【題目】如圖所示，木板與水平地面間的夾角θ可以隨意改變，當(dāng)θ=37°時(shí)，可視為質(zhì)點(diǎn)的小木塊恰好能沿著木板勻速下滑．若讓該小木塊從木板的底端以v0=10m/s的速度沿木板向上運(yùn)動(dòng)，隨著θ的改變，小木塊沿木板向上滑行的距離將發(fā)生變化。已知 sin37°＝0.6，cos37°＝0.8，重力加速度為g=10m/s2。

（1）小木塊與木板間的動(dòng)摩擦因數(shù)；

（2）當(dāng)θ角為多大時(shí)，小木塊能沿木板向上滑行的距離最小，并求出此最小值。

【答案】（1）0.75（2）4m

【解析】（1）當(dāng)小木塊向下滑動(dòng)且θ＝37°時(shí)，

對小木塊受力分析 mgsinθ＝μFN

FN－mgcos θ＝0

則動(dòng)摩擦因數(shù)為：μ＝tanθ＝tan 37°＝0.75

（2）當(dāng)小木塊向上運(yùn)動(dòng)時(shí)，小木塊的加速度為a，則mgsinθ＋μmgcosθ＝ma

小木塊的位移為x，v02＝2ax

則

令tan α＝μ，則當(dāng)α＋θ＝90°時(shí)x最小，即θ＝53°

最小值為

代入數(shù)據(jù)得Xnim=4m

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】忽略空氣阻力，下列物體運(yùn)動(dòng)過程中滿足機(jī)械能守恒的是

A. 電梯勻速下降

B. 物體自由下落

C. 物體由光滑斜面頂端滑到斜面底端

D. 物體沿著斜面勻速下滑

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】某同學(xué)使用有透光狹縫的鋼條和光電計(jì)時(shí)器的裝置測量重力加速度(圖1)。在鋼條下落過程中，鋼條擋住光源發(fā)出的光時(shí)，計(jì)時(shí)器開始計(jì)時(shí)，透光時(shí)停止計(jì)時(shí)，若再次擋光，計(jì)時(shí)器將重新開始計(jì)時(shí)。實(shí)驗(yàn)中該同學(xué)將鋼條豎直置于一定高度（下端A高于光控開關(guān)），由靜止釋放，測得先后兩段擋光時(shí)間t1和t2。

①用游標(biāo)卡尺測量、的長度，其中的長度如圖2所示，其值為___________mm；

②若狹縫寬度忽略，則該同學(xué)利用， 求出和后，則重力加速度_________________ ；

③若狹縫寬度不能忽略，仍然按照②的方法得到的重力加速度值比其真實(shí)值________(填“偏大”或“偏小”)。

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，坐標(biāo)軸y過半徑為R的圓形區(qū)域的圓心，坐標(biāo)軸x與該區(qū)域相切。AB為磁場圓的水平直徑，P點(diǎn)到AB的距離為。圓形區(qū)域內(nèi)存在垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場Ⅱ。離子速度選擇器的極板平行于坐標(biāo)軸x，板間存在方向互相垂直的勻強(qiáng)電場和勻強(qiáng)磁場Ⅰ，且電場強(qiáng)度大小為E，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B1。垂直坐標(biāo)軸x放置的加速電場中的離子源M，緊靠右極板，可釋放初速度為零的帶電離子。離子在加速電場加速后恰好沿坐標(biāo)軸x負(fù)方向勻速通過離子速度選擇器，然后從P點(diǎn)射入圓形區(qū)域勻強(qiáng)磁場Ⅱ，并從坐標(biāo)原點(diǎn)O射出磁場Ⅱ。已知加速電場的電壓為U0。不計(jì)離子重力。求：

(1) 離子電性和比荷；

(2) 圓形區(qū)域內(nèi)勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B2；

(3) 離子在圓形區(qū)域勻強(qiáng)磁場中的運(yùn)動(dòng)時(shí)間。

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，AC和BC兩輕繩共同懸掛一質(zhì)量為m的物體，若保持AC繩的方向不變，AC與豎直向上方向的夾角為60°，改變BC繩的方向，θ為BC與豎直向上方向的夾角，試求：

（1）物體能達(dá)到平衡時(shí)，θ角的取值范圍；

（2）θ在0~90°的范圍內(nèi)，BC繩上拉力的最大值和最小值。

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示,A板發(fā)出的電子經(jīng)加速后,水平射入水平放置的兩平行金屬板間,金屬板間所加的電壓為U。電子最終打在熒光屏P上,關(guān)于電子的運(yùn)動(dòng),下列說法中正確的是( )

A. 滑動(dòng)觸頭向右移動(dòng)時(shí),電子打在P上的位置上升

B. 滑動(dòng)觸頭向左移動(dòng)時(shí),電子打在P上的位置上升

C. 電壓U增大時(shí),電子從發(fā)出到打在P上的時(shí)間不變

D. 電壓U增大時(shí),電子打在P上的速度大小不變

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖，真空中有兩個(gè)等量異種點(diǎn)電荷A、B，M、N、O是AB連線的垂線上點(diǎn)，且BO＞AO。一質(zhì)子僅在電場力作用下，其運(yùn)動(dòng)軌跡如下圖中實(shí)線所示。設(shè)M、N兩點(diǎn)的場強(qiáng)大小分別為EM、EN，電勢分別為φM、φN。下列判斷中正確的是（ ）

A. A點(diǎn)電荷一定帶正電

B. EM＞EN

C. φ M＞φN

D. 若質(zhì)子從N運(yùn)動(dòng)到M，電場力做正功

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】在xOy平面內(nèi)，有沿y軸負(fù)方向的勻強(qiáng)電場，場強(qiáng)大小為E（圖象未畫出），由A點(diǎn)斜射出一質(zhì)量為m、帶電量為+q的粒子，B和C是粒子運(yùn)動(dòng)軌跡上的兩點(diǎn)，如圖所示，其中l(wèi)0為常數(shù)，粒子所受重力忽略不計(jì)，求：

（1）粒子從A到C過程中電場力對它做的功；

（2）粒子從A到C過程所經(jīng)歷的時(shí)間；

（3）粒子經(jīng)過C點(diǎn)時(shí)的速率．

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】以下與放射性元素半衰期有關(guān)的因素是(　　)

A. 核電荷數(shù)B. 化合狀態(tài)

C. 溫度D. 壓強(qiáng)

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