一正方形閉合導(dǎo)線框abcd，邊長為L＝0.1m，各邊的電阻均為0.1Ω，bc邊位于x軸上且b點(diǎn)與坐標(biāo)原點(diǎn)O重合。在x軸原點(diǎn)O的右側(cè)有寬度0.2m、方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場區(qū)域，磁場的磁感強(qiáng)度為0.1T，如圖2甲所示。當(dāng)線框以4.0m/s的速度沿x軸勻速運(yùn)動(dòng)穿過磁場區(qū)域時(shí)，圖乙中的圖象表示的是線框從進(jìn)入磁場到穿出磁場的過程中，線框的感應(yīng)電流隨位置變化的情況，其中正確的是

 

【答案】

A

【解析】略

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

一正方形閉合導(dǎo)線框abcd的邊長L=0.1m，各邊電阻為1Ω，bc邊位于x軸上，在x軸原點(diǎn)O右方有寬L=0.1m、磁感應(yīng)強(qiáng)度為1T、方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場區(qū)域，如圖所示，當(dāng)線框以恒定速度4m/s沿x軸正方向穿越磁場區(qū)域過程中，則圖中能正確表示線框從進(jìn)入到穿出磁場過程中，ab邊兩端電勢差Uab隨位置變化情況的是（　�。�

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科目：高中物理 來源： 題型：

一正方形閉合導(dǎo)線框abcd邊長l=0.1m，各邊電阻均為lΩ，bc邊位于x軸上，在x軸原點(diǎn)O 右方有寬L=0.1m的磁感應(yīng)強(qiáng)度為l T、方向垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場區(qū)域，如圖所示．在線框以恒定速度4m/s沿x軸正方向穿越磁場區(qū)域的過程中，下列各圖中，能正確表示線框從進(jìn)入到穿出磁場過程中，ab邊兩端電勢差Uab和回路中電流I（設(shè)順時(shí)針方向?yàn)檎较颍╇S導(dǎo)線框ab邊位置變化情況的是（　�。�

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科目：高中物理 來源： 題型：

精英家教網(wǎng)一正方形閉合導(dǎo)線框abcd，邊長為L=0.1m，線框總電阻為0.1Ω，bc邊位于x軸上且b點(diǎn)與坐標(biāo)原點(diǎn)O重合．在x軸原點(diǎn)O的右側(cè)有寬度為0.2m、方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場區(qū)域，磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度為1.0T，如圖所示．當(dāng)線框以4.0m/s的速度沿x軸正方向勻速運(yùn)動(dòng)穿過磁場區(qū)域時(shí)，選項(xiàng)中的圖表示的是線框從進(jìn)入磁場到穿出磁場的過程中，線框電流I（規(guī)定順時(shí)針方向?yàn)殡娏鞯恼较颍�、線框所受安培力F（規(guī)定水平向左為力的正方向）隨ab邊位置變化的情況，其中正確的是（　�。�
A、精英家教網(wǎng)B、精英家教網(wǎng)C、精英家教網(wǎng)D、精英家教網(wǎng)

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科目：高中物理 來源：2007-2008學(xué)年北京市朝陽區(qū)高二（上）期末物理試卷（解析版） 題型：選擇題

一正方形閉合導(dǎo)線框abcd的邊長L=0.1m，各邊電阻為1Ω，bc邊位于x軸上，在x軸原點(diǎn)O右方有寬L=0.1m、磁感應(yīng)強(qiáng)度為1T、方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場區(qū)域，如圖所示，當(dāng)線框以恒定速度4m/s沿x軸正方向穿越磁場區(qū)域過程中，則圖中能正確表示線框從進(jìn)入到穿出磁場過程中，ab邊兩端電勢差Uab隨位置變化情況的是（ ）

A．
B．
C．
D．

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科目：高中物理 來源：2007-2008學(xué)年江蘇省常州市金壇市華羅庚中學(xué)高二（上）月考物理試卷（12月份）（解析版） 題型：選擇題

一正方形閉合導(dǎo)線框abcd的邊長L=0.1m，各邊電阻為1Ω，bc邊位于x軸上，在x軸原點(diǎn)O右方有寬L=0.1m、磁感應(yīng)強(qiáng)度為1T、方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場區(qū)域，如圖所示，當(dāng)線框以恒定速度4m/s沿x軸正方向穿越磁場區(qū)域過程中，則圖中能正確表示線框從進(jìn)入到穿出磁場過程中，ab邊兩端電勢差Uab隨位置變化情況的是（ ）

A．
B．
C．
D．

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