【題目】下列說法中正確的是　　

A. 溫度升高，分子熱運(yùn)動(dòng)的平均動(dòng)能增大，但并非每個(gè)分子的速率都增大

B. 物體吸收熱量時(shí)其內(nèi)能不一定增大

C. 對于一定量的理想氣體，在分子平均動(dòng)能不變時(shí)，分子間的平均距離減小則壓強(qiáng)也減小

D. 溫度高的理想氣體，分子運(yùn)動(dòng)劇烈，因此其內(nèi)能大于溫度低的理想氣體

E. 一定量的理想氣體在某過程中從外界吸熱并對外界做功，則氣體的溫度升高密度減小

【答案】ABE

【解析】

明確溫度是分子平均動(dòng)能的標(biāo)志，知道溫度升高時(shí)分子的平均動(dòng)能增大，但并不是每個(gè)分子動(dòng)能都增大；掌握熱力學(xué)第一定律的基本內(nèi)容和應(yīng)用，知道做功和熱傳遞均可以改變物體的內(nèi)能；明確氣體壓強(qiáng)的微觀意義，能明確溫度和體積變化時(shí)壓強(qiáng)的變化情況．

溫度是分子平均動(dòng)能的標(biāo)志，溫度升高分子的平均動(dòng)能增大，分子熱運(yùn)動(dòng)加劇，但個(gè)別分子的速率可能還會(huì)減小，故A正確；做功和熱傳遞都可以改變物體的內(nèi)能，在物體吸收熱量時(shí)對外做的功大于吸收的熱，則其內(nèi)能減小，故B正確；一定量的理想氣體分子平均動(dòng)能不變時(shí)，故其溫度不變，單個(gè)分子與器壁碰撞時(shí)的作用力不變，但由于分子間距減小，單位時(shí)間內(nèi)分子撞擊的個(gè)數(shù)增加，致使氣體的壓強(qiáng)增大，故C錯(cuò)誤；內(nèi)能是構(gòu)成物質(zhì)的所有分子動(dòng)能和勢能之和，溫度高的氣體分子平均動(dòng)能大，理想氣體沒有分子勢能，但由于分子個(gè)數(shù)不知，故不能確定內(nèi)能的大小，故D錯(cuò)誤；由△U=W+Q可知△U=1.5×104 J，即氣體內(nèi)能增加，溫度升高，又因氣體對外做功，體積膨脹，故密度減小，故E正確．故選ABE．

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】某人騎自行車在平直道路上行進(jìn)，圖中的實(shí)線記錄了自行車開始一段時(shí)間內(nèi)的v-t圖象，某學(xué)為了簡化計(jì)算，用虛線作近似處理，下列說法正確的是

A. 在t1時(shí)刻，虛線反映的加速度比實(shí)際的大

B. 在t3-t4時(shí)間內(nèi)，虛線反映的是勻速運(yùn)動(dòng)

C. 在0-t1時(shí)間內(nèi)，由虛線計(jì)算出的平均速度比實(shí)際的大

D. 在t1-t2時(shí)間內(nèi)，由虛線計(jì)算出的位移比實(shí)際的大

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，一個(gè)絕緣且內(nèi)壁光滑的環(huán)形細(xì)圓管，固定于豎直平面內(nèi)，環(huán)的半徑為R（比細(xì)管的內(nèi)徑大得多），在圓管內(nèi)的最低點(diǎn)有一個(gè)直徑略小于細(xì)管內(nèi)徑的帶正電小球處于靜止?fàn)顟B(tài)，小球的質(zhì)量為m，帶電荷量為q，重力加速度為g．空間存在一磁感應(yīng)強(qiáng)度大小未知（不為零），方向垂直于球形細(xì)圓管所在平面且向里的勻強(qiáng)磁場．某時(shí)刻，給小球一方向水平向右，大小為的初速度，則以下判斷正確的是（ ）

A. 無論磁感應(yīng)強(qiáng)度大小如何，獲得初速度后的瞬間，小球在最低點(diǎn)一定受到管壁的彈力作用

B. 無論磁感應(yīng)強(qiáng)度大小如何，小球一定能到達(dá)環(huán)形細(xì)管的最高點(diǎn)，且小球在最高點(diǎn)一定受到管壁的彈力作用

C. 無論磁感應(yīng)強(qiáng)度大小如何，小球一定能到達(dá)環(huán)形細(xì)管的最高點(diǎn)，且小球到達(dá)最高點(diǎn)時(shí)的速度大小都相同

D. 小球從環(huán)形細(xì)圓管的最低點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到所能到達(dá)的最高點(diǎn)的過程中，機(jī)械能不守恒

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】一定質(zhì)量的理想氣體的狀態(tài)變化過程如圖所示，AB為一條直線，則氣體從狀態(tài)A到狀態(tài)B的過程中　　

