14.如圖所示,在磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的水平勻強(qiáng)磁場中,有一豎直放置的光滑金屬導(dǎo)軌,導(dǎo)軌平面與磁場垂直,導(dǎo)軌間距為L,頂端接有阻值為R的電阻,將一根金屬棒從導(dǎo)軌上的M處以速度v0豎直向上拋出,棒到達(dá)N處后返回,回到出發(fā)點(diǎn)M時(shí)棒的速度為拋出時(shí)的一半.已知棒的長度為L,質(zhì)量為m,電阻為r.金屬棒始終在磁場中運(yùn)動(dòng),處于水平且與導(dǎo)軌接觸良好,忽略導(dǎo)軌的電阻.重力加速度為g.
(1)金屬棒從M點(diǎn)被拋出至落回M點(diǎn)的整個(gè)過程中,求電阻R消耗的電能;
(2)當(dāng)金屬棒向下運(yùn)動(dòng)達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)時(shí),所具有的最大速度;
(3)經(jīng)典物理學(xué)認(rèn)為,金屬的電阻源于定向運(yùn)動(dòng)的自由電子與金屬離子的碰撞.已知元電荷為e.求當(dāng)金屬棒向下運(yùn)動(dòng)達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)時(shí),棒中金屬離子對一個(gè)自由電子沿棒方向的平均作用力大。

分析 (1)金屬棒從M點(diǎn)被拋出至落回M點(diǎn)的整個(gè)過程中,動(dòng)能減少轉(zhuǎn)化為電能,根據(jù)能量守恒定律求電阻R消耗的電能.
(2)當(dāng)金屬棒向下運(yùn)動(dòng)達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)重力的功率等于回路的電功率.由此列式求解最大速度.
(3)根據(jù)電流的微觀表達(dá)式I=neSv和金屬棒生熱功率公式Pr=(nSL)fv,結(jié)合進(jìn)行解答.

解答 解:(1)金屬棒從M點(diǎn)被拋出至落回M點(diǎn)的整個(gè)過程中,由能量守恒得
回路中消耗的電能  Q=$\frac{1}{2}$m${v}_{0}^{2}$-$\frac{1}{2}m(\frac{{v}_{0}}{2})^{2}$=$\frac{3}{8}m{v}_{0}^{2}$
電阻R消耗的電能  QR=$\frac{R}{R+r}$Q=$\frac{3Rm{v}_{0}^{2}}{8(R+r)}$. 
(2)當(dāng)金屬棒向下運(yùn)動(dòng)達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)作勻速直線運(yùn)動(dòng),設(shè)最大速度為v,則有  mgv=$\frac{{E}^{2}}{R+r}$
其中 E=BLv
解得 v=$\frac{mg(R+r)}{{B}^{2}{L}^{2}}$
(3)方法一:
當(dāng)金屬棒向下運(yùn)動(dòng)達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)時(shí),沿棒方向,棒中自由電子受到洛倫茲力evB、電場力eE和金屬離子對它的平均作用力f作用.因?yàn)榘糁须娏骱愣,所以自由電子沿棒的運(yùn)動(dòng)可視為勻速運(yùn)動(dòng).
則  f+eE=evmB
又  E=$\frac{U}{L}$,U=$\frac{BLv}{R+r}$•R
解得  f=$\frac{emgr}{B{L}^{2}}$
方法二:當(dāng)金屬棒向下運(yùn)動(dòng)達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)
單位時(shí)間內(nèi)機(jī)械能減少  P=mgvm
金屬棒生熱功率  Pr=$\frac{r}{R+r}$P
回路中的電流  I=$\frac{BLv}{R+r}$
設(shè)棒的橫截面積為S,棒中單位體積內(nèi)的自由電子數(shù)為n,棒中自由電子定向移動(dòng)的速度為v,金屬離子對自由電子的平均作用力為f.
則  Pr=(nSL)fv,I=neSv.
所以 f=$\frac{emgr}{B{L}^{2}}$
答:
(1)金屬棒從M點(diǎn)被拋出至落回M點(diǎn)的整個(gè)過程中,a.電阻R消耗的電能為$\frac{3Rm{v}_{0}^{2}}{8(R+r)}$. 
(2)當(dāng)金屬棒向下運(yùn)動(dòng)達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)時(shí),所具有的最大速度為$\frac{mg(R+r)}{{B}^{2}{L}^{2}}$.
(3)棒中金屬離子對一個(gè)自由電子沿棒方向的平均作用力大小為$\frac{emgr}{B{L}^{2}}$.

點(diǎn)評 解決本題的關(guān)鍵掌握金屬棒穩(wěn)定的條件,理解電流的微觀表達(dá)式是聯(lián)系宏觀與微觀的橋梁.

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A.物塊在A點(diǎn)的電勢能EPA=+Qφ
B.物塊在A點(diǎn)時(shí)受到軌道的支持力大小為mg+$\frac{3\sqrt{3}kQq}{8{h}^{2}}$
C.點(diǎn)電荷+Q產(chǎn)生的電場在B點(diǎn)的電場強(qiáng)度大小EB=$k\frac{Q}{h}$
D.點(diǎn)電荷+Q產(chǎn)生的電場在B點(diǎn)的電勢φB=$\frac{m}{2q}$(v02-v2)+φ

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