如圖所示,一個(gè)絕緣光滑半圓軌道放在豎直向下的勻強(qiáng)電場(chǎng)中,場(chǎng)強(qiáng)為E,在其上端與圓心等高處有一個(gè)質(zhì)量為m,帶電荷量為+q的小球由靜止開(kāi)始下滑,則

A.小球運(yùn)動(dòng)過(guò)程中機(jī)械能守恒

B.小球經(jīng)過(guò)最低點(diǎn)時(shí)動(dòng)能與電勢(shì)能之和最小

C.小球在最低點(diǎn)時(shí)機(jī)械能最大

D.小球在最低點(diǎn)對(duì)環(huán)的壓力大小為(mg+qE)

C

【解析】

試題分析:小球在下滑過(guò)程中,除重力外,電場(chǎng)力做正功,機(jī)械能增加,最低點(diǎn)時(shí)機(jī)械能最大,選項(xiàng)A錯(cuò)誤,選項(xiàng)C正確;小球在下滑過(guò)程中,重力勢(shì)能E重P、動(dòng)能Ek、電勢(shì)能E電P,由能量守恒得:E重P+Ek+E電P=C(常數(shù)),整理得:Ek+E電P=C-E重P,所以當(dāng)重力勢(shì)能最大時(shí),即小球在最高點(diǎn)時(shí),動(dòng)能與電勢(shì)能之和最小,選項(xiàng)B錯(cuò)誤;小球在最低點(diǎn)時(shí),小球具有速度v,小球受豎直向下的重力G,電場(chǎng)力qE,豎直向上的支持力F,由牛頓第二定律得:F—G—qE=,小球在最低點(diǎn)對(duì)環(huán)的壓力大于(mg+qE),選項(xiàng)D錯(cuò)誤。

考點(diǎn):本題旨在考查能量守恒定律、牛頓第二定律。

練習(xí)冊(cè)系列答案
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在測(cè)定一節(jié)干電池的電動(dòng)勢(shì)和內(nèi)電阻的實(shí)驗(yàn)中,備有下列器材:

A.待測(cè)的干電池(電動(dòng)勢(shì)約為1. 5 V,內(nèi)電阻小于1. 0Ω)

B.電流表G(滿偏電流3 mA,內(nèi)阻Rg=10Ω)

C.電流表A(0~0. 6 A,內(nèi)阻0.1Ω)

D.滑動(dòng)變阻器R1(0~20Ω,10 A)

E..滑動(dòng)變阻器R2(0~2 00Ω,l A)

F.定值電阻R0 (990Ω)

G.開(kāi)關(guān)和導(dǎo)線若干

(1)(4分)某同學(xué)發(fā)現(xiàn)上述器材中雖然沒(méi)有電壓表,但給出了兩個(gè)電流表,于是他設(shè)計(jì)了如

圖所示中甲的(a)、 (b)兩個(gè)參考實(shí)驗(yàn)電路,其中合理的是 圖所示的電路;在該電路中,為了操作方便且能準(zhǔn)確地進(jìn)行測(cè)量,滑動(dòng)變阻器應(yīng)選 (填寫(xiě)器材前的字母代號(hào)).

(2)(4分)圖乙為該同學(xué)根據(jù)(1)中選出的合理的實(shí)驗(yàn)電路利用測(cè)出的數(shù)據(jù)繪出的I1—I2圖線(I1為電流表G的示數(shù),I2為電流表A的示數(shù)),則由圖線可以得被測(cè)電池的電動(dòng)勢(shì)E= V,

內(nèi)阻r= Ω。

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一物體由靜止沿光滑斜面勻加速下滑距離L時(shí),速度為v,當(dāng)它的速度為v/2時(shí),它沿斜面下滑的距離是( )

A. L B. L C. L D. L

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有一橫截面積為s的銅導(dǎo)線,流經(jīng)其中的電流強(qiáng)度為I,設(shè)每單位體積的導(dǎo)線中有n個(gè)自由電子,電子的電荷量為e,此時(shí)電子的定向移動(dòng)速度為v,則在t時(shí)間內(nèi),通過(guò)導(dǎo)線某一橫截面積的自由電子數(shù)目可表示為

A.nvst B.nvt C.It/e D.It/se

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如圖所示,粗糙程度均勻的絕緣斜面下方O點(diǎn)處有一正點(diǎn)電荷,D點(diǎn)為O點(diǎn)在斜面上的垂足,OM=ON。帶負(fù)電的小物體以初速度v1=5m/s從M點(diǎn)沿斜面上滑, 到達(dá)N點(diǎn)時(shí)速度恰好為零,然后又滑回到M點(diǎn)時(shí)速度大小變?yōu)関2=3m/s。若小物體電荷量保持不變,可視為點(diǎn)電荷。

(1)帶負(fù)電的小物體從M向N運(yùn)動(dòng)的過(guò)程中電勢(shì)能如何變化?電場(chǎng)力共做多少功?

(2)N點(diǎn)離斜面底邊的高度h為多少?

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如圖所示,一電場(chǎng)的電場(chǎng)線分布關(guān)于y軸(沿豎直方向)對(duì)稱(chēng),O、M、N是y軸上的三個(gè)點(diǎn),且OM=MN。P點(diǎn)在y軸右側(cè),MP⊥ON。則

A.M點(diǎn)的電勢(shì)比P點(diǎn)的電勢(shì)高

B.將負(fù)電荷由O點(diǎn)移動(dòng)到P點(diǎn),電場(chǎng)力做正功

C.M、N兩點(diǎn)間的電勢(shì)差大于O、M兩點(diǎn)間的電勢(shì)差

D.在O點(diǎn)靜止釋放一帶正電粒子,該粒子將沿y軸做勻速直線運(yùn)動(dòng)

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(2011?商丘三模)下列說(shuō)法正確的是( )

A.樓道里的燈只有天黑時(shí)出現(xiàn)聲音才亮,說(shuō)明它的控制電路中只有聲傳感器

B.電子秤所使用的測(cè)力裝置是溫度傳感器

C.用點(diǎn)電荷代替帶電體,應(yīng)用的是理想模型法

D.伽利略在利用理想實(shí)驗(yàn)探究力和運(yùn)動(dòng)關(guān)系時(shí),使用的是等效替代法

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集成電路應(yīng)用廣泛、集成度越來(lái)越高,現(xiàn)在集成電路的集成度已達(dá)幾億個(gè)元件,目前科學(xué)家們正朝著集成度突破10億個(gè)元件的目標(biāo)邁進(jìn),集成度越高,各種電子元件越微型化,如圖一是我國(guó)自行研制成功的中央處理器(CPU)芯片“龍芯”1號(hào),如圖二中,R1和R2是材料相同、厚度相同、表面為正方形的導(dǎo)體,但R2的尺寸遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于R1的尺寸,通過(guò)兩導(dǎo)體的電流方向如圖2,則這兩個(gè)導(dǎo)體的電阻R1、R2的關(guān)系說(shuō)法正確的是( )

A.R1>R2 B.R1<R2 C.R1=R2 D.無(wú)法確定

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(2014?奉賢區(qū)二模)電磁波由真空進(jìn)入介質(zhì)后,發(fā)生變化的物理量有( )

A.波長(zhǎng)和頻率 B.波速和頻率 C.波長(zhǎng)和波速 D.頻率和能量

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