【題目】如圖所示,水平放置的U形光滑框架上接一個能值為的電阻,放在垂直紙面向里的、場強(qiáng)大小為B的勻強(qiáng)磁場中,一個半徑為L、質(zhì)量為m的半圓形硬導(dǎo)體AC在水平向右的恒定外力F的作用下,由靜止開始運(yùn)動路離d后速度達(dá)到v,半圓形硬導(dǎo)體AC的電阻為r,其余電阻不計。下列說法不正確的是( )
A. 此時AC兩端電壓為
B. 此過程中電路產(chǎn)生的電熱
C. 此過程中通過電阻的電荷量為
D. 此過程所用時間
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示,半球形物體A和小球B緊靠著放在一固定斜面上,并處于靜止?fàn)顟B(tài),忽略小球B表面的摩擦,用水平力F沿物體A表面將小球B緩慢拉至物體A的最高點(diǎn)C,物體A始終保持靜止?fàn)顟B(tài),則下列說法中正確的是( )
A. 物體A受到4個力的作用
B. 物體A受到斜面的摩擦力大小始終不變
C. 小球B對物體A的壓力大小始終不變
D. 小球B對物體A的壓力大小一直增加
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】發(fā)射地球同步衛(wèi)星要經(jīng)過三個階段:先將衛(wèi)星發(fā)射至近地圓軌道1,然后使其沿橢圓軌道2運(yùn)行,最后將衛(wèi)星送入同步圓軌道3.軌道1、2相切于Q點(diǎn),軌道2、3相切于P點(diǎn),如圖所示.當(dāng)衛(wèi)星分別在1、2、3軌道上正常運(yùn)行時,以下說法正確的是( )
A. 衛(wèi)星在軌道1上經(jīng)過Q點(diǎn)時的加速度等于它在軌道2上經(jīng)過Q點(diǎn)時的加速度
B. 衛(wèi)星在軌道1上經(jīng)過Q點(diǎn)時的速度等于它在軌道2上經(jīng)過Q點(diǎn)時的速度大小
C. 衛(wèi)星在軌道3上的速度大于它在軌道1上的速度
D. 衛(wèi)星由2軌道變軌到3軌道在P點(diǎn)要加速
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖甲所示為電場中的一條電場線,在電場線上建立坐標(biāo)軸,則坐標(biāo)軸上間各點(diǎn)的電勢分布如圖乙所示,則( )
A. 在間,場強(qiáng)先減小后增大
B. 在間,場強(qiáng)方向一定發(fā)生了變化
C. 若一負(fù)電荷從O點(diǎn)運(yùn)動到點(diǎn),電勢能逐漸減小
D. 從O點(diǎn)靜止釋放一僅受電場力作用的正電荷,則該電荷在間一直做加速運(yùn)動
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示,質(zhì)量為m的木塊P在質(zhì)量為M的長木板ab上滑行,長木板放在水平地面上一直處于靜止?fàn)顟B(tài).若長木板ab與地面間的動摩擦因數(shù)為μ1,木塊P與長木板ab間的動摩擦因數(shù)為μ2,則長木板ab受到地面的摩擦力大小為()
A. μ1Mg B. μ1(m+M)g
C. μ2mg D. μ1Mg+μ2mg
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示,紙面內(nèi)有一矩形導(dǎo)體閉合線框abcd,置于垂直紙面向里、邊界為MN的勻強(qiáng)磁場外,線框的ab邊平行磁場邊界MN,線框以垂直于MN速度勻速地完全進(jìn)入磁場,線框上產(chǎn)生的熱量為Q1,通過線框?qū)w橫截面的電荷量為q1,F(xiàn)將線框進(jìn)入磁場的速度變?yōu)樵瓉淼膬杀,線框上產(chǎn)生的熱量為Q2,通過線框?qū)w橫截面的電荷量為q2,則有
A. Q2=Q1 q2=q1 B. Q2=2Q1 q2=2q1 C. Q2=2Q1 q2=q1 D. Q2=4Q1 q2=2q1
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖甲所示,MN是一個螺線管,A是在MN的正下方放置在絕緣水平桌面上的金屬圓環(huán),F(xiàn)在a、b兩端接入如圖乙所示的正弦交流電,設(shè)電流從a端流入為正方向,下列說法正確的是
A. 0~t1時間內(nèi)A環(huán)對桌面的壓力不斷增加
B. 0~t1時間內(nèi)A環(huán)對桌面的壓力先增加后減小
C. t1~t2和t2~t3時間內(nèi)A環(huán)中的電流方向相同
D. t3~t4時間內(nèi)A環(huán)對桌面的壓力大于A環(huán)的重力
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示,某人向放在水平地面上正前方的小桶中拋球,球被拋出時的速度沿水平方向,結(jié)果球越過小桶落到小桶的后方。為了能把小球拋進(jìn)小桶中,可能做出的調(diào)整為(不計空氣阻力)( )
A. 拋出點(diǎn)高點(diǎn)不變,增大初速度
B. 拋出點(diǎn)高點(diǎn)不變,減小初速度
C. 初速度不變,降低拋出點(diǎn)高點(diǎn)
D. 初速度不變,增大拋出點(diǎn)高點(diǎn)
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示裝置中,區(qū)域I中有豎直向上的勻強(qiáng)電場,電場強(qiáng)度為E,區(qū)域Ⅱ內(nèi)有垂直紙面向外的水平勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,區(qū)域Ⅲ中有垂直紙面向里的水平勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度為2B.一質(zhì)量為m、帶電荷量為q的帶負(fù)電粒子從左邊界O點(diǎn)正上方的M點(diǎn)以速度水平射入電場,經(jīng)水平分界線OP上的A點(diǎn)與OP成角射入Ⅱ區(qū)域的磁場,并垂直豎直邊界CD進(jìn)入Ⅲ區(qū)域的勻強(qiáng)磁場中。(粒子重力不計)求:
(1)粒子在Ⅱ區(qū)域勻強(qiáng)磁場中運(yùn)動的軌道半徑;
(2)O、A間的距離;
(3)粒子從M點(diǎn)出發(fā)到第二次通過CD邊界所經(jīng)歷的時間。
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