如圖在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)I和II,兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形(設(shè)電子的電量為q,質(zhì)量為m,不計(jì)電子的重力).
(1)在該區(qū)域AB邊的B處由靜止釋放電子,求電子經(jīng)過多長(zhǎng)時(shí)間達(dá)到勻強(qiáng)電場(chǎng)II區(qū)域的右邊界和電子最終離開CD邊界的位置坐標(biāo).
(2)在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開,求所有釋放點(diǎn)的位置.(提示:設(shè)釋放點(diǎn)的位置為(x.y)坐標(biāo)點(diǎn),最后寫出含有xy的函數(shù)表達(dá)式)
分析:(1)在AB邊的B點(diǎn)處由靜止釋放電子,電場(chǎng)力對(duì)電子做正功,根據(jù)動(dòng)能定理求出電子穿過電場(chǎng)時(shí)的速度,由于電子做勻加速直線運(yùn)動(dòng),因此由運(yùn)動(dòng)學(xué)公式可求出在電場(chǎng)中加速運(yùn)動(dòng)的時(shí)間;進(jìn)入電場(chǎng)II之前,電子做勻速直線運(yùn)動(dòng),由運(yùn)動(dòng)學(xué)公式結(jié)合求出電子在沒有電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間,從而可求出電子從靜止到達(dá)到電場(chǎng)II區(qū)域右邊界的時(shí)間.當(dāng)電子進(jìn)入電場(chǎng)II時(shí),做類平拋運(yùn)動(dòng),運(yùn)用運(yùn)動(dòng)學(xué)公式結(jié)合牛頓第二定律,可求出離開CD區(qū)域的位置坐標(biāo).
(2)在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子先在電場(chǎng)Ⅰ中做勻加速直線運(yùn)動(dòng),進(jìn)入電場(chǎng)Ⅱ后做類平拋運(yùn)動(dòng),根據(jù)牛頓第二定律和運(yùn)動(dòng)學(xué)公式結(jié)合求出位置x與y的關(guān)系式.
解答:解:(1)電子的質(zhì)量為m,電量為q,在電場(chǎng)I中做勻加速直線運(yùn)動(dòng),出區(qū)域I時(shí)的速度為v0,時(shí)間為t1,
然后勻速直線運(yùn)動(dòng)到達(dá)電場(chǎng)II所用時(shí)間t2,此后進(jìn)入電場(chǎng)II做類平拋運(yùn)動(dòng),
由動(dòng)能定理得:qEL=
1
2
m
v
2
0
 
由運(yùn)動(dòng)學(xué)公式,t1=
v0
a
  
由牛頓第二定律,a=
qE
m
  
解得:t1=
2mL
qE
 
勻速運(yùn)動(dòng)時(shí)間,t2=
L
v0
=
mL
2qE
    
則所需的時(shí)間,tB=t1+t2=
3
2
2mL
qE

假設(shè)電子從CD邊射出,出射點(diǎn)縱坐標(biāo)為y,則整個(gè)運(yùn)動(dòng)過程中
對(duì)電子先后運(yùn)用及勻變速位移公式有:(L-y)=
1
2
at2=
1
2
qE
m
(
L
v0
)2

 則:側(cè)位移y=
1
2
at2=
1
2
qE
m
(
L
v0
)2
   
 縱坐標(biāo)為L-y=
3
4
L

  解得 y=
3
4
L
,
所以原假設(shè)成立,
即電子離開ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo)為(-2L,
3
4
L

(2)設(shè)釋放點(diǎn)在電場(chǎng)區(qū)域I中,其坐標(biāo)為(x,y),在電場(chǎng)I中電子被加速到v1
然后進(jìn)入電場(chǎng)II做類平拋運(yùn)動(dòng),并從D點(diǎn)離開,
同理,有:qEx=
1
2
m
v
2
1
,
y=
1
2
at2=
1
2
qE
m
(
L
v1
)2
  
解得:xy=
L2
4
,
即在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)滿足此方程的點(diǎn)即為所求位置.
答:(1)在該區(qū)域AB邊的B處由靜止釋放電子,求電子經(jīng)過
3
2
2mL
qE
時(shí)間達(dá)到勻強(qiáng)電場(chǎng)II區(qū)域的右邊界和電子最終離開CD邊界的位置坐標(biāo)(-2L,
3
4
L
).
(2)在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開,則所有釋放點(diǎn)的位置滿足:xy=
L2
4
點(diǎn)評(píng):本題實(shí)際是加速電場(chǎng)與偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)的組合,考查分析帶電粒子運(yùn)動(dòng)情況的能力和處理較為復(fù)雜的力電綜合題的能力.
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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)Ⅰ和Ⅱ,已知A、D兩點(diǎn)的坐標(biāo)分別為(L,0)和(-2L,0),兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形(不計(jì)電子所受重力),現(xiàn)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放一電子,已知電子質(zhì)量為m,帶電量為e,試求:
(1)電子離開ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo);
(2)電子從電場(chǎng)Ⅱ出來后經(jīng)過多少時(shí)間到達(dá)X軸;
(3)電子到達(dá)X軸時(shí)的位置坐標(biāo).

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科目:高中物理 來源:2015屆浙江省溫州市十校聯(lián)合體高二上期中聯(lián)考物理試卷(解析版) 題型:計(jì)算題

如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖。在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)I和II,已知A、D兩點(diǎn)的坐標(biāo)分別為(L,0)和(-2L,0),兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形(不計(jì)電子所受重力),現(xiàn)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放一電子,已知電子質(zhì)量為m,帶電量為e,試求:

 

(1)電子離開ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo);

(2)電子從電場(chǎng)II出來后經(jīng)過多少時(shí)間到達(dá)x軸;

(3)電子到達(dá)x軸時(shí)的位置坐標(biāo)。

 

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