心電荷為正電,則M一定是負(fù)離子,N一定是正離子,故A錯(cuò)誤;

B.由圖可判定M電荷在從a點(diǎn)運(yùn)動(dòng)至p點(diǎn)的過程中,電場力做正功,導(dǎo)致動(dòng)能增加;而N電荷在從a點(diǎn)運(yùn)動(dòng)至q點(diǎn)的過程中,電場力做負(fù)功,導(dǎo)致動(dòng)能減小.所以Mp點(diǎn)的速率一定大于Nq點(diǎn)的速率,故B正確;

C.由于abc三點(diǎn)在同一等勢面上,故粒子M在從ab運(yùn)動(dòng)過程中電場力所做的總功為0,N粒子在從ac運(yùn)動(dòng)過程中電場力所做的總功為0,由于兩粒子以相同的速率從a點(diǎn)飛入電場,故兩粒子分別經(jīng)過b、c兩點(diǎn)時(shí)的速率一定相等.故C錯(cuò)誤;

D.由圖可知qa兩點(diǎn)電勢差大于p、b兩點(diǎn)間的電勢差,N粒子在從aq運(yùn)動(dòng)過程中電場力做負(fù)功的值大于粒子M在從pb運(yùn)動(dòng)過程中電場力做負(fù)功的值,故Mpb過程電勢能的增量一定小于Naq過程電勢能的增量,故D正確。

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖甲所示,傾角θ=37°足夠長的傾斜導(dǎo)體軌道與光滑水平導(dǎo)體軌道平滑連接。軌道寬度d=0.5m,電阻忽略不計(jì)。在水平軌道平面內(nèi)有水平向右的勻強(qiáng)磁場,傾斜軌道平面內(nèi)有垂直于傾斜軌道向下的勻強(qiáng)磁場,大小都為B,現(xiàn)將質(zhì)量m=0.4kg、電阻R=1Ω的兩相同導(dǎo)體棒ebcd,垂直于軌道分別置于水平軌道上和傾斜軌道的頂端,同時(shí)由靜止釋放。導(dǎo)體棒cd下滑過程中加速度a與速度v的關(guān)系如圖乙所示。cd棒從開始運(yùn)動(dòng)到最大速度的過程中流過cd棒的電荷量q=0.4Csin37°=0.6,cos37°=0.8,g=10m/s2),則( 。

A.傾斜導(dǎo)軌粗糙,動(dòng)摩擦因數(shù)

B.傾斜導(dǎo)軌粗糙,動(dòng)摩擦因數(shù)

C.導(dǎo)體棒eb對水平軌道的最大壓力為6N

D.cd棒從開始運(yùn)動(dòng)到速度最大的過程中,eb棒上產(chǎn)生的焦耳熱

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【題目】光滑的水平絕緣導(dǎo)軌處于一個(gè)平行于導(dǎo)軌的電場之中,沿導(dǎo)軌建立如圖所示的直線坐標(biāo)系,若沿+x方向的電勢與坐標(biāo)值x的函數(shù)關(guān)系滿足φV),由此作出φx圖象,圖中虛線AB為圖線在x0.15m處的切線,F(xiàn)將一個(gè)小滑塊Px0.1m處由靜止釋放,若滑塊P質(zhì)量為m0.1kg,所帶電荷量為q+1×107C.則下列說法正確的是( 。

A.x0.15mx0.3m兩點(diǎn)間的電勢差為1.5×106V

B.滑塊Px0.15m處的加速度為20m/s2

C.滑塊Px0.3m處的速度為m/s

D.滑塊P的加速度先變小后變大

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【題目】刀削面是西北人喜歡的面食之一,因其風(fēng)味獨(dú)特,馳名中外.刀削面全憑刀削,因此得名.如圖所示,將一鍋水燒開,拿一塊面團(tuán)放在鍋旁邊較高處,用一刀片飛快的水平削下一片片很薄的面片兒,面片便飛向鍋里,若面團(tuán)到鍋的上沿的豎直距離為,最近的水平距離為,鍋的半徑為.要想使削出的面片落入鍋中.

)面片從拋出到鍋的上沿在空中運(yùn)動(dòng)時(shí)間?

)面片的水平初速度的范圍?(

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【題目】如圖所示,上端開口帶有卡環(huán)、內(nèi)壁光滑的絕熱容器內(nèi)有兩個(gè)厚度不計(jì)的活塞封閉了上、下兩部分氣體,其中小活塞導(dǎo)熱性能良好,質(zhì)量m11kg,大活塞絕熱,質(zhì)量m22kg,兩活塞密封性均良好。細(xì)管道橫截面積S11cm2,粗管道橫截面積S22cm2,下部分氣體中有電阻絲可以通電對封閉氣進(jìn)行加熱。若下部分封閉氣體初始溫度為300K,此時(shí)各部分氣體和管道長度h1h2h3h410cm。已知大氣壓強(qiáng)P01×105Pa,外界環(huán)境溫度保持不變,重力加速度g10m/s2,現(xiàn)對電阻絲通電緩慢升高氣體溫度,求當(dāng)大活塞剛好移至粗細(xì)管道交接處時(shí),下部分封閉氣體的溫度。

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖所示在理想變壓器電路中,原副線圈的匝數(shù)比為31,電阻R1R2阻值相等。ab兩端接電壓恒定的正弦交流電源。在滑動(dòng)變阻器滑片P向右移動(dòng)的過程中( 。

A.R1消耗的功率增大

B.電源的輸入功率增大

C.R1、R2兩端的電壓之比恒為31

D.R1、R2消耗的功率之比恒為19

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【題目】如圖所示,兩平行帶電金屬板之間存在勻強(qiáng)電場。有一帶電粒子(不計(jì)重力)從上極板的左邊緣沿水平方向射入勻強(qiáng)電場,第一次沿軌跡①從兩板右端連線的中點(diǎn)飛出;第二次沿軌跡②落到下板中點(diǎn)。設(shè)其它條件不變,則( 。

A..若粒子兩次射入電場的水平速度相同,則電壓U1U214

B.若粒子兩次射入電場的水平速度相同,則電壓U1U218

C.若兩次偏轉(zhuǎn)電壓相同,則粒子兩次射入電場的水平速度v1v21

D.若兩次偏轉(zhuǎn)電壓相同,則粒子兩次射入電場的水平速度v1v21

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【題目】如圖所示,abcd是矩形的四個(gè)頂點(diǎn),它們正好處于某一勻強(qiáng)電場中,電場線與矩形所在平面平行。已知,;a點(diǎn)電勢為15Vb點(diǎn)電勢為24V,d點(diǎn)電勢為6V。則此勻強(qiáng)電場的電場強(qiáng)度大小為(

A. 300V/mB. 600V/mC. V/m D. V/m

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【題目】氧氣分子在0℃和100℃溫度下單位速率間隔的分子數(shù)占總分子數(shù)的百分比隨氣體分子速率的變化分別如圖中兩條曲線所示。下列說法正確的是( 。

A.圖中兩條曲線下面積相等

B.圖中實(shí)線對應(yīng)于氧氣分子平均動(dòng)能較小的情形

C.圖中曲線給出了任意速率區(qū)間的氧氣分子數(shù)目

D.0℃時(shí)相比,100℃時(shí)氧氣分子速率出現(xiàn)在0400m/s區(qū)間內(nèi)的分子數(shù)占總分子數(shù)的百分比較大

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