如圖所示,勻強(qiáng)磁場區(qū)域?qū)挒閐,一正方形線框abcd的邊長為l,且l>d,線框電阻的大小為r,以恒定的速度v通過磁場區(qū)域,從線框剛進(jìn)入到完全離開磁場的這段時(shí)間內(nèi),下列說法正確的是

A. bc邊剛進(jìn)入磁場和ad邊剛進(jìn)入磁場時(shí)產(chǎn)生的感應(yīng)電流的方向是相反的

B.維持線框勻速通過磁場全過程中都要施加恒力

C.在整個(gè)過程中電阻產(chǎn)生的熱量

D.線框中沒有感應(yīng)電流的時(shí)間是

 

【答案】

AD

【解析】

試題分析:進(jìn)入時(shí)產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢為Blv,導(dǎo)體棒受到的安培力為,由于勻速進(jìn)入磁場,所以剛開始進(jìn)入外力F即為。但是由于L>d,說明完全進(jìn)入后,在外力就要等于零,所以B錯(cuò)。根據(jù)右手定則,可以判斷,bc進(jìn)入與bc邊出去時(shí)切割磁感線產(chǎn)生的感應(yīng)電流方向相反,所以A正確。線框進(jìn)入時(shí)產(chǎn)生的熱量為克服安培力做功即,出磁場也以該速度出磁場,所以整個(gè)過程,所以C錯(cuò)。根據(jù)剛才分析線框中沒有感應(yīng)電流的時(shí)間是,所以D正確。

考點(diǎn):法拉第電磁感應(yīng)定律、動(dòng)能定理

點(diǎn)評(píng):此類題型考察切割磁感線這類問題常見的公式以及相關(guān)分析,例如所受安培力、安培力做功等

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

在方向如圖所示的勻強(qiáng)電場(場強(qiáng)為E)和勻強(qiáng)磁場(磁感應(yīng)強(qiáng)度為B)共存的場區(qū),一電子沿垂直電場線和磁感線方向以速度v0射入場區(qū),則( 。

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科目:高中物理 來源: 題型:

在方向如圖所示的勻強(qiáng)電場(場強(qiáng)為E)和勻強(qiáng)磁場(磁感應(yīng)強(qiáng)度為B)共存的場區(qū),一電子沿垂直電場線和磁感線方向以速度v0射入場區(qū),則( 。

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科目:高中物理 來源: 題型:

(2012?長寧區(qū)一模)如圖所示,勻強(qiáng)磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度 B=0.2T,磁場寬度 L=0.3m,一正方形金屬框邊長 ab=0.1m,每邊電阻R=0.2Ω,金屬框在拉力F作用下以v=10m/s的速度勻速穿過磁場區(qū),其平面始終保持與磁感線方向垂直.求:
(1)畫出金屬框穿過磁場區(qū)的過程中,金屬框內(nèi)感應(yīng)電流i和a、b兩端電壓Uab隨時(shí)間t的變化圖線(規(guī)定以adcba為正方向);
(2)金屬框穿過磁場區(qū)域的過程中,拉力F做的功;
(3)金屬框穿過磁場區(qū)域的過程中,導(dǎo)線ab上所產(chǎn)生的熱量.

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科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)在如圖所示的勻強(qiáng)電場(場強(qiáng)為E)和勻強(qiáng)磁場(磁感應(yīng)強(qiáng)度為B)正交的場區(qū),一電子沿垂直電場線和磁感線方向以速度v0射入場區(qū),則( 。
A、若v0
E
B
,電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng),射出場區(qū)時(shí),速度v>v0
B、若v0
E
B
,電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng),射出場區(qū)時(shí),速度v<v0
C、若υ0
E
B
,電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng),射出場區(qū)時(shí),速度υ>υ0
D、若υ0
E
B
,電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng),射出場區(qū)時(shí),速度υ<υ0

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科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)在方向如圖所示的勻強(qiáng)電場(場強(qiáng)為E)和勻強(qiáng)磁場(磁感應(yīng)強(qiáng)度為B)共存的場區(qū),一電子沿垂直電場線和磁感線方向以速度v0 射入場區(qū),則(  )
A、若v0
E
B
,電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng),射出場區(qū)時(shí),速度v>v0
B、若v0
E
B
,電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng),射出場區(qū)時(shí),速度v<v0
C、若v0
E
B
,電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng),射出場區(qū)時(shí),速度v<v0
D、若v0
E
B
,電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng),射出場區(qū)時(shí),速度v<v0

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