A. | a點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度小于b點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度 | |
B. | c點(diǎn)電勢(shì)低于b點(diǎn)的電勢(shì) | |
C. | 負(fù)檢驗(yàn)電荷在a點(diǎn)的電勢(shì)能比在b點(diǎn)的小 | |
D. | 正檢驗(yàn)電荷從c點(diǎn)移到b點(diǎn)的過程,電場(chǎng)力做正功 |
分析 根據(jù)電場(chǎng)線的疏密程度判斷電場(chǎng)強(qiáng)度的大;根據(jù)沿著電場(chǎng)線,電勢(shì)逐漸降低來判斷電勢(shì)的高低;正電荷在電勢(shì)高處電勢(shì)能大,在電勢(shì)低處電勢(shì)能小,負(fù)電荷在電勢(shì)高處電勢(shì)能小,在電勢(shì)低處電勢(shì)能大,根據(jù)電勢(shì)能的變化判斷電場(chǎng)力做功情況.
解答 解:A、由電場(chǎng)線越密的地方,電場(chǎng)強(qiáng)度越大,則有Ea>Eb,故A錯(cuò)誤;
B、沿著電場(chǎng)線,電勢(shì)逐漸降低,從c到P與從b到P相比,cP間的平均場(chǎng)強(qiáng)大,根據(jù)U=△φ=Ed,c點(diǎn)電勢(shì)高于b點(diǎn)的電勢(shì),故B錯(cuò)誤;
C、沿著電場(chǎng)線,電勢(shì)逐漸降低,從a到P與從b到P相比,aP間的平均場(chǎng)強(qiáng)大,根據(jù)U=△φ=Ed,a點(diǎn)電勢(shì)高于b點(diǎn)的電勢(shì),根據(jù)Ep=qφ,負(fù)檢驗(yàn)電荷在a點(diǎn)的電勢(shì)能比在b點(diǎn)的小,故C正確;
D、由于c點(diǎn)電勢(shì)高于b點(diǎn)的電勢(shì),根據(jù)Wcb=qUcb,故正檢驗(yàn)電荷從c點(diǎn)移到b點(diǎn)的過程,電場(chǎng)力做正功,故D正確;
故選:CD
點(diǎn)評(píng) 本題關(guān)鍵是根據(jù)電場(chǎng)線及其與等勢(shì)面的關(guān)系判斷出電勢(shì)高低、場(chǎng)強(qiáng)大小關(guān)系.同時(shí)知道等差等勢(shì)面越密的地方,電場(chǎng)線也越密.當(dāng)然也可以由電場(chǎng)力做功的正負(fù)來確定電勢(shì)能的增減.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 光纖通信利用了光的折射 | |
B. | 全息照相利用了光的全反射 | |
C. | 電子手表的液晶顯示利用了光的偏振 | |
D. | 用三棱鏡觀察太陽(yáng)光進(jìn)是利用了光的干涉 |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | t0時(shí)刻之前,甲物體的加速度一直大于乙物體的加速度 | |
B. | 0-t0時(shí)間內(nèi),甲物體中間時(shí)刻速度大于乙物體平均速度 | |
C. | t0時(shí)刻甲、乙兩物體到達(dá)同一高度 | |
D. | t0時(shí)刻之前甲離地高度總大于乙物體離地的高度 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 密閉在容器中的氣體,在某一時(shí)刻向各個(gè)方向運(yùn)動(dòng)的氣體分子數(shù)目一定相等 | |
B. | 大量氣體分子的速率有大有小,但是按“中間多,兩頭少”的規(guī)律分布 | |
C. | 氣體壓強(qiáng)的大小跟氣體分子的平均動(dòng)能、分子的密集程度這兩個(gè)因素有關(guān) | |
D. | 一定質(zhì)量的理想氣體,溫度不變,體積減小時(shí),氣體的內(nèi)能一定增大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 向心加速度大小與軌道半徑成正比 | B. | 向心加速度大小與軌道半徑成反比 | ||
C. | 向心加速度方向與向心力方向一致 | D. | 向心加速度指向圓心 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 1×104N | B. | 1×103N | C. | 7.35×104N | D. | 7.35×103N |
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