目前記憶體技術(shù)可達(dá)到的資料儲(chǔ)存密度最高為108 byte/cm2(1byte=1位組=8位),但納米科技極可能突破此上限。例如圖所示的設(shè)計(jì),鉆石表面上的氫與氟原子,可分別代表0與1位,若納米碳管探針頭的原子(如氮或硼),對(duì)氫與氟原子分別具有吸引與排斥作用力,則可據(jù)此區(qū)別0與1位,下列與此納米科技有關(guān)的敘述,正確的是

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A.氫原子的直徑大約為10納米
B.納米碳管探針頭的原子直徑愈大愈有利于區(qū)別0與1位
C.此納米科技預(yù)期可使資料儲(chǔ)存密度提高到目前最高密度的數(shù)萬(wàn)倍以上
D.位于表面上代表0與1位的兩種原子,其直徑愈大愈有利于提高資料儲(chǔ)存密度
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