【題目】下列說(shuō)法正確的是 ______。
A.分子勢(shì)能隨分子間距的圖像斜率越大,則分子力也越大
B.浸潤(rùn)是附著層內(nèi)分子之間的作用表現(xiàn)為斥力,不浸潤(rùn)是附著層內(nèi)分子之間的作用表現(xiàn)為引力
C.在任何自然過(guò)程中,一個(gè)孤立系統(tǒng)的總熵可能增加也可能減小
D.布朗運(yùn)動(dòng)中的固體顆粒在做無(wú)規(guī)則運(yùn)動(dòng)說(shuō)明固體分子在做無(wú)規(guī)則熱運(yùn)動(dòng)
E.一定質(zhì)量的單晶體在熔化過(guò)程中分子勢(shì)能一定是增大的
【答案】ABE
【解析】分子力做了多少功,分子勢(shì)能就改變多少,即,即分子勢(shì)能隨分子間距的圖象斜率表分子力的大小,故圖象的斜率越大,則分子力的大小也越大,故A正確;液體與固體之間表現(xiàn)為浸潤(rùn)時(shí),附著層內(nèi)分子之間的作用力表現(xiàn)為斥力,附著層出現(xiàn)擴(kuò)展的趨勢(shì);不浸潤(rùn)現(xiàn)象是由于液體附著層內(nèi)分子間的作用力表現(xiàn)為引力,則附著層有收縮的趨勢(shì),故B正確;根據(jù)熱力學(xué)第二定律可知,在任何自然過(guò)程中,一個(gè)孤立系統(tǒng)的總熵一定不會(huì)減小。故C錯(cuò)誤。布朗運(yùn)動(dòng)是懸浮在液體中的固體小顆粒的運(yùn)動(dòng),它間接說(shuō)明液體分子永不停息地做無(wú)規(guī)則熱運(yùn)動(dòng),故D錯(cuò)誤;一定質(zhì)量的單晶體在熔化過(guò)程中溫度不變,因吸收熱量,分子勢(shì)能一定是增大的;故E正確。故選ABE.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】我國(guó)首個(gè)目標(biāo)飛行器“天宮一號(hào)”2016年3月16日全面完成使命,于2018年4月2日返回地球燒毀假如在返回過(guò)程中遇到了其他太空垃圾,如圖所示,A為某太空垃圾,B為“天宮一號(hào)”,當(dāng)兩軌道相交時(shí)即為它們的相遇點(diǎn)P、Q兩點(diǎn),則下列說(shuō)法正確的是
A. A、B在P點(diǎn)或Q點(diǎn)相遇時(shí)于一定具有相同的加速度
B. A、B在P點(diǎn)或Q點(diǎn)相遇時(shí)一定具有相同的速度
C. A、B一定具有相同的運(yùn)動(dòng)周期
D. A、B一定具有相同的機(jī)械能
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】下圖為某機(jī)器人上測(cè)量物體位移的傳感器示意圖。工作時(shí),保證電容極板電量不變,電介質(zhì)板與被測(cè)物體相連,當(dāng)物體如圖左右移動(dòng)時(shí),通過(guò)靈敏電壓傳感器的電壓顯示被測(cè)物體的位移。下列說(shuō)法正確的有
A. 被測(cè)物體右移時(shí),電容器的電容變大
B. 被測(cè)物體右移時(shí),電容器極板間電壓變大
C. 被測(cè)物體左移時(shí),電容器內(nèi)存儲(chǔ)的電能增大
D. 可以用一個(gè)靈敏度足夠高的磁電式電壓表替代圖中的靈敏電壓傳感器
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】“測(cè)定玻璃的折射率”實(shí)驗(yàn)中,白紙上放好玻璃磚,在玻璃磚的一側(cè)插上兩枚大頭針P1和P2,然后在另一側(cè)透過(guò)玻璃磚觀察,并依次插上大頭針P3和P4。
①在插P3和P4時(shí),正確的操作是_________________
A、使P3只擋住P2的像
B、使P4只擋住P3的像
C、使P3能同時(shí)擋住P2和P1的像
D、使P4能同時(shí)擋住P3和P2和P1的像
②如圖,請(qǐng)將光路圖補(bǔ)充完整,并在圖中標(biāo)出光線進(jìn)入玻璃磚發(fā)生折射現(xiàn)象的入射角θ1和折射角θ2___
③對(duì)入射角θ1和折射角θ2進(jìn)行測(cè)量,根據(jù)折射率n=______可計(jì)算得出玻璃的折射率
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】如圖所示,光滑的輕滑輪通過(guò)支架固定在天花板上,一足夠長(zhǎng)的細(xì)繩跨過(guò)滑輪,一端懸掛小球b,另一端與套在水平細(xì)桿上的小球a連接。在水平拉力F作用下小球a從圖示虛線(最初是豎直的)位置開(kāi)始緩慢向右移動(dòng)(細(xì)繩中張力大小視為不變)。已知小球b的質(zhì)量是小球a的2倍,滑動(dòng)摩擦力等于最大靜摩擦力,小球a與細(xì)桿間的動(dòng)摩擦因數(shù)為。則下列說(shuō)法正確的是()
