某同學(xué)通過(guò)查資料得知:電量為Q的均勻帶電球殼外的場(chǎng)強(qiáng)公式為:E = k(r為距離球心的距離),F(xiàn)已知電荷q均勻分布在半球面AB上,球面半徑為R,CD為通過(guò)半球頂點(diǎn)與球心O的軸線,如圖所示,M是位于CD軸線上球面外側(cè),且OM=ON =2R。已知M點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)為E,則N點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)為(    )

(A)E                (B)    

(C)          (D)

 

【答案】

D

【解析】

試題分析:如果是一個(gè)完整球體,則在M點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)為,已知M點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)為E,則右半部分在M的場(chǎng)強(qiáng)為,根據(jù)對(duì)稱(chēng)性,左半部分在N點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)和右半部分在M的場(chǎng)強(qiáng)大小相等。

故選D

考點(diǎn):割補(bǔ)法求場(chǎng)強(qiáng)

點(diǎn)評(píng):中等難度。在應(yīng)用庫(kù)侖定律解題時(shí),由于其適用條件是點(diǎn)電荷,所以造成了一些非點(diǎn)電荷問(wèn)題的求解困難,對(duì)于環(huán)形或球形缺口問(wèn)題,“割補(bǔ)法”非常有效.所謂“割”是指將帶電體微元化,再利用對(duì)稱(chēng)性將帶電體各部分所受電場(chǎng)力進(jìn)行矢量合成.所謂“補(bǔ)”是將缺口部分先補(bǔ)上,使帶電體能作為點(diǎn)電荷來(lái)處理.

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

精英家教網(wǎng)某同學(xué)通過(guò)查資料得知:電量為Q的均勻帶電球殼外的場(chǎng)強(qiáng)公式為:E=k Qr2(r為距離球心的距離).現(xiàn)已知電荷q均勻分布在半球面AB上,球面半徑為R,CD為通過(guò)半球頂點(diǎn)與球心O的軸線,如圖所示,M是位于CD軸線上球面外側(cè),且OM=ON=2R.已知M點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)為E,則N點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)為( 。
A、E
B、
kq
4R2
C、
kq
4R2
-E
D、
kq
2R2
-E

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來(lái)源:2013屆湖北省部分重點(diǎn)中學(xué)高三上學(xué)期期中聯(lián)考物理試卷(帶解析) 題型:單選題

某同學(xué)通過(guò)查資料得知:電量為Q的均勻帶電球殼外的場(chǎng)強(qiáng)公式為:E = k(r為距離球心的距離),F(xiàn)已知電荷q均勻分布在半球面AB上,球面半徑為R,CD為通過(guò)半球頂點(diǎn)與球心O的軸線,如圖所示,M是位于CD軸線上球面外側(cè),且OM="ON" =2R。已知M點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)為E,則N點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)為(   )

A.E B. 
C.D.

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來(lái)源:2013屆湖北省高三上學(xué)期期中聯(lián)考物理試卷(解析版) 題型:選擇題

某同學(xué)通過(guò)查資料得知:電量為Q的均勻帶電球殼外的場(chǎng)強(qiáng)公式為:E = k (r為距離球心的距離),F(xiàn)已知電荷q均勻分布在半球面AB上,球面半徑為R,CD為通過(guò)半球頂點(diǎn)與球心O的軸線,如圖所示,M是位于CD軸線上球面外側(cè),且OM=ON =2R。已知M點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)為E,則N點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)為

A.  E             B.        C.         D.

 

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊(cè)答案