一個氫離子以速度v垂直電場方向飛入平行板電容器的兩板間,它飛離電場時的偏轉(zhuǎn)距離為d.如果換成一個兩價氦離子以速度2v沿同樣的方向飛入該電場,則飛離電場時的偏轉(zhuǎn)距離為________.

解析:偏距y=at2=,則有y,求得.

答案:d/8

練習(xí)冊系列答案
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個氫離子以速度v垂直電場方向飛入平行板電容器的兩板間,它飛離電場時的偏轉(zhuǎn)距離為d.如果換成一個兩價氦離子以速度2v沿同樣的方向飛入該電場,則飛離電場時的偏轉(zhuǎn)距離為多大?

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一個負粒子,質(zhì)量為m,電量為q,以速度v垂直于屏S經(jīng)過小孔O射入存在著勻強磁場的真空室中,如圖所示,磁感應(yīng)強度B的方向與離子的運動方向垂直,并垂直紙面向里,求:離子進入磁場后到達屏上的位置與O點的距離和該過程的運動時間。

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(7分)一個氫離子以垂直于電場方向的速度飛入平行板電容器的兩極板間的電場,它飛離電場時的偏轉(zhuǎn)距離為。如果換成一個電荷量是氫離子的2倍、質(zhì)量是氫離子4倍的二價的氦離予以速度沿著同樣的方向飛入該電場,那么氦離子飛離電場時的偏轉(zhuǎn)距離是多少?

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一個氫離子以速度v垂直電場方向飛入平行板電容器的兩板間,它飛離電場時的偏轉(zhuǎn)距離為d.如果換成一個二價氦離子以速度2v沿同樣的方向飛入該電場,則飛離電場時的偏轉(zhuǎn)距離為___________.

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