A. 當(dāng)細(xì)繩與細(xì)桿的夾角為30°時(shí),桿對(duì)a球的支持力為零
B. 支架對(duì)輕滑輪的作用力大小逐漸增加
C. 支架對(duì)a球的摩擦力先減小后增加
D. 若時(shí),拉力F先減小后增加
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】用如圖所示的裝置測(cè)量物塊與長(zhǎng)木板間的動(dòng)摩擦因數(shù),長(zhǎng)木板和半圓弧體平滑連接且固定在水平面上,長(zhǎng)木板的左端固定以光電門,長(zhǎng)木板足夠長(zhǎng),讓裝有遮光片的物塊從圓弧面上某一位置下滑,物塊通過(guò)光電門時(shí),與光電門相連的數(shù)字計(jì)時(shí)器可以記錄遮光片通過(guò)光電門的遮光時(shí)間,已知遮光片的寬度為d,重力加速度為g。
(1)讓物塊從圓弧面上某處下滑,物塊通過(guò)光電門時(shí),數(shù)字計(jì)時(shí)器記錄的時(shí)間為t,測(cè)出物塊通過(guò)光電門后在長(zhǎng)木板上滑行的距離為x,則物塊通過(guò)光電門的速度為_____,則物塊與長(zhǎng)木板間的動(dòng)摩擦因數(shù)為_____。
(2)通過(guò)改變物塊在圓弧面上開(kāi)始下滑的位置,測(cè)出多組物塊通過(guò)光電門的時(shí)間t及物塊在長(zhǎng)木板上滑行的距離x,如果要通過(guò)圖像處理數(shù)據(jù),且要使作出的圖像是線性圖像,則當(dāng)橫軸為x時(shí),縱軸應(yīng)為_____(填“t”“ ”或),如果作出的圖像斜率為k,則物塊與斜面體間的動(dòng)摩擦因數(shù)為_____。
(3)關(guān)于該實(shí)驗(yàn)下列說(shuō)法中正確的是_____。
A.圓弧面越光滑越好 B.物塊每次必須在同一位置靜止開(kāi)始下滑
C.遮光片寬度越小,實(shí)驗(yàn)誤差越小 D.滑塊質(zhì)量的按下對(duì)測(cè)量結(jié)果沒(méi)有影響
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】下列說(shuō)法中正確的是( )
A. 由R= 可知,若電阻兩端所加電壓為0,則此時(shí)電阻阻值為0
B. 由E= 可知,若檢驗(yàn)電荷在某處受電場(chǎng)力大小為0,說(shuō)明此處場(chǎng)強(qiáng)大小一定為0
C. 由B= 可知,若一小段通電導(dǎo)體在某處受磁場(chǎng)力大小為0,說(shuō)明此處磁感應(yīng)強(qiáng)度大小一定為0
D. 由E=n 可知,若通過(guò)回路的磁通量大小為0,則感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的大小也為0
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】某同學(xué)為驗(yàn)證牛頓第二定律而設(shè)計(jì)的滑輪裝置,實(shí)驗(yàn)裝置如圖所示,圖中繩子不可伸長(zhǎng),已知左側(cè)托盤及砝碼質(zhì)量為m1,右側(cè)托盤及砝碼質(zhì)量為m2,且m1>m2,現(xiàn)由靜止釋放左側(cè)托盤,測(cè)量系統(tǒng)加速度。然后改變m1 、m2質(zhì)量,重復(fù)實(shí)驗(yàn)多次。
(1)該同學(xué)利用圖示實(shí)驗(yàn)裝置求得左側(cè)托盤及砝碼的加速度的表達(dá)式= ________(用字母m1、m2及g表示)
(2)該同學(xué)認(rèn)為,只要保持______不變,即可得出m1、m2系統(tǒng)的加速度與系統(tǒng)的合外力成正比;只要保持______不變,即可得出m1、m2系統(tǒng)的加速度與系統(tǒng)的總質(zhì)量成反比。
(3)該同學(xué)用此裝置多次測(cè)量系統(tǒng)的加速度a,并用天平測(cè)出m1、m2的質(zhì)量,利用(1)中的表達(dá)式計(jì)算出系統(tǒng)的加速度,發(fā)現(xiàn)a總是______(填“大于”“等于”或“小于”)
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】如圖甲所示,理想變壓器原、副線圈的匝數(shù)比為3:1,交流電壓表和電流表均為理想電表,原線圈接如圖乙所示的正弦交流電,圖中R1為熱敏電阻(電阻隨溫度升高而減。R為定值電阻.下列說(shuō)法正確的是
A. 電壓表V1的指針左右搖擺
B. 電壓表V2的示數(shù)為8V
C. R1溫度升高時(shí).電流表的示數(shù)變大.電壓表的示數(shù)減小
D. R1溫度升高時(shí),變壓器輸入功率增加
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