如圖所示，導(dǎo)線框MNQP近旁有一個跟它在同一豎直平面內(nèi)的矩形線圈abcd。下列說法正確的是
[     ]
A．當(dāng)電阻變大時，abcd中有感應(yīng)電流
B．當(dāng)電阻變小時，abcd中有感應(yīng)電流
C．電阻不變，將abcd在其原來所在的平面內(nèi)向PQ靠近時，其中有感應(yīng)電流
D．電阻不變，將abcd在其原來所在的平面內(nèi)豎直向上運(yùn)動時，其中有感應(yīng)電流
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，導(dǎo)線框abcd置于磁場方向豎直向下的勻強(qiáng)磁場中，可繞MN軸轉(zhuǎn)動，導(dǎo)線框中通以MabcdN方向的恒定電流I后，導(dǎo)線框往紙外偏轉(zhuǎn)θ角而達(dá)到平衡，如果改用密度為原來材料1/2的材料做成線框，要使靜止時與豎直方向的夾角θ角保持不變，則可以（　�。�

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，導(dǎo)線框中電流為I，導(dǎo)線框垂直于磁場放置，勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，AB與CD相距為d，則MN所受安培力大小為（　�。�

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖所示，導(dǎo)線框中電流為I，導(dǎo)線框垂直于磁場放置，勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，AB與CD相距為d，則MN所受安培力大小為（　�。�
A．F=BIdB．F=BIdsinθC．F=BId/sinθD．F=BIdcosθ
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科目：高中物理 來源：2008-2009學(xué)年山東省焦作市高三（上）期末物理試卷（解析版） 題型：選擇題

如圖所示，導(dǎo)線框中電流為I，導(dǎo)線框垂直于磁場放置，勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，AB與CD相距為d，則MN所受安培力大小為（ ）

A．F=BId
B．F=BIdsinθ
C．F=BId/sinθ
D．F=BIdcosθ

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科目：高中物理 來源：2006-2007學(xué)年上海市普陀區(qū)高三（上）期末物理試卷（解析版） 題型：選擇題

如圖所示，導(dǎo)線框abcd置于磁場方向豎直向下的勻強(qiáng)磁場中，可繞MN軸轉(zhuǎn)動，導(dǎo)線框中通以MabcdN方向的恒定電流I后，導(dǎo)線框往紙外偏轉(zhuǎn)θ角而達(dá)到平衡，如果改用密度為原來材料1/2的材料做成線框，要使靜止時與豎直方向的夾角θ角保持不變，則可以（ ）

A．僅將磁感應(yīng)強(qiáng)度減為原來的1/2
B．僅將bc的長度減為原來的1/2
C．僅將電流減為原來的1/2
D．僅將ab、cd的長度減為原來的1/2

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