3.甲、乙兩物體,甲的質(zhì)量為4kg,乙的質(zhì)量為2kg,不計(jì)空氣阻力,甲從20m高處自由落下,1s后乙從同樣高處自由落下,此后,在兩物體落地之前,下列說法中正確的是( 。
A.同一時(shí)刻甲的速度大
B.同一時(shí)刻兩物體的速度相同
C.兩物體從起點(diǎn)各自下落1m時(shí)的速度是相同的
D.落地之前甲和乙的高度之差不斷增大

分析 因?yàn)榧滓椅矬w均做自由落體運(yùn)動,所以它們的初速度為零,加速度為g,根據(jù)運(yùn)動學(xué)關(guān)系式求解物體下落過程中任意時(shí)刻的速度.

解答 解:A、因?yàn)榧滓椅矬w同時(shí)做自由落體運(yùn)動,它們的初速度為零,加速度為g,甲任意時(shí)刻的速度為:v=gt,乙任意時(shí)刻的速度v′=g(t-1),所以兩物體下落過程中,在同一時(shí)刻甲的速度大于乙的速度,故A正確,B錯誤.
C、下落1m時(shí),由位移速度關(guān)系式:v2=2gh,可解得各自下落1m時(shí),它們的速度相同,故C正確.
D、經(jīng)過時(shí)間t時(shí),甲的位移為$x=\frac{1}{2}g{t}^{2}$,所以甲離地面的高度為h=20-$\frac{1}{2}g{t}^{2}$,
乙的位移為$x′=\frac{1}{2}g{(t-1)}^{2}$,所以乙離地面的高度為h′=20-$\frac{1}{2}g{(t-1)}^{2}$
所以落地前甲和乙的高度之差△h=h′-h=gt-5,隨著時(shí)間增大而增大,故D正確.
故選:ACD

點(diǎn)評 解決自由落體運(yùn)動的題目關(guān)鍵在于明確自由落體中的公式應(yīng)用,一般情況下,研究由落點(diǎn)開始的運(yùn)動列出的表達(dá)式最為簡單;并且最好嘗試一題多解的方法.

練習(xí)冊系列答案
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題

13.如圖所示為一質(zhì)點(diǎn)運(yùn)動的位移隨時(shí)間變化的圖象,圖象是一條拋物線,方程為x=40t-5t2.下列說法正確的是( 。
A.質(zhì)點(diǎn)的初速度是20 m/s
B.質(zhì)點(diǎn)的加速度大小是5 m/s2
C.質(zhì)點(diǎn)做勻變速直線運(yùn)動,第5s內(nèi)的位移是-5m
D.t=4 s時(shí),質(zhì)點(diǎn)的速度最大

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科目:高中物理 來源: 題型:多選題

14.一個做勻加速直線運(yùn)動的物體,先后經(jīng)過相距為x的A、B兩點(diǎn)時(shí)的速度分別為v和7v,從A到B的運(yùn)動時(shí)間為t,則下列說法正確的是( 。
A.經(jīng)過AB中點(diǎn)的速度為4v
B.經(jīng)過AB中間時(shí)刻的速度為4v
C.通過前$\frac{x}{2}$位移所需時(shí)間是通過后$\frac{x}{2}$位移所需時(shí)間的2倍
D.前$\frac{t}{2}$時(shí)間通過的位移比后$\frac{t}{2}$時(shí)間通過的位移少1.5vt

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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題

11.如圖,一條形磁鐵放在水平桌面上,在它的正中央上方固定一直導(dǎo)線,導(dǎo)線與磁鐵垂直,若給導(dǎo)線通以垂直于紙面向里的電流,則( 。
A.磁鐵對桌面的壓力增大B.桌面對磁鐵有向右的摩擦力
C.磁鐵對桌面的壓力減少D.磁鐵所受的合力變大

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科目:高中物理 來源: 題型:解答題

18.如圖所示,一豎直放置、粗細(xì)均勻且足夠長的U形玻璃管,右端通過橡膠管(橡膠管體積不計(jì))與放在水中的導(dǎo)熱金屬球形容器連通,球形容器的容積為v0=90cm3,用U形玻璃管中的水銀柱封閉一定質(zhì)量的理想氣體,當(dāng)環(huán)境溫度為7℃時(shí).U形玻璃管右側(cè)水銀面比左側(cè)水銀面高出h1=16cm,水銀柱上方空氣柱長h0=20cm.(已知大氣壓強(qiáng)p0=76cmHg,U形玻璃管的橫截面積為S=0.5cm2).若對水緩慢加熱,應(yīng)加熱到多少攝氏度,兩邊水銀柱高度會在同一水平面上?

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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題

8.如圖所示.當(dāng)滑動變阻器的滑動觸點(diǎn)向上端移動時(shí),則( 。
A.伏特表的示數(shù)增大,安培表的示數(shù)變小
B.伏特表、安培表示數(shù)都增大
C.伏特表、安培表示數(shù)都減小
D.伏特表示數(shù)減小,安培表示數(shù)增大

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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題

15.關(guān)于安培分子電流假說下列分析正確的是( 。
A.安培分子電流假說的實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)是奧斯特發(fā)現(xiàn)了通電導(dǎo)線周圍存在磁場
B.鐵棒受到外界磁場作用時(shí),各分子電流的取向變得大致相同,鐵棒各處顯示出同樣強(qiáng)弱的磁場
C.磁體受到高濕或猛烈撞擊時(shí)會失去磁性,是因?yàn)榧ち业臒徇\(yùn)動或震動使分子電流的取向變得雜亂無章
D.安培分子電流假說揭示了電流產(chǎn)生磁場的原因

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科目:高中物理 來源: 題型:填空題

12.在勻速圓周運(yùn)動中,周期T和角速度ω的關(guān)系是T=$\frac{2π}{ω}$,線速度v和角速度ω的關(guān)系是v=ωr.

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13.某探究學(xué)習(xí)小組欲探究物體的加速度與力、質(zhì)量的關(guān)系,它們在實(shí)驗(yàn)時(shí)組裝了一套如圖所示的裝置,圖中小車的質(zhì)量用M表示,鉤碼的質(zhì)量用m表示,要順利完成該實(shí)驗(yàn),則:

(1)為使小車受合外力等于細(xì)線的拉力,應(yīng)采取的措施是平衡摩擦力;要使細(xì)線的拉力約等于鉤碼的總重力,用滿足的條件是M>>m.
(2)某位同學(xué)經(jīng)過測量、計(jì)算得到如下數(shù)據(jù),請?jiān)趫D中作出小車加速度與所受合外力的關(guān)系圖象.
組別1234567
M/kg0.580.580.580.580.580.580.58
F/N0.100.150.200.250.300.350.40
a/m•s-20.130.170.260.340.430.510.59
(3)由圖象可以看出,該實(shí)驗(yàn)存在著較大的誤差,產(chǎn)生誤差的主要原因是:木板傾角偏。ɑ颉捌胶饽Σ亮Σ蛔恪被颉澳┩耆胶饽Σ亮Α保

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