如圖所示,金屬正方形框架,abcd邊長L=1m,每邊電阻為1Ω且ad、bc邊外層絕緣,放在粗糙的水平面上.光滑金屬棒MN電阻為0.5Ω,垂直于ab、cd放在框架上與框架接觸良好,整個裝置處于磁感應(yīng)強度B=1T的勻強磁場中,且磁場與線框平面垂直.棒MN在外力作用下以v=6m/s的速度勻速向右運動,棒運動時,框架靜止不動,求棒運動到bc邊的過程中

(1)棒MN兩端最大電勢差

(2)框架abcd受到的最大摩擦力.

答案:
解析:

  (1)4V

  (2)4.8N,方向水平向左


練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

用密度為d、電阻率為ρ、橫截面積為A的薄金屬條制成邊長為L的閉合正方形框abb?a?.如圖所示,金屬方框水平放在磁極的狹縫間,方框平面與磁場方向平行.設(shè)勻強磁場僅存在于相對磁極之間,其他地方的磁場忽略不計.可認(rèn)為方框的aa?邊和bb?邊都處在磁極間,極間磁感應(yīng)強度大小為B.方框從靜止開始釋放,其平面在下落過程中保持水平(不計空氣阻力設(shè)磁場區(qū)域在豎直方向足夠長).
(1)當(dāng)方框下落的加速度為
g2
時,求方框的瞬時速度v1
(2)方框下落的最大電功率多大?
(3)已知方框下落的時間為t時,下落的高度為h,其速度為vt(vt<vm).若在同一時間t內(nèi),方框內(nèi)產(chǎn)生的熱與一恒定電流I0在該框內(nèi)產(chǎn)生的熱相同,求恒定電流I0的表達(dá)式.

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科目:高中物理 來源: 題型:

用密度為d、電阻率為ρ、橫截面積為A的薄金屬條制成邊長為L的閉合正方形框abb?a?.如圖所示,金屬方框水平放在磁極的狹縫間,方框平面與磁場方向平行.設(shè)勻強磁場僅存在于相對磁極之間,其他地方的磁場忽略不計.可認(rèn)為方框的aa?邊和bb?邊都處在磁極間,極間磁感應(yīng)強度大小為B.方框從靜止開始釋放,其平面在下落過程中保持水平(不計空氣阻力).
(1)求方框下落的最大速度vm(設(shè)磁場區(qū)域在豎直方向足夠長);
(2)若已知方框下落的時間為t時,下落的高度為h,其速度為vt(vt<vm).則在同一時間t內(nèi),通過方框電流有效值為多少?

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科目:高中物理 來源: 題型:

(2007?北京)用密度為d、電阻率為ρ、橫截面積為A的薄金屬條制成邊長為L的閉合正方形框abb′a′.如圖所示,金屬方框水平放在磁極的狹縫間,方框平面與磁場方向平行.設(shè)勻強磁場僅存在于相對磁極之間,其他地方的磁場忽略不計.可認(rèn)為方框的aa′邊和bb′邊都處在磁極間,極間磁感應(yīng)強度大小為B.方框從靜止開始釋放,其平面在下落過程中保持水平(不計空氣阻力).
(1)求方框下落的最大速度vm(設(shè)磁場區(qū)域在豎直方向足夠長);
(2)當(dāng)方框下落的加速度為
g2
時,求方框的發(fā)熱功率P;
(3)已知方框下落的時間為t時,下落的高度為h,其速度為vt(vt<vm).若在同一時間t內(nèi),方框內(nèi)產(chǎn)生的熱與一恒定電流I0在該框內(nèi)產(chǎn)生的熱相同,求恒定電流I0的表達(dá)式.

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科目:高中物理 來源: 題型:

用單位長度質(zhì)量為m、單位長度電阻為r的薄金屬條制成邊長為L的閉合正方形框abb'a'.如圖所示,金屬方框水平放在磁極的狹縫間,方框平面與磁場方向平行.
設(shè)勻強磁場僅存在于相對磁極之間,其他地方的磁場忽略不計.可認(rèn)為方框的aa'邊和bb'邊都處在磁極之間,極間磁感應(yīng)強度大小為B.方框從靜止開始釋放,其平面在下落過程中保持水平(不計空氣阻力)
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(1)求方框下落的最大速度vm(設(shè)磁場區(qū)域在豎直方向足夠長);
(2)當(dāng)方框下落的加速度為
g2
時,求方框的發(fā)熱功率P;
(3)已知方框下落時間為t時,下落高度為h,其速度為vt(vt<vm).若在同一時間t內(nèi),方框內(nèi)產(chǎn)生的熱與一恒定電流I0在該框內(nèi)產(chǎn)生的熱相同,求恒定電流I0的表達(dá)式.

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