A. | 同一時(shí)刻甲的速度大 | |
B. | 同一時(shí)刻兩物體的速度相同 | |
C. | 兩物體從起點(diǎn)各自下落1m時(shí)的速度是相同的 | |
D. | 落地之前甲和乙的高度之差不斷增大 |
分析 因?yàn)榧滓椅矬w均做自由落體運(yùn)動,所以它們的初速度為零,加速度為g,根據(jù)運(yùn)動學(xué)關(guān)系式求解物體下落過程中任意時(shí)刻的速度.
解答 解:A、因?yàn)榧滓椅矬w同時(shí)做自由落體運(yùn)動,它們的初速度為零,加速度為g,甲任意時(shí)刻的速度為:v=gt,乙任意時(shí)刻的速度v′=g(t-1),所以兩物體下落過程中,在同一時(shí)刻甲的速度大于乙的速度,故A正確,B錯誤.
C、下落1m時(shí),由位移速度關(guān)系式:v2=2gh,可解得各自下落1m時(shí),它們的速度相同,故C正確.
D、經(jīng)過時(shí)間t時(shí),甲的位移為$x=\frac{1}{2}g{t}^{2}$,所以甲離地面的高度為h=20-$\frac{1}{2}g{t}^{2}$,
乙的位移為$x′=\frac{1}{2}g{(t-1)}^{2}$,所以乙離地面的高度為h′=20-$\frac{1}{2}g{(t-1)}^{2}$
所以落地前甲和乙的高度之差△h=h′-h=gt-5,隨著時(shí)間增大而增大,故D正確.
故選:ACD
點(diǎn)評 解決自由落體運(yùn)動的題目關(guān)鍵在于明確自由落體中的公式應(yīng)用,一般情況下,研究由落點(diǎn)開始的運(yùn)動列出的表達(dá)式最為簡單;并且最好嘗試一題多解的方法.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 質(zhì)點(diǎn)的初速度是20 m/s | |
B. | 質(zhì)點(diǎn)的加速度大小是5 m/s2 | |
C. | 質(zhì)點(diǎn)做勻變速直線運(yùn)動,第5s內(nèi)的位移是-5m | |
D. | t=4 s時(shí),質(zhì)點(diǎn)的速度最大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 經(jīng)過AB中點(diǎn)的速度為4v | |
B. | 經(jīng)過AB中間時(shí)刻的速度為4v | |
C. | 通過前$\frac{x}{2}$位移所需時(shí)間是通過后$\frac{x}{2}$位移所需時(shí)間的2倍 | |
D. | 前$\frac{t}{2}$時(shí)間通過的位移比后$\frac{t}{2}$時(shí)間通過的位移少1.5vt |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 磁鐵對桌面的壓力增大 | B. | 桌面對磁鐵有向右的摩擦力 | ||
C. | 磁鐵對桌面的壓力減少 | D. | 磁鐵所受的合力變大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 伏特表的示數(shù)增大,安培表的示數(shù)變小 | |
B. | 伏特表、安培表示數(shù)都增大 | |
C. | 伏特表、安培表示數(shù)都減小 | |
D. | 伏特表示數(shù)減小,安培表示數(shù)增大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 安培分子電流假說的實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)是奧斯特發(fā)現(xiàn)了通電導(dǎo)線周圍存在磁場 | |
B. | 鐵棒受到外界磁場作用時(shí),各分子電流的取向變得大致相同,鐵棒各處顯示出同樣強(qiáng)弱的磁場 | |
C. | 磁體受到高濕或猛烈撞擊時(shí)會失去磁性,是因?yàn)榧ち业臒徇\(yùn)動或震動使分子電流的取向變得雜亂無章 | |
D. | 安培分子電流假說揭示了電流產(chǎn)生磁場的原因 |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
組別 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 |
M/kg | 0.58 | 0.58 | 0.58 | 0.58 | 0.58 | 0.58 | 0.58 |
F/N | 0.10 | 0.15 | 0.20 | 0.25 | 0.30 | 0.35 | 0.40 |
a/m•s-2 | 0.13 | 0.17 | 0.26 | 0.34 | 0.43 | 0.51 | 0.59 |
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