.隨著人類航天事業(yè)的進步,太空探測越來越向深空發(fā)展,火星正在成為全球航天界的“寵兒”。美國正在致力于火星探測計劃,計劃到2025年完成火星探測活動。假設(shè)某宇航員登上了火星,在其表面以初速度豎直上拋一小球(小球僅受火星的引力作用),小球上升的最大高度為h,火星的直徑為d,引力常量為G,則( )
A. 火星的第一宇宙速度為
B.火星的密度為
C. 火星的質(zhì)量為
D.火星的“同步衛(wèi)星”運行周期為
科目:高中物理 來源:2015-2016學(xué)年黑龍江牡丹江一中高一上期期末考試物理卷(解析版) 題型:選擇題
一位同學(xué)乘坐電梯從六樓下到一樓的過程中,其v-t圖象如圖所示.下列說法正確的是( )
A.前2s內(nèi)該同學(xué)處于超重狀態(tài)
B.最后1s內(nèi)該同學(xué)的加速度是前2s內(nèi)的2倍
C.該同學(xué)在10s內(nèi)的平均速度是1m/s
D.該同學(xué)在10s內(nèi)通過的位移是17m
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科目:高中物理 來源:2016屆上海市十一校高三12月聯(lián)考物理卷(解析版) 題型:填空題
設(shè)地球半徑為R,地球表面的重力加速度為g,若某質(zhì)量為m的地球同步通訊衛(wèi)星,離開地面的高度為H ,則它繞地球運行時所受的向心力大小為________,運行時的線速度大小為________。
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科目:高中物理 來源:2016屆山東省菏澤市高三上學(xué)期期中考試物理卷(解析版) 題型:選擇題
下列幾種情況,不可能發(fā)生的是( )
A.位移和加速度反向 B.速度不變,加速度在變
C.速度和加速度反向 D.加速度不變,速度在變
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科目:高中物理 來源:2016屆內(nèi)蒙古鄂爾多斯三中高三上學(xué)期第四次考試物理卷(解析版) 題型:計算題
如圖,在兩水平極板間存在勻強電場和勻強磁場,電場方向豎直向下,磁場方向垂直于紙面向里。一帶電粒子以某一速度沿水平直線通過兩極板。若不計重力,下列四個物理量中哪一個改變時,粒子運動軌跡不會改變?( )
A.粒子速度的大小
B.粒子所帶電荷量
C.電場強度
D.磁感應(yīng)強度
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科目:高中物理 來源:2016屆江蘇淮安淮海中學(xué)高三12月月考物理卷(解析版) 題型:選擇題
如圖所示,電源A的電壓為6V,電源B的電壓為8V,電容器的電容為200PF,當(dāng)開關(guān)S合向A,穩(wěn)定后再合向B,再次達到穩(wěn)定,則在這個過程中通過電流計的電荷量為( )
A.4×10-9C B.1. 2×10-9C
C.1. 6×10-9C D.2. 8×10-9C
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科目:高中物理 來源:2016屆甘肅嘉峪關(guān)一中高三上學(xué)期第三次模擬考試物理卷(解析版) 題型:選擇題
下列說法正確的是( )
A.盧瑟福通過粒子散射實驗證實了在原子核內(nèi)部存在質(zhì)子
B.鈾核()衰變?yōu)殂U核()的過程中,要經(jīng)過8次衰變和6次衰變
C.按照愛因斯坦的理論,在光電效應(yīng)中,金屬中的電子吸收一個光子獲得的能量是,這些能量的一部分用來克服金屬的逸出功W0,剩下的表現(xiàn)為逸出后電子的初動能Ek
D.玻爾的原子理論第一次將量子觀念引入原子領(lǐng)域,提出了定態(tài)和躍遷的概念,成功地解釋了所有原子光譜的實驗規(guī)律。
E.鈾核()衰變成離子和另一原子核,衰變產(chǎn)物的結(jié)合能之和一定大于鈾核的結(jié)合能
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科目:高中物理 來源:2015-2016學(xué)年云南德宏州芒第一中學(xué)高一上期期末考試物理卷(解析版) 題型:選擇題
關(guān)于兩個大小不變的共點力F1、F2與其合力F的關(guān)系,下列說法中正確的是( )
A.F大小隨F1、F2間夾角的增大而增大
B.F大小隨F1、F2間的夾角的增大而減小
C.F大小一定大于F1、F2中最大者
D.F大小不能小于F1、F2中最小者
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科目:高中物理 來源:2015-2016學(xué)年河南省豫西名校高二聯(lián)考物理卷(解析版) 題型:選擇題
物體導(dǎo)電是由其中的自由電荷定向移動引起的,這些可以移動的自由電荷又叫載流子.金屬導(dǎo)體的載流子是自由電子,現(xiàn)代廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體材料分為兩大類:一類是N型半導(dǎo)體,它的載流子為電子;另一類是P型半導(dǎo)體,它的載流子為“空穴”,相當(dāng)于帶正電的粒子,如果把某種材料制成的長方體放在勻強磁場中,磁場方向如圖所示,且與前后側(cè)面垂直,長方體中通有方向水平向右的電流,設(shè)長方體的上下表面M、N的電勢分別為φM和φN,則下列判斷中正確的是( )
A.如果是P型半導(dǎo)體,有φM>φN
B.如果是N型半導(dǎo)體,有φM<φN
C.如果是P型半導(dǎo)體,有φM<φN
D.如果是金屬導(dǎo)體,有φM<φN
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