A. 氣體分子平均動(dòng)能保持不變

B. 氣體分子平均動(dòng)能先增大后減小到初始狀態(tài)

C. 整個(gè)過程中氣體對外不做功

D. 氣體的密度在不斷增大

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖甲所示是某同學(xué)探究加速度與力的關(guān)系的實(shí)驗(yàn)裝置．他在氣墊導(dǎo)軌上安裝了一個(gè)光電門B．滑塊上固定一遮光條，滑塊用細(xì)線繞過氣墊導(dǎo)軌左端的定滑輪與力傳感器相連，傳感器下方懸掛鉤碼，每次滑塊都從A處由靜止釋放。

⑴ 該同學(xué)用游標(biāo)卡尺測量遮光條的寬度d，如圖乙所示，則d =__________mm．

⑵ 實(shí)驗(yàn)時(shí)，將滑塊從A位置由靜止釋放，由數(shù)字計(jì)時(shí)器讀出遮光條通過光電門B的時(shí)間t。如果由圖甲中的刻度尺測得滑塊在A位置時(shí)遮光條到光電門的距離為L，滑塊的加速度的表達(dá)式是________。

⑶ 改變鉤碼質(zhì)量，測出對應(yīng)的力傳感器的示數(shù)F和遮光條通過光電門的時(shí)間t，通過描點(diǎn)作出了一條過原點(diǎn)的傾斜直線。已知圖像的橫軸為F，則圖像的縱軸為_______（選填），如果圖像的斜率為k，可求得滑塊的質(zhì)量的表達(dá)式為__________。

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】一傾角為α的斜劈放在水平地面上，一物體沿斜劈勻速下滑．現(xiàn)給物體施加如圖所示的力F，F與豎直方向夾角為β，斜劈仍靜止，則此時(shí)地面對斜劈的摩擦力(　　)

A. 大小為零

B. 方向水平向右

C. 方向水平向左

D. 無法判斷大小和方向

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，A、B兩物塊的質(zhì)量分別為2m和m，靜止疊放在水平地面上。A、B間的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ，B與地面間的動(dòng)摩擦因數(shù)為。最大靜摩擦力等于滑動(dòng)摩擦力，重力加速度為g�，F(xiàn)對A施加一水平拉力F，則（ ）

A. 當(dāng)F＜2μmg時(shí)，A、B都相對地面靜止

B. 當(dāng)F＝時(shí)，A的加速度為

C. 當(dāng)F＞3μmg時(shí)，A相對B滑動(dòng)

D. 無論F為何值，B的加速度不會(huì)超過

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】在“測定勻加速直線運(yùn)動(dòng)的加速度“實(shí)驗(yàn)中，得到一條紙帶如圖.紙帶上的A、B、C、D、E是連續(xù)的計(jì)數(shù)點(diǎn)(每兩個(gè)相鄰計(jì)數(shù)點(diǎn)之間還有四個(gè)打點(diǎn)沒有畫出),打點(diǎn)計(jì)時(shí)器接在頻率為50Hz的低壓交流電源上，測得AB=3.00cm, BC=4.20 cm, CD=5.40cm， DE=6.60cm.

則(1)相鄰的計(jì)數(shù)點(diǎn)間的時(shí)間間隔為______S;

(2)紙帶上計(jì)數(shù)點(diǎn)AD之間的平均速度v=______m/s

(3)在打點(diǎn)計(jì)時(shí)器打下B點(diǎn)時(shí)，小車的速度VB=______m/s;

(4)小車做勻變速直線運(yùn)動(dòng)的加速度a=______ m/s2.

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示,兩平行的光滑金屬導(dǎo)軌安裝在豎直面上,導(dǎo)軌間距為L、足夠長,下部條形勻強(qiáng)磁場的寬度為d,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向與導(dǎo)軌平面垂直,上部條形勻強(qiáng)磁場的寬度為2d,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B0,方向平行導(dǎo)軌平面向下,在上部磁場區(qū)域的上邊緣水平放置導(dǎo)體棒(導(dǎo)體棒與導(dǎo)軌絕緣),導(dǎo)體棒與導(dǎo)軌間存在摩擦,動(dòng)摩擦因數(shù)為μ。長度為2d的絕緣棒將導(dǎo)體棒和正方形的單匝線框連接在一起組成“”型裝置,總質(zhì)量為m,置于導(dǎo)軌上,導(dǎo)體棒中通以大小恒為I的電流(由外接恒流源產(chǎn)生,圖中未圖出),線框的邊長為d(d<L),下邊與磁場區(qū)域上邊界重合。將裝置由靜止釋放,導(dǎo)體棒恰好運(yùn)動(dòng)到磁場區(qū)域的下邊界處返回,導(dǎo)體棒在整個(gè)運(yùn)動(dòng)過程中始終與導(dǎo)軌接觸并且相互垂直。重力加速度為g。求:

(1)裝置剛開始時(shí)導(dǎo)體棒受到安培力的大小和方向;

(2)裝置從釋放到開始返回的過程中,線框中產(chǎn)生的焦耳熱Q;

(3)線框第一次穿出下方磁場下邊時(shí)的速度;

(4)若線框第一次穿越下方磁場區(qū)域所需的時(shí)間為t,求線框電阻R。